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放在手心里就能熔化的稀有金属镓，其沸点为2403℃，奇妙的是镓熔化后在－120℃仍不易凝固；常温下，镓不与氧气、水反应，但能溶于强酸和强碱；与硫、硒等非金属化合可生成优良的半导体材料。以下有关镓的用途或性质的叙述中，正确的是（）A、不能做半导体材料B、能用它制成的容器盛放硝酸溶液C、能制作高温温度计D、常温下很容易生锈

题目

放在手心里就能熔化的稀有金属镓，其沸点为2403℃，奇妙的是镓熔化后在－120℃仍不易凝固；常温下，镓不与氧气、水反应，但能溶于强酸和强碱；与硫、硒等非金属化合可生成优良的半导体材料。以下有关镓的用途或性质的叙述中，正确的是（）

  • A、不能做半导体材料
  • B、能用它制成的容器盛放硝酸溶液
  • C、能制作高温温度计
  • D、常温下很容易生锈
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1.科研人员最新研制成一种新型的氮化镓（GaN）晶体管，有望取代传统晶体管。氮化镓中镓元素（ ）。A．为+3价B．位于第IA族C．位于第三周期D．离子半径大于其原子半径

2.磷砷化镓数码管的工作电压为()。A.5VB.20VC.1.5V～3V

3.硅、锗、硒、砷化镓等介于导体与绝缘体之间的物体为半导体。A．错误B．正确

4.系指按照规定的方法，物质由同体熔化成液体的温度、熔融同时分解的温度或在熔化时自初熔至全熔的一段温度A.熔点B.初熔C.全熔D.熔融同时分解E.沸点 将之与其意义对应

更多“放在手心里就能熔化的稀有金属镓，其沸点为2403℃，奇妙的是镓熔”相关问题

  • 第1题：

    钆镓榴石的英文缩写为（）。

    • A、YAC
    • B、YAG
    • C、GGL
    • D、GGG

    正确答案:D

  • 第2题：

    Se为（）的元素符号。

    • A、锗
    • B、砷
    • C、硒
    • D、镓

    正确答案:C

  • 第3题：

    砷化镓相对于硅的优点是什么？


    正确答案:砷化镓具有比硅更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动得比硅中的更快。砷化镓也有减小寄生电容和信号损耗的特性。这些特性使得集成电路的速度比由硅制成的电路更快。GaAs器件增进的信号速度允许它们在通信系统中响应高频微波信号并精确地把它们转换成电信号。硅基半导体速度太慢以至于不能响应微波频率。砷化镓的材料电阻率更大，这使得砷化镓衬底上制造的半导体器件之间很容易实现隔离，不会产生电学性能的损失。

  • 第4题：

    化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。

    • A、锡
    • B、硼
    • C、磷
    • D、锰

    正确答案:A

  • 第5题：

    焊条端部熔化后的熔滴和焊件被熔化的母材金属熔合在一起形成（）

    • A、沸点
    • B、熔点
    • C、熔池

    正确答案:C

  • 第6题：

    （）是最常用的一种半导体材料。

    • A、砷化镓
    • B、硅
    • C、磷
    • D、锢

    正确答案:B

  • 第7题：

    砷化锌，砷化镓


    正确答案:2853009022

  • 第8题：

    三元催化器中的催化剂一般是（）贵重金属的混合物

    • A、铂（或钯）与铑
    • B、金（或铯）与铑
    • C、镉（或镓）与铂
    • D、铱（或镓）与铂

    正确答案:A

  • 第9题：

    常用的熔丝是由（）合金制成，其主要特点是（）低，在（）就能熔化。


    正确答案:锡铅；熔点；200-300℃。

  • 第10题：

    问答题
    简述砷化镓单晶的主要制备方法。

    正确答案： 一种是在石英管密封系统中装有砷源，通过调节砷源温度来控制系统中的砷压。这种方法包括水平舟区熔法、定向结晶法、温度梯度法、磁拉法和浮区熔炼法等。另一种是将熔体用某种液体覆盖，并在压力大于砷化镓离解压的气氛中合成拉晶，称为液体封闭直拉法。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    砷化镓相对于硅的优点是什么？

    正确答案： 砷化镓具有比硅更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动得比硅中的更快。砷化镓也有减小寄生电容和信号损耗的特性。这些特性使得集成电路的速度比由硅制成的电路更快。GaAs器件增进的信号速度允许它们在通信系统中响应高频微波信号并精确地把它们转换成电信号。硅基半导体速度太慢以至于不能响应微波频率。砷化镓的材料电阻率更大，这使得砷化镓衬底上制造的半导体器件之间很容易实现隔离，不会产生电学性能的损失。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。
    A

    改变禁带宽度；

    B

    产生复合中心；

    C

    产生空穴陷阱；

    D

    产生等电子陷阱。


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    镓砷磷是砷化镓和磷化镓的固溶体，是一种（）材料。


    正确答案:发光

  • 第14题：

    FET的主要材料是（）。

    • A、钢
    • B、硅
    • C、砷化镓
    • D、铝合金

    正确答案:C

  • 第15题：

    磷砷化镓数码管的工作电压为（）。

    • A、5V
    • B、20V
    • C、1.5V～3V

    正确答案:C

  • 第16题：

    发光二极管通常用砷化镓、磷化镓等半导体材料制成，它在通过正向电流时会发光，发光的颜色取决于所用的材料，可发出红、黄、绿及红外光等。（）


    正确答案:正确

  • 第17题：

    凡能形成分子间氢键的物质，其熔、沸点比同类物质的熔、沸点高。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    硅、锗、硒、砷化镓等介于导体与绝缘体之间的物体为半导体。


    正确答案:正确

  • 第19题：

    钆镓榴石密度大，几乎为钻石（）倍。

    • A、1
    • B、1.5
    • C、2
    • D、2.5

    正确答案:C

  • 第20题：

    .LED的制成原料包含（）。

    • A、锗化钾
    • B、砷化镓
    • C、磷化镓
    • D、氰化钾

    正确答案:B,C

  • 第21题：

    多选题
    .LED的制成原料包含（）。
    A

    锗化钾

    B

    砷化镓

    C

    磷化镓

    D

    氰化钾


    正确答案： D,C
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    砷化镓相对于硅的主要缺点是什么？

    正确答案： 主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    硅、锗、硒、砷化镓等介于导体与绝缘体之间的物体为半导体。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

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