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横波探头晶片尺寸一定时,K值与近场区长度的关系为()A、K值增大时,近场区长度不变B、K值增大时,近场区长度增大C、K值增大时,近场区长度减小D、K值与近场区长度无关

题目

横波探头晶片尺寸一定时,K值与近场区长度的关系为()

  • A、K值增大时,近场区长度不变
  • B、K值增大时,近场区长度增大
  • C、K值增大时,近场区长度减小
  • D、K值与近场区长度无关

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  • 第1题:

    横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。


    正确答案:正确

  • 第2题:

    探头的选择包括探头的型式、频率 、晶片尺寸和斜探头K值等


    正确答案:正确

  • 第3题:

    近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。


    正确答案:正确

  • 第4题:

    探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。


    正确答案:增大

  • 第5题:

    说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?


    正确答案: 超声场的指向角θ0和近场区长度N都是表示晶片辐射特性的重要参数,它们与晶片直径和波长(既频率)有关。当频率一定时,晶片尺寸大,指向角小,近场区长度大;反之则相反。在实际探伤中,应根据被测工件的具体情况合理选择频率和晶片尺寸。一般对薄工件选用频率低,晶片直径小的探头,可避免在近场区内探伤,对厚度大的工件选用频率高,晶片直径大的探头,有利于对远距离内较小缺陷的检测。

  • 第6题:

    探头晶片尺寸增加,近场区长度增加,对探伤不利。


    正确答案:正确

  • 第7题:

    问答题
    简述斜探头的K值与钢中近场区长度之间的关系。

    正确答案: 由于钢中横波折射角总大于有机玻璃中的纵波入射角,因此,斜探头晶片的有效面积Ae总是小于晶片的实际面积A,这样用相同尺寸的晶片制作的探头,K值越大,其近场区“N”值就越小。
    解析: 暂无解析

  • 第8题:

    判断题
    探头的选择包括探头的型式、频率、晶片尺寸、灵敏度余量和斜探头K值等。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    判断题
    横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    判断题
    斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    问答题
    探头晶片尺寸选择应考虑哪些因素?横波斜探头K值如何选择?

    正确答案: (1)探头晶片尺寸的选择应考虑:①晶片尺寸增加,半扩散角减少,波束指向性变好,超声波能量集中,对探伤有利;②晶片尺寸增加,近场区长度增加,对探伤不利;③晶片尺寸大,辐射的超声波能量大,发现远距离缺陷能力增强。(2)在横波探伤中,探头K值对探伤灵敏度、声束轴线的方向、一次波的声程(入射点至底面反射点的距离)有较大的影响。按照尽可能声束与缺陷垂直的原则,选择探头主要考虑所测试件的结构和厚度。一般工件厚度较小时,选用较大的K值,以便增加一次波的声程,避免近场区探伤。当工件厚度较大时,选用小K值,以减少声程过大引起的衰减,便于发现远区缺陷。
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    判断题
    同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。 

    • A、 增大
    • B、 不变
    • C、 减小
    • D、 都有可能

    正确答案:C

  • 第14题:

    近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而()。


    正确答案:变小

  • 第15题:

    简述斜探头的K值与钢中近场区长度之间的关系。


    正确答案: 由于钢中横波折射角总大于有机玻璃中的纵波入射角,因此,斜探头晶片的有效面积Ae总是小于晶片的实际面积A,这样用相同尺寸的晶片制作的探头,K值越大,其近场区“N”值就越小。

  • 第16题:

    斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。


    正确答案:正确

  • 第17题:

    探头晶片尺寸选择应考虑哪些因素?横波斜探头K值如何选择?


    正确答案: (1)探头晶片尺寸的选择应考虑:①晶片尺寸增加,半扩散角减少,波束指向性变好,超声波能量集中,对探伤有利;②晶片尺寸增加,近场区长度增加,对探伤不利;③晶片尺寸大,辐射的超声波能量大,发现远距离缺陷能力增强。(2)在横波探伤中,探头K值对探伤灵敏度、声束轴线的方向、一次波的声程(入射点至底面反射点的距离)有较大的影响。按照尽可能声束与缺陷垂直的原则,选择探头主要考虑所测试件的结构和厚度。一般工件厚度较小时,选用较大的K值,以便增加一次波的声程,避免近场区探伤。当工件厚度较大时,选用小K值,以减少声程过大引起的衰减,便于发现远区缺陷。

  • 第18题:

    问答题
    说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?

    正确答案: 超声场的指向角θ0和近场区长度N都是表示晶片辐射特性的重要参数,它们与晶片直径和波长(既频率)有关。当频率一定时,晶片尺寸大,指向角小,近场区长度大;反之则相反。在实际探伤中,应根据被测工件的具体情况合理选择频率和晶片尺寸。一般对薄工件选用频率低,晶片直径小的探头,可避免在近场区内探伤,对厚度大的工件选用频率高,晶片直径大的探头,有利于对远距离内较小缺陷的检测。
    解析: 暂无解析

  • 第19题:

    单选题
    斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。
    A

     增大

    B

     不变

    C

     减小

    D

     都有可能


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    单选题
    横波探头晶片尺寸一定时,K值与近场区长度的关系为()
    A

    K值增大时,近场区长度不变

    B

    K值增大时,近场区长度增大

    C

    K值增大时,近场区长度减小

    D

    K值与近场区长度无关


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    单选题
    探头的晶片尺寸增加对探头的()有不利影响。
    A

     声束的指向性

    B

     近场区长度

    C

     远距离缺陷检出能力

    D

     以上都是


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    填空题
    探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

    正确答案: 增大
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面探伤不利。
    A

    增加

    B

    减小

    C

    不变


    正确答案: A
    解析: 暂无解析