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SRAM记忆单元电路的工作原理是什么？它和DRAM记忆单元电路相比有何异同点？
题目
SRAM记忆单元电路的工作原理是什么？它和DRAM记忆单元电路相比有何异同点？
相似考题
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第1题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是
A．Ⅰ和Ⅱ
B．Ⅱ和Ⅲ
C．Ⅲ和Ⅳ
D．Ⅰ和Ⅳ
正确答案：D
解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。 -
第2题：
具有记忆功能的各类触发器是构成时序电路的基本单元。()
参考答案：正确
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第3题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，
①SRAM比DRAM存储电路简单
②SRAM比DRAM成本高
③SRAM比DRAM速度快
④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新
其中哪两个叙述是错误的?
A．①和②
B．②和③
C．③和④
D．①和④
正确答案：D
解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。 -
第4题：
PC中既使用ROM，也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中，错误的是( )。
A．ROM芯片掉电后，存放在芯片中的内容会丢失
B．PC中CMOS RAM中的信息，在PC关机后一般不会丢失
C．由于SRAM的速度比DRAM快，因此，在PC中，SRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由DRAM组成
D．DRAM的基本存储电路单元是单管动态存储电路，SRAM的基本存储电路单元是六管静态存储电路，因此，DRAM的集成度比SRAM的集成度高
正确答案：A
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第5题：
以下关于SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）的说法中，正确的是（ ）。
A.SRAM 的内容是不变的，DRAM 的内容是动态变化的
B.DRAM 断电时内容会丢失，SRAM 的内容断电后仍能保持记忆
C.SRAM 的内容是只读的，DRAM 的内容是可读可写的
D.SRAM 和DRAM 都是可读可写的，但DRAM 的内容需要定期刷新答案：D解析：静态随机访问存储器是随机访问存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。而动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。当断电时，SRAM和DRAM的数据都会消失。 -
第6题：
从原理上讲，DRAM与CPU连接比SRAM与CPU连接要增加哪些电路？它们的作用分别是什么？
正确答案:比起 SRAM，DRAM与CPU相连时需要多考虑两点，一是刷新， 二是行、列地址分时传送。 因为 DRAM内部的行地址和列地址是分别锁存的，所以应将行地址和列地址分时送出，增加了行/列多路器来完成此功能。由于需要刷新，所以用刷新多路器对CPU正常读/写的行地址和刷新用的行地址进行选择。刷新行地址是由刷新时钟对刷新计数器计数产生。 -
第7题：
SRAM与DRAM相比，前者的外围电路更复杂
正确答案:错误 -
第8题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂 ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢 ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。
- A、①和②
- B、②和③
- C、③和④
- D、①和④
正确答案:A -
第9题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新
- A、①和②
- B、②和③
- C、③和④
- D、①和④
正确答案:B -
第10题：
触发器是能够记忆一位二值量信息的基本逻辑单元电路。
正确答案:正确 -
第11题：
问答题SRAM记忆单元电路的工作原理是什么？它和DRAM记忆单元电路相比有何异同点？正确答案： SRAM记忆单元由6个MOS管组成，利用双稳态触发器来存储信息，可以对其进行读或写，只要电源不断电，信息将可保留。DRAM记忆单元可以由4个和单个MOS管组成，利用栅极电容存储信息，需要定时刷新。解析： 暂无解析 -
第12题：
单选题下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂 ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢 ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。A①和②
B②和③
C③和④
D①和④
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第13题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：
Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单
Ⅱ．DRAM比SRAM成本高
Ⅲ．DRAM比SRAM速度快
Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新
其中哪两个叙述是错误的?
A．Ⅰ和Ⅱ
B．Ⅱ和Ⅲ
C．Ⅲ和Ⅳ
D．Ⅰ和Ⅳ
正确答案：B
解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。 -
第14题：
DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。
正确答案：刷新或Refresh
刷新或Refresh 解析：本题考查DRAM的工作原理，它就是靠刷新来维持上面存储信息的。 -
第15题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中( )叙述是错误的。
①SRAM比DRAM存储电路简单
②SRAM比DRAM成本高
③SRAM比DRAM速度快
④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新
A．①和②
B．②和③
C．③和④
D．①和④
正确答案：D
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第16题：
以下表述正确的是（）。A.组合逻辑电路和时序逻辑电路都具有记忆能力。
B.组合逻辑电路和时序逻辑电路都没有记忆能力。
C.组合逻辑电路有记忆能力，而时序逻辑电路没有记忆能力。
D.组合逻辑电路没有记忆能力，而时序逻辑电路有记忆能力。答案：D解析： -
第17题：
关于基本门电路和触发器的下列说明中，正确的是（）
- A、基本的门电路有记忆功能，触发器无记忆功能
- B、基本的门电路无记忆功能，触发器有记忆功能
- C、基本的门电路有记忆功能，触发器有记忆功能
- D、基本的门电路无记忆功能，触发器无记忆功能
正确答案:B -
第18题：
SRAM比DRAM电路简单，集成度高，功耗低。
正确答案:错误 -
第19题：
试述DRAM的工作特点；与SRAM相比有什么长处和不足之处；说明它的使用场合。
正确答案: DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且一般不是行列地址复用的。
与SRAM相比，DRAM价格便宜、速度慢、容量大，主要用来做主存储器，存储程序和数据；而SRAM主要用在Cache等对速度要求高的情况。 -
第20题：
ZPW－2000A轨道电路调谐单元的原理是什么？
正确答案: 调谐单元分为1700HZ、2000HZ、2300HZ、2600HZ四种类型，用于相应频率的区段，各种调谐单元对本区段的频率呈现“极阻抗”，相当于开路，减少本区段信号的衰耗，对邻区段的频率呈现“零阻抗”，相当于短路，阻止邻区段信号进入本区段。 -
第21题：
SRAM由存储单元、地址译码电路、读写电路和控制电路组成。
正确答案:正确 -
第22题：
数码寄存器是“记忆”电路，所以它的基本单元必须是能“记忆”的元件。
正确答案:正确 -
第23题：
问答题试述DRAM的工作特点；与SRAM相比有什么长处和不足之处；说明它的使用场合。正确答案： DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且一般不是行列地址复用的。
与SRAM相比，DRAM价格便宜、速度慢、容量大，主要用来做主存储器，存储程序和数据；而SRAM主要用在Cache等对速度要求高的情况。解析： 暂无解析