锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）

第1题：

在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（）。

• A、0.1～0.3V
• B、0.4～0.5V
• C、0.6～0.8V
• D、0.9～1.0V

第2题：

二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）

第3题：

对于晶体二极管，下列说法不正确的是：（）

• A、正向电阻很小
• B、反向电阻很大
• C、正向电压大于死区电压时才能导通
• D、反向电压多大都不会导通

第4题：

在判断被测二极管是硅管还是锗管，一般情况下是通过测量（）来判断的。

• A、正向电阻
• B、正向电流
• C、反向电阻
• D、正向导通电压

第5题：

锗二极管正向导通电压应为（）。

• A、0.3v
• B、0.7v
• C、0v
• D、很大

第6题：

硅二极管的正向导通压降约为（）

• A、0.7V
• B、0.5V
• C、0.3V
• D、0.2V

第7题：

晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。

第8题：

二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。

第9题：

二极管当正向电压超过U_VD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。

第10题：

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。

第11题：

第12题：

第13题：

稳压二极管是利用（）情况下管子电流变化很大而电压基本不变的这一特性。

• A、反向导通
• B、正向导通
• C、大电流
• D、高电压

第14题：

开关二极管和普通二极管的导电特性相同，即加正向偏置电压导通，正向电阻很小；加反向偏置电压截止，（）电阻很大。

• A、正向
• B、同步
• C、反向
• D、同向

第15题：

要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。

第16题：

锗二极管正向导通电压为0.6～0.8V。

第17题：

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（）

第18题：

常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

第19题：

在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。

第20题：

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）

第21题：

在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。

第22题：

第23题：