关于突触前抑制的叙述,正确的是()。
第1题:
关于突触前抑制的叙述,正确的是( )。
A、突触前膜超极化
B、突触后膜超极化
C、突触前膜去极化
D、突触前膜释放抑制性递质
E、潜伏期较短
第2题:
关于突触前抑制的叙述,正确的是
A、突触前膜超级化
B、突触后膜超级化
C、突触前膜去极化
D、突触后膜去极化
E、没有神经递质参与
第3题:
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A.是局部去极化电位
B.具有"全或无"性质
C.是局部超极化电位
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
第4题:
第5题:
第6题:
关于突触前抑制的正确描述是()
第7题:
对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()
第8题:
是局部去极化电位
具有全或无性质
是局部超极化电位
由突触前膜递质释放量减少所致
是局部去极化电位
第9题:
突触前膜超极化
突触后膜超极化
突触前膜去极化
突触前膜释放抑制性递质
潜伏期较短
第10题:
突触前膜超极化
突触后膜超极化
突触前膜去极化
突触前膜释放抑制性递质
潜伏期较短
第11题:
突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位
突触前膜超极化,释放抑制性递质
突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少
突触前膜去极化,释放抑制性递质
第12题:
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A、是局部去极化电位
B、具有"全或无"性质
C、是局部超极化电位
D、由突触前膜递质释放量减少所致
E、是局部去极化电位
第13题:
关于突触前抑制的叙述,正确的是
A.突触前膜超极化
B.突触后膜超极化
C.突触前膜去极化
D.突触后膜去极化
E.没有神经递质参与
第14题:
第15题:
第16题:
关于突触后抑制正确的叙述有()
第17题:
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
第18题:
可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种
是由突触前末梢释放抑制性递质引起的
突触后膜产生IPSP
突触后膜产生EPSP
一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
第19题:
引起突触前膜部分的预先去极化
引起突触前膜动作电位幅度减小
引起突触前膜释放递质减少
引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小
引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大
第20题:
突触前膜超极化
突触后膜超极化
突触前膜去极化
突触后膜去极化
没有神经递质参与
第21题:
突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少
突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质
突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触
潜伏期短,持续时间短
可调节控制感觉信息的传入活动
第22题:
结构基础与突触前抑制不同
到达突触前末梢的动作电位频率高
有多个兴奋同时到达突触前末梢
进人突触前末梢内Ca2+增多
突触后膜有多个EPSP发生总和