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参考答案和解析
正确答案:C
更多“关于突触前抑制的叙述,正确的是()。”相关问题
  • 第1题:

    关于突触前抑制的叙述,正确的是( )。

    A、突触前膜超极化

    B、突触后膜超极化

    C、突触前膜去极化

    D、突触前膜释放抑制性递质

    E、潜伏期较短


    参考答案:C

  • 第2题:

    关于突触前抑制的叙述,正确的是

    A、突触前膜超级化

    B、突触后膜超级化

    C、突触前膜去极化

    D、突触后膜去极化

    E、没有神经递质参与


    参考答案:C

  • 第3题:

    下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB

    下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是

    A.是局部去极化电位

    B.具有"全或无"性质

    C.是局部超极化电位

    D.由突触前膜递质释放量减少所致

    E.由突触后膜对钠通透性增加所致


    正确答案:C

  • 第4题:

    以下有关突触后抑制的叙述,哪项是错误的:

    A.由抑制性突触的活动引起;
    B.突出后膜发生超极化
    C.兴奋性神经元不会引起突触后抑制
    D.突触前膜释放抑制性递质

    答案:C
    解析:

  • 第5题:

    关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是( )。

    A.
    B.突触后膜去极化
    C.突触后膜出现超极化
    D.突触后膜出现复极化
    E.以上都不是


    答案:C
    解析:
    突触后膜在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元的兴奋性下降,这种电位变化称为抑制性突触后电位。

  • 第6题:

    关于突触前抑制的正确描述是()

    • A、突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位
    • B、突触前膜超极化,释放抑制性递质
    • C、突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少
    • D、突触前膜去极化,释放抑制性递质

    正确答案:C

  • 第7题:

    对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()

    • A、突触前轴突末梢超极化
    • B、对Ca2+、K+通透性增大
    • C、突触后膜出现超极化
    • D、突触后膜去极化
    • E、突触前膜去极化

    正确答案:C

  • 第8题:

    单选题
    下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是()
    A

    是局部去极化电位

    B

    具有全或无性质

    C

    是局部超极化电位

    D

    由突触前膜递质释放量减少所致

    E

    是局部去极化电位


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第9题:

    单选题
    关于突触前抑制的叙述,正确的是()。
    A

    突触前膜超极化

    B

    突触后膜超极化

    C

    突触前膜去极化

    D

    突触前膜释放抑制性递质

    E

    潜伏期较短


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    单选题
    关于突触前抑制的论述,正确的是(  )。
    A

    突触前膜超极化

    B

    突触后膜超极化

    C

    突触前膜去极化

    D

    突触前膜释放抑制性递质

    E

    潜伏期较短


    正确答案: E
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    单选题
    关于突触前抑制的正确描述是()
    A

    突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位

    B

    突触前膜超极化,释放抑制性递质

    C

    突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少

    D

    突触前膜去极化,释放抑制性递质


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是

    A、是局部去极化电位

    B、具有"全或无"性质

    C、是局部超极化电位

    D、由突触前膜递质释放量减少所致

    E、是局部去极化电位


    参考答案:C

  • 第13题:

    关于突触前抑制的叙述,正确的是

    A.突触前膜超极化

    B.突触后膜超极化

    C.突触前膜去极化

    D.突触后膜去极化

    E.没有神经递质参与


    正确答案:C

  • 第14题:

    下列关于IPSP产生过程的叙述,哪一项是错误的?

    A. 突触前膜超极化
    B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
    C. 突触前膜释放抑制性递质
    D. 突触后膜对Cl-通透性增强
    E. Cl-内流产生IPSP

    答案:A
    解析:

  • 第15题:

    关于突触前易化的产生,下列哪一描述是正确的?


    A.结构基础与突触前抑制完全不同
    B.到达突触前末梢的动作电位频率高
    C.有多个兴奋同时到达突触前末梢
    D.进入突触前末梢内的增多

    答案:D
    解析:

  • 第16题:

    关于突触后抑制正确的叙述有()

    • A、可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种
    • B、是由突触前末梢释放抑制性递质引起的
    • C、突触后膜产生IPSP
    • D、突触后膜产生EPSP
    • E、一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制

    正确答案:A,B,C,E

  • 第17题:

    下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是

    • A、是局部除极化电位
    • B、具有"全或无"性质
    • C、是局部超极化电位
    • D、由突触前膜递质释放量减少所致
    • E、由突触后膜对钠通透性增加所致

    正确答案:C

  • 第18题:

    多选题
    关于突触后抑制正确的叙述有()
    A

    可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种

    B

    是由突触前末梢释放抑制性递质引起的

    C

    突触后膜产生IPSP

    D

    突触后膜产生EPSP

    E

    一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制


    正确答案: A,B
    解析: 暂无解析

  • 第19题:

    多选题
    下列有关突触前抑制的叙述,正确的是:()
    A

    引起突触前膜部分的预先去极化

    B

    引起突触前膜动作电位幅度减小

    C

    引起突触前膜释放递质减少

    D

    引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小

    E

    引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大


    正确答案: B,E
    解析: 暂无解析

  • 第20题:

    单选题
    关于突触前抑制的叙述,正确的是()
    A

    突触前膜超极化

    B

    突触后膜超极化

    C

    突触前膜去极化

    D

    突触后膜去极化

    E

    没有神经递质参与


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第21题:

    多选题
    下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()
    A

    突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少

    B

    突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质

    C

    突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触

    D

    潜伏期短,持续时间短

    E

    可调节控制感觉信息的传入活动


    正确答案: B,C
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    单选题
    关于突触前易化的产生,下列哪一描述是正确的?(  )
    A

    结构基础与突触前抑制不同

    B

    到达突触前末梢的动作电位频率高

    C

    有多个兴奋同时到达突触前末梢

    D

    进人突触前末梢内Ca2+增多

    E

    突触后膜有多个EPSP发生总和


    正确答案: C
    解析: 暂无解析