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兴奋性与抑制性突触后电位相同点是（）。A、突触后膜电位去极化B、递质使后膜对某些离子通透性改变的结果C、都可向远端不衰减传导D、都与后膜对钠离子通透性降低有关
题目
兴奋性与抑制性突触后电位相同点是（）。
- A、突触后膜电位去极化
- B、递质使后膜对某些离子通透性改变的结果
- C、都可向远端不衰减传导
- D、都与后膜对钠离子通透性降低有关
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第1题：
属于局部电位的是( )。
A．终板电位
B．兴奋性突触后电位
C．抑制性突触后电位
D．感受器电位
E．锋电位
正确答案：ABCD
-
第2题：
试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。
正确答案: 在刺激引起的反射发生过程中，中枢若产生兴奋过程则传出冲动增加；若发生抑制，则中枢原有的传出冲动减弱或停止。中枢部分的兴奋传播是通过兴奋性突触后电位实现的；而抑制性突触后电位的产生，则可带来中枢抑制。兴奋性突触后电位的产生过程如下：神经轴突的兴奋冲动可使神经末梢突触前膜兴奋并释放兴奋性递质，后者经突触间隙扩散并作用于突触后膜与特殊受体相结合，由此提高后膜对Na+、K+、Cl-，尤其是Na+的通透性，因Na+进入较多而膜电位降低，出现局部的去极化，这种短暂的局部去极化可呈现电紧张形式扩布，称兴奋性突触后电位（EPSP）。它通过总和作用可使膜电位绝对值降低至阈电位，从而在轴突始段产生扩布性动作电位，沿神经纤维传导，表现为突触后神经元兴奋。抑制性突触后电位产生过程如下：抑制性神经元兴奋，神经末梢释放抑制性递质，后者经过扩散与突触后膜受体结合，从而使后膜对K+、Cl-，尤其是Cl-的通透性提高；膜电位绝对值增大而出现超极化，即抑制性突触后电位。 -
第3题：
兴奋性与抑制性突触后电位相同点是（）
- A、突触后膜膜电位去极化
- B、是递质使后膜对某些离子通透性改变的结果
- C、都可向远端不衰减传导
- D、都与后膜对Na通透性降低有关
- E、突触后膜膜电位超极化
正确答案:B -
第4题：
试述兴奋性突触后后电位和抑制性突触后电位的特征。
正确答案: 兴奋性突触后电位是指兴奋从突触前传到突触后，引起突触后膜的去极化，并扩散到整个神经元细胞的电紧张电位。兴奋性突触后电位区别于动作电位的重要特征：其通道是配基门控，而动作电位是电压门控；兴奋性突触后电位的电位大小是一种分级电位，它具有空间总和和时间总和的作用而没有“全或无”的特征。
抑制性突触后电位传递过程和兴奋性突触后电位相似，不同的是兴奋从突触前传到突触后，引起突触后膜的超极化，使得突触后的神经元更难引发动作电位。与兴奋性突触后电位主要是Na离子的流入不同，抑制性突触后电位主要是Cl离子的流入所引起的，其电位大小不但和刺激强度有关，还和突触后神经元的膜电位有关。 -
第5题：
兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么？
正确答案:兴奋性突触后电位（EPSP）形成机制是：兴奋性递质作用于突触后膜上受体，提高后膜对Na+、K+，尤其对Na+通透性，Na+内流导致膜去极化，提高突触后神经元兴奋性。抑制性突触后电位（ISP）形成机制是：抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上Cl-通道开放，Cl-内流使膜电位发生超极化，降低了突触后神经元兴奋性。 -
第6题：
单选题兴奋性与抑制性突触后电位相同点是（）A突触后膜膜电位去极化
B递质使后膜对某些离子通透性改变的结果
C都可向远端不衰减传导
D突触后膜膜电位超极化
E都与后膜对Na+通透性降低有关
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题何谓兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位？兴奋如何通过突触传递使突触后神经元兴奋（兴奋在中枢通过突触传递的过程与机理）？正确答案： 兴奋性突触后电位（EPSP）是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称为兴奋性突触后电位。
抑制性突触后电位（IPSP）是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化称为抑制性突触后电位。
兴奋在中枢通过突触传递的过程与机理：突触前神经元兴奋→突触前膜去极化→前膜电压门控Ca2+通道开放→Ca2+内流→轴浆中形成4Ca2+-CaM复合物→CaM
kinaseⅡ→突触蛋白Ⅰ磷酸化并从突触小泡表面解离→突触蛋白Ⅰ对小泡与前膜融合和释放递质的阻碍作用解除→递质释放→递质在突触间隙扩散并结合于突触后膜受体或化学门控通道→ 后膜对某些离子通透性↑→突触后膜发生一定程度的去极化或超极化。nEPSP+nIPSP（总和）→突触后膜电位去极化→达到阈电位→轴突始段爆发动作电位，然后传遍整个细胞膜。解析： 暂无解析 -
第8题：
单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（）A兴奋性突触后电位和局部电位
B抑制性突触后电位和局部电位
C兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位
D兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位
E兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位分别是如何产生的？正确答案： 兴奋性突触后电位：突触前膜发生去极化→Ca2+内流→突触小泡的出胞→兴奋性递质释放→与后膜受体结合→引起Na+内流>K+外流→结果使后膜去极化→（或通过总和）达轴丘始段，触发产生动动作电位。抑制性突触后电位：如果释放递质为抑制性递质→进人突触间隙→经扩散作用于突触后膜上的特异性受体或化学门控通道→提高突触后膜对Cl-－、K+通透性（以Cl-通透性增加为主）→使突触后膜超极化（这一电位称为抑制性突触后电位，IPSP）→使后膜电位与阈电位的差距增大→轴丘始段不产生动作电位（即产生抑制效应）。解析： 暂无解析 -
第10题：
单选题下列哪项是兴奋性与抑制性突触后电位相同点？（ ）A都与后膜对Na＋通透性降低有关
B突触后膜膜电位去极化
C都可向远端不衰减传导
D是递质使后膜对某些离子通透性改变的结果
E突触后膜膜电位超极化
正确答案： B解析：
兴奋性与抑制性突触后电位相同点是递质使后膜对某些离子通透性改变，不同的是前者是Na＋、后者是Cl-，前者形成去极化，后者形成超极化。 -
第11题：
问答题试述兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位作用及原理？正确答案： （1）EPSP：突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化。
原理：兴奋性递质作用于突触后膜的相应受体，使递质门控通道开放，后膜对Na+和K+的通透性增大，并且由于Na+的内流大于K+外流，故发生净内向电流，导致细胞膜的局部去极化。
（2）IPSP：突触后膜在某种神经递质下产生局部超极化电位变化。
原理：抑制性中间神经元释放的抑制性递质作用于突出后膜，使后膜上的递质门控氯通道开放，引起外向电流，结果使突出后膜发生超极化。
作用：突出后膜上电位改变的总趋势决定于EPSP和IPSP的代数和。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题试述兴奋性突触后后电位和抑制性突触后电位的特征。正确答案： 兴奋性突触后电位是指兴奋从突触前传到突触后，引起突触后膜的去极化，并扩散到整个神经元细胞的电紧张电位。兴奋性突触后电位区别于动作电位的重要特征：其通道是配基门控，而动作电位是电压门控；兴奋性突触后电位的电位大小是一种分级电位，它具有空间总和和时间总和的作用而没有“全或无”的特征。
抑制性突触后电位传递过程和兴奋性突触后电位相似，不同的是兴奋从突触前传到突触后，引起突触后膜的超极化，使得突触后的神经元更难引发动作电位。与兴奋性突触后电位主要是Na离子的流入不同，抑制性突触后电位主要是Cl离子的流入所引起的，其电位大小不但和刺激强度有关，还和突触后神经元的膜电位有关。解析： 暂无解析 -
第13题：
突触前抑制是由于突触前膜A、产生抑制性突触后电位
B、释放抑制性递质
C、产生超极化
D、兴奋性递质释放减少
E、递质耗竭答案：D解析：通过改变突触前膜的活动，最终使突触后神经元兴奋性降低，从而引起抑制的现象叫做突触前抑制。机制是突触前膜被兴奋性递质去极化，使膜电位绝对值减少，当其发生兴奋时动作电位的幅度减少，释放的兴奋性递质减少，导致兴奋性突触后电位（EPSP）减少，表现为抑制。特点是抑制发生的部位是突触前膜，电位为去极化而不是超极化，潜伏期长，持续时间长 -
第14题：
试述兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位作用及原理？
正确答案: （1）EPSP：突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化。
原理：兴奋性递质作用于突触后膜的相应受体，使递质门控通道开放，后膜对Na+和K+的通透性增大，并且由于Na+的内流大于K+外流，故发生净内向电流，导致细胞膜的局部去极化。
（2）IPSP：突触后膜在某种神经递质下产生局部超极化电位变化。
原理：抑制性中间神经元释放的抑制性递质作用于突出后膜，使后膜上的递质门控氯通道开放，引起外向电流，结果使突出后膜发生超极化。
作用：突出后膜上电位改变的总趋势决定于EPSP和IPSP的代数和。 -
第15题：
兴奋性与抑制性突触后电位相同点是：（）
- A、突触后膜电位去极化；
- B、是递质使后膜对某些离子通透性改变的结果；
- C、都可向远端传导；
- D、都与后膜对钠离子通透性降低有关
正确答案:B -
第16题：
何谓兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位？兴奋如何通过突触传递使突触后神经元兴奋（兴奋在中枢通过突触传递的过程与机理）？
正确答案:兴奋性突触后电位（EPSP）是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称为兴奋性突触后电位。
抑制性突触后电位（IPSP）是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化称为抑制性突触后电位。
兴奋在中枢通过突触传递的过程与机理：突触前神经元兴奋→突触前膜去极化→前膜电压门控Ca2+通道开放→Ca2+内流→轴浆中形成4Ca2+-CaM复合物→CaM
kinaseⅡ→突触蛋白Ⅰ磷酸化并从突触小泡表面解离→突触蛋白Ⅰ对小泡与前膜融合和释放递质的阻碍作用解除→递质释放→递质在突触间隙扩散并结合于突触后膜受体或化学门控通道→ 后膜对某些离子通透性↑→突触后膜发生一定程度的去极化或超极化。nEPSP+nIPSP（总和）→突触后膜电位去极化→达到阈电位→轴突始段爆发动作电位，然后传遍整个细胞膜。 -
第17题：
下述哪些可降低麻醉作用（）
- A、使兴奋性突触后电位增加
- B、使抑制性突触后电位增加
- C、使兴奋性突触前膜去极化
- D、使抑制性突触前膜去极化
- E、使抑制性中间神经元兴奋性增加
正确答案:A,D -
第18题：
单选题兴奋性与抑制性突触后电位相同点是（）。A突触后膜电位去极化
B递质使后膜对某些离子通透性改变的结果
C都可向远端不衰减传导
D都与后膜对钠离子通透性降低有关
正确答案： A解析： [解析] 兴奋性与抑制性突触后电位相同点是递质使后膜对某些离子通透性改变的结果。 -
第19题：
单选题兴奋性与抑制性突触后电位相同点是：（）A突触后膜电位去极化；
B是递质使后膜对某些离子通透性改变的结果；
C都可向远端传导；
D都与后膜对钠离子通透性降低有关
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第20题：
单选题兴奋性与抑制性突触后电位相同点是（）A突触后膜膜电位去极化
B是递质使后膜对某些离子通透性改变的结果
C都可向远端不衰减传导
D都与后膜对Na通透性降低有关
E突触后膜膜电位超极化
正确答案： E解析： 兴奋性与抑制性突触后电位相同点是递质使后膜对某些离子通透性改变，不同的是前者是Na、后者是Cl，前者形成去极化，后者形成超极化。 -
第21题：
单选题关于棘慢复合波的产生机制，正确的是（ ）。A棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成
B棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成
C棘波是由抑制性突触后电位构成，慢波是由兴奋性突触后电位构成
D棘波是由兴奋性突触后电位构成，慢波是由抑制性突触后电位构成
E棘波、慢波是由突触前电位构成
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么？正确答案： 兴奋性突触后电位（EPSP）形成机制是：兴奋性递质作用于突触后膜上受体，提高后膜对Na+、K+，尤其对Na+通透性，Na+内流导致膜去极化，提高突触后神经元兴奋性。抑制性突触后电位（ISP）形成机制是：抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上Cl-通道开放，Cl-内流使膜电位发生超极化，降低了突触后神经元兴奋性。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。正确答案： 在刺激引起的反射发生过程中，中枢若产生兴奋过程则传出冲动增加；若发生抑制，则中枢原有的传出冲动减弱或停止。中枢部分的兴奋传播是通过兴奋性突触后电位实现的；而抑制性突触后电位的产生，则可带来中枢抑制。兴奋性突触后电位的产生过程如下：神经轴突的兴奋冲动可使神经末梢突触前膜兴奋并释放兴奋性递质，后者经突触间隙扩散并作用于突触后膜与特殊受体相结合，由此提高后膜对Na+、K+、Cl-，尤其是Na+的通透性，因Na+进入较多而膜电位降低，出现局部的去极化，这种短暂的局部去极化可呈现电紧张形式扩布，称兴奋性突触后电位（EPSP）。它通过总和作用可使膜电位绝对值降低至阈电位，从而在轴突始段产生扩布性动作电位，沿神经纤维传导，表现为突触后神经元兴奋。抑制性突触后电位产生过程如下：抑制性神经元兴奋，神经末梢释放抑制性递质，后者经过扩散与突触后膜受体结合，从而使后膜对K+、Cl-，尤其是Cl-的通透性提高；膜电位绝对值增大而出现超极化，即抑制性突触后电位。解析： 暂无解析