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无刷电动车中霍尔代换应注意什么？不同电机中的霍尔有何区别？
题目
无刷电动车中霍尔代换应注意什么？不同电机中的霍尔有何区别？
相似考题
参考答案和解析
正确答案:
首先看霍尔的排列顺序，有字的一面为正面，没字的一面为反而。如按正、正、正排列电机就是60度，如按正、反、正排列就是120度电机。要换最好全部换成同一型号的霍尔。焊接时要快、准，接线要按原来的顺序相接，不能搞错。无刷电机`一般分为120度和60度，带换的时间应看看以前霍耳是什么位置？如果在控制器也坏了的情况下可以换一个无霍耳控制器，那样不会太麻烦。
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第1题：
霍尔效应的原因是（）
- A、电流在磁场中受到洛仑兹力
- B、霍尔元件在磁场中感生出电动势
- C、霍尔元件在磁场中受到哥氏力
- D、霍尔元件在磁场中受到重力
正确答案:A -
第2题：
霍尔电势公式中的角θ是指（）。
- A、磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角
- B、磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角
- C、磁力线与霍尔薄片垂线之间的夹角
正确答案:C -
第3题：
磁敏电阻与磁敏三极管有哪些不同？与霍尔元件在本质上的区别是什么？
正确答案: 磁敏三极管有放大作用。
磁敏电阻和磁敏三极管不能辨别磁场的极性。 -
第4题：
霍尔元件能够测量哪些物理参数？霍尔元件的不等位电势的概念是什么？温度补偿的方法有哪几种？
正确答案: 霍尔元件可测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。
霍尔元件的不等位电势是霍尔元件在额定控制电流作用下，在无外加磁场时，两输出电极之间的空载电势，可用输出的电压表示。
温度补偿方法：1）分流电阻法：适用于恒流源供给控制电流的情况。2）电桥补偿法 -
第5题：
霍尔传感器适用于哪些场合？霍尔元件常用材料有哪些？各有什么特点？
正确答案: 霍尔传感器（霍尔元件和集成霍尔器件）具有结构简单、体积小、动态特性好和寿命长的优点，因此被广泛地应用于测量、自动控制及信息处理等领域。
目前常用的霍尔元件材料有：锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料，其中N型锗容易加工制造，其霍尔系数、温度性能和线性度都较好，应用最为普遍。 -
第6题：
制作霍尔元件应采用什么材料，为什么？为何霍尔元件都比较薄，而且长宽比一般为2：1？
正确答案:制作霍尔元件应采用半导体材料。如果磁场与薄片法线有α夹角，那么UH=kHIBcosα，霍尔元件越薄（即d越小），kH就越大，所以一般霍尔元件都很薄。又因为实际测量中UH=（kHIB/d）×f（l/b），当l/b=2时，f（l/b）=0.93为最大值，这时UH也可取到最大值，所以长宽比l/b一般为2：1。 -
第7题：
什么是霍尔电势？霍尔电势与哪些因素有关？
正确答案: 当一块半导体薄片置于磁场中有电流流过时，电子将受到洛伦兹力的作用而发生偏转，在半导体薄片的另外两端将产生霍尔电动势。
因素：控制电流、磁感应强度、薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度 -
第8题：
在霍尔发生器的工作中，触发叶轮进入永久磁体之间转动，每当叶片进入永久磁铁与霍尔元件之间的空气间隙时，霍尔集成电路中的磁场即被触发叶轮的叶片所旁路，这时霍尔发生器（）。
- A、产生霍尔电压，发生器无信号输出，集成电路放大器输出级截止，点火线圈的初级绕组中有电流通过。
- B、不产生霍尔电压，发生器有信号输出，集成电路放大器输出级导通，点火线圈的初级绕组中无电流通过。
- C、不产生霍尔电压，发生器无信号输出，集成电路放大器输出级导通，点火线圈的初级绕组中有电流通过。
- D、产生霍尔电压，发生器有信号输出，集成电路放大器输出级截止，点火线圈的初级绕组中无电流通过。
正确答案:C -
第9题：
霍尔压力变送器，全量程指示偏小，其原因是（）。
- A、霍尔元件卡住
- B、霍尔片变质
- C、无控制电流输入
正确答案:B -
第10题：
问答题什么是霍尔效应？影响霍尔电势的因素有哪些？正确答案： 当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象就是霍尔效应。
因素：控制电流、磁感应强度、薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度解析： 暂无解析 -
第11题：
单选题霍尔效应中，霍尔电势与（）A霍尔常数成正比
B霍尔常数成反比
C霍尔元件的厚度成正比
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题霍尔元件常用材料有哪些？为什么不用金属做霍尔元件材料？正确答案： 1）任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件。只有半导体材料适于制作霍尔元件。又因一般电子迁移率大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用N型半导体制造。
2）金属材料电子浓度虽然很高，但电阻率很小很小，使霍尔电势很小，因此不适于做霍尔元件材料。解析： 暂无解析 -
第13题：
什么是霍尔效应？霍尔元件的特点是什么？
正确答案: 霍尔效应是电流磁效应的一种。它是指当磁场垂直作用在有电流流过的固体元件上时，则在与电流方向和磁场方向都成直角的方向上将产生电动势，这种现象称为霍尔效应。霍尔元件的特点是输出信号电压（霍尔电压）与磁场强度成正比，并可判定磁场的极性。 -
第14题：
分组密码中的代换与置换的区别是什么？其中非线性函数与二者有何关系？
正确答案: 分组密码算法的安全策略中，用得最多的就是采用代换—置换网络，简称S—P网络，它是由S变换（代换）和P变换（置换或换位）交替进行多次迭代而形成的变换网络，这两个变换是分组密码中的基本构件，S变换（代换）又称为S盒变换，P变换（置换或换位）又称为P盒变换。S盒变换的作用是起到混乱的效果，P盒变换的作用是起到扩散的效果。
混乱：是指明文和密钥以及密文之间的统计关系尽可能复杂化，使破译者无法理出相互间的依赖关系，从而加强隐蔽性。
扩散：是指让明文中的每一位（包括密钥的每一位）直接或间接影响输出密文中的许多位，或者让密文中的每一位受制于输入明文以及密钥中的若干位，以便达到隐蔽明文的统计特性。轮变换的核心是f函数，它是非线性的，是每轮实现混乱和扩散的最关键的模块。即在这个非线性变换中，包含了混乱和扩散。 -
第15题：
什么叫霍尔效应、霍尔电势和霍尔元件？霍尔元件采用何种材料？由什么组成？霍尔元件能够测量哪些物理参数？霍尔元件的不等位电势的概念是什么？温度补偿的方法有哪几种？
正确答案:金属或半导体薄片置于磁场中，沿着垂直于磁场的方向通以电流，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应，所产生的电动势称为霍尔电势。基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件，霍尔元件多采用N型半导体材料。霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成。霍尔片是一块半导体单晶薄片（一般为4×2×0.1mm3），在它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。霍尔元件的壳体是用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。
霍尔元件可测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。
霍尔组件的不等位电势是霍尔组件在额定控制电流作用下，在无外加磁场时，两输出电极之间的空载电势，可用输出的电压表示。
温度补偿方法有分流电阻法和电桥补偿法。 -
第16题：
什么是霍尔效应？霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关？霍尔元件常采用什么材料？为什么？
正确答案: 通电的导体放在磁场中，电流方向与磁场方向垂直，在导体另外两侧会产生感应电动势，这种现象称为霍尔效应。
与输入电流I，磁感应强度B，霍尔元件的灵敏度系数KB有关。EB=KBIB 霍尔元件常采用半导体材料，因为半导体材料的电子迁移率μ和载流子浓度n适中。一般采用N型半导体。 -
第17题：
什么是霍尔效应？霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关？影响霍尔电势的因素有哪些？
正确答案: 当把一块金属或半导体薄片垂直放在磁感应强度为B的磁场中，沿着垂直于磁场方向通过电流，就会在薄片的另一对侧面间产生电动势UH，这种现象称为霍尔效应，所产生的电动势称为霍尔电动势。
霍尔电动势的大小正比于激励电流Ic与磁感应强度B，且当Ic或B的方向改变时，霍尔电动势UH的方向也随着改变，但当Ic和的B方向同时改变时霍尔电动势UH极性不变。
影响因素：电流的大小，载流子浓度，电子速度，薄片面积。 -
第18题：
在霍尔式传感器中，霍尔电势反比于磁场强度。
正确答案:错误 -
第19题：
什么是霍尔效应？影响霍尔电势的因素有哪些？
正确答案: 当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象就是霍尔效应。
因素：控制电流、磁感应强度、薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度 -
第20题：
（）直流测速发电机受温度变化的影响较小，输出变化小，斜率高，线性误差小，应用最多。
- A、电磁式
- B、他励式
- C、永磁式
- D、霍尔无刷式
正确答案:C -
第21题：
问答题制作霍尔元件应采用什么材料，为什么？为何霍尔元件都比较薄，而且长宽比一般为2：1？正确答案： 制作霍尔元件应采用半导体材料。如果磁场与薄片法线有α夹角，那么UH=kHIBcosα，霍尔元件越薄（即d越小），kH就越大，所以一般霍尔元件都很薄。又因为实际测量中UH=（kHIB/d）×f（l/b），当l/b=2时，f（l/b）=0.93为最大值，这时UH也可取到最大值，所以长宽比l/b一般为2：1。解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题在霍尔式压力传感器中，不影响霍尔系数大小的参数是（ ）。[2007年真题]A霍尔片的厚度
B霍尔元件材料的电阻率
C材料的载流子迁移率
D霍尔元件所处的环境温度
正确答案： D解析：
霍尔式压力传感器原理公式为：UH＝RHIB/δ。式中，RH为霍尔系数；I为电流；B为霍尔片的宽度；δ为霍尔片的厚度。霍尔系数为霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积，即RH＝μρ，表示霍尔效应的强弱，因此霍尔系数受霍尔元件材料的电阻率和材料的载流子迁移率的影响；半导体的载流子浓度与温度有关，故半导体的霍尔系数也受温度的影响。A项，霍尔片的厚度δ影响霍尔电压。 -
第23题：
单选题下列关于霍尔效应描述中，正确的是（）。A霍尔系数的大小反映了霍尔效应的强弱，由材料的物理性质决定
B霍尔系数越大，霍尔电势越小
C霍尔元件的厚度越大，霍尔电势越大
D磁场的磁感应强度越大，霍尔电势越小
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题分组密码中的代换与置换的区别是什么？其中非线性函数与二者有何关系？正确答案： 分组密码算法的安全策略中，用得最多的就是采用代换—置换网络，简称S—P网络，它是由S变换（代换）和P变换（置换或换位）交替进行多次迭代而形成的变换网络，这两个变换是分组密码中的基本构件，S变换（代换）又称为S盒变换，P变换（置换或换位）又称为P盒变换。S盒变换的作用是起到混乱的效果，P盒变换的作用是起到扩散的效果。
混乱：是指明文和密钥以及密文之间的统计关系尽可能复杂化，使破译者无法理出相互间的依赖关系，从而加强隐蔽性。
扩散：是指让明文中的每一位（包括密钥的每一位）直接或间接影响输出密文中的许多位，或者让密文中的每一位受制于输入明文以及密钥中的若干位，以便达到隐蔽明文的统计特性。轮变换的核心是f函数，它是非线性的，是每轮实现混乱和扩散的最关键的模块。即在这个非线性变换中，包含了混乱和扩散。解析： 暂无解析