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晶体管电路中极间电容和由于导线排列不合理引起的电容，都属于寄生电容。

题目

晶体管电路中极间电容和由于导线排列不合理引起的电容，都属于寄生电容。

相似考题

1.影响放大电路低频响应的主要因素为:()A、隔直耦合电容B、极间电容C、杂散电容

2.影响放大电路高频特性的主要因素是()。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体极间电容和分布电容的存在C、半导体的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适

3.在电阻、电感和电容的串联电路中，出现电（）和（）的现象叫串联谐振，在线圈和电容并联电路中，出现并联电路的（）与（）的现象叫并联谐振。

4.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适

更多“晶体管电路中极间电容和由于导线排列不合理引起的电容，都属于寄生电”相关问题

  • 第1题：

    脉冲电路的基本组成包括晶体管开关和电容电路。


    正确答案:错误

  • 第2题：

    集成运放是个高增益的多级放大器，由于晶体管的极间电容和（）等的影响，容易引起高频自激振荡。


    正确答案:分布电容

  • 第3题：

    集成运算是个高增益的多级放大器，由于晶体管的极间电容和（）等的影响。


    正确答案:分布电容

  • 第4题：

    放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。（）


    正确答案:错误

  • 第5题：

    正弦波振荡电路的频率应决定于选聘网络，而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。


    正确答案:正确

  • 第6题：

    影响放大电路高频特性的主要因素是（）

    • A、耦合电容和旁路电容的存在
    • B、放大电路的静态工作点不合适
    • C、半导体管的非线性特性
    • D、半导体管极间电容和分布电容的存在

    正确答案:D

  • 第7题：

    放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）

    • A、耦合电容和旁路电容的存在
    • B、半导体管极间电容和分布电容的存在
    • C、半导体管的非线性特性于
    • D、放大电路的静态工信点不合适

    正确答案:B

  • 第8题：

    放大电路的低频段，影响频率的主要原因是（）

    • A、级间耦合电容
    • B、发射极旁路电容
    • C、三极管极间电容

    正确答案:A,B

  • 第9题：

    在晶体管过压保护器中，影响延时时间的因素包括：（）

    • A、晶体管中采用何种半导体材料；
    • B、延时电路中电容的大小；
    • C、基准电压电路中稳压二极管的功率大小；
    • D、电压比较和触发电路中晶体管的放大倍数。

    正确答案:B

  • 第10题：

    填空题
    集成运算是个高增益的多级放大器，由于晶体管的极间电容和（）等的影响。

    正确答案： 分布电容
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    在电阻、电感和电容的串联电路中，出现电（）和（）的现象叫串联谐振，在线圈和电容并联电路中，出现并联电路的（）与（）的现象叫并联谐振。

    正确答案： 路端电压,总电流同相位,端电压,总电流同相位
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    集成NPN晶体管中的寄生电容有哪几种？

    正确答案： 寄生可分以下三类：
    ①与PN结有关的耗尽层势垒电容；
    ②与可动载流子在中性区的存储电荷有关的扩散电容；
    ③电极引线的延伸电极电容
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    （）和负载属于电路结构的基本组成。

    • A、电池，灯泡
    • B、电源，导线
    • C、电源，电池
    • D、电阻，电容

    正确答案:B

  • 第14题：

    动态随机存储器是利用（）来存储信息的。

    • A、 双稳态触发器
    • B、 极间电容
    • C、 磁层
    • D、 晶体管

    正确答案:B

  • 第15题：

    放大器引起反馈寄生振荡的内部反馈主要由于晶体管的（）产生的。

    • A、体电阻
    • B、输入电阻
    • C、输出电阻
    • D、极间电容

    正确答案:D

  • 第16题：

    在OCL电路中，引起交越失真的原因是（）

    • A、输入信号过大
    • B、晶体管输入特性的非线性
    • C、电路中有电容

    正确答案:C

  • 第17题：

    放大电路在信号的高频段时，放大倍数下降的原因是（）

    • A、耦合电容和旁路电路的存在
    • B、晶体管极间电容和分布电容的存在
    • C、晶体管非线性的影响
    • D、放大电路的静态工作点设置不合理

    正确答案:B

  • 第18题：

    放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（）。

    • A、耦合电容和旁路电容的影响
    • B、晶体管极间电容和分布电容的影响
    • C、晶体管的非线性特性
    • D、放大电路的静态工作点设置不合适

    正确答案:B

  • 第19题：

    放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是半导体管极间电容和分布电容的存在，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。

    • A、耦合电容和旁路电容的存在
    • B、半导体管极间电容和分布电容的存在
    • C、半导体管的非线性特性
    • D、放大电路的静态工作点不合适

    正确答案:A

  • 第20题：

    高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）

    • A、耦合电容和旁路电容的存在
    • B、半导体管极间电容和分布电容的存在
    • C、半导体管的非线性特性
    • D、放大电路的静态工作点不合适

    正确答案:B

  • 第21题：

    由于运算放大器内部极间电容和其他参数的影响，很容易产生（）。

    • A、漂移
    • B、回零
    • C、自激振荡
    • D、正反馈

    正确答案:C

  • 第22题：

    问答题
    MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？

    正确答案： MOSFET本征电容包括：栅-衬电容CGB；栅-源电容CGS；栅-漏电容CGDMOSFET寄生电容包括：栅-源、栅-漏覆盖电容；栅-衬底覆盖电容；源、漏区pn结势垒电容。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    动态随机存储器是利用（）来存储信息的。
    A

     双稳态触发器

    B

     极间电容

    C

     磁层

    D

     晶体管


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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