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在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，往往引入很多误差，这类试品主要是指（）。A、变压器B、耦合电容器C、电流互感器D、变压器套管

题目

在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，往往引入很多误差，这类试品主要是指（）。

  • A、变压器
  • B、耦合电容器
  • C、电流互感器
  • D、变压器套管
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1.CVT电容分压器电容量和介质损耗角tanδ的测量结果：电容量与出厂值比较其变化量超过-5%或10%时要引起注意，tanδ不应大于0.5%。此题为判断题(对，错)。

2.在绝缘试验时，通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。A对B错

3.CVT电容分压器电容量和介质损耗角tanδ的测量结果：电容量与出厂值比较其变化量超过-5%或10%时要引起注意，tanδ不应大于0.5%。

4.M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P，则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。A对B错

更多“在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，”相关问题

  • 第1题：

    在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？


    正确答案: 引入误差的主要因素有：
    ①表面污湿；
    ②电场干扰、磁场干扰；
    ③试验引线设置不当；
    ④气体条件；
    ⑤周围杂物等。

  • 第2题：

    试品绝缘表面脏污，受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品介损和电容量测量结果的影响程度是（）

    • A、试品电容量越大，影响越大
    • B、试品电容量越小，影响越小
    • C、试品电容量越小，影响越大
    • D、与试品电容量的大小无关

    正确答案:C

  • 第3题：

    分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？


    正确答案: 应特别注意的外界影响因素有：
    ①电力设备绝缘表面脏污。
    ②电场干扰和磁场干扰。
    ③试验引线的设置位置、长度。
    ④温度与湿度。
    ⑤周围环境杂物等。

  • 第4题：

    当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    在现场使用QS1交流电桥时，根据试品的大约电容量估算R3的值，若R3的值偏大很多时，电桥趋于平衡，则故障的原因可能是连接Cx的引线断线。


    正确答案:错误

  • 第6题：

    测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值，电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比，其差值应在（）范围内。


    正确答案:±5%

  • 第7题：

    在分析小电容量试品的介质损耗因素的测量结果时，应特别注意的外界因素是（）。

    • A、电力设备绝缘表面脏污
    • B、电场干扰和磁场干扰
    • C、试验引线的设置位置—长度
    • D、温度与湿度
    • E、周围环境杂物等

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第8题：

    测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，影响测试结果的因数包括（）。

    • A、温度、湿度的影响
    • B、电场干扰影响
    • C、外界磁场的影响
    • D、试品表面泄漏的影响

    正确答案:A,B,C,D

  • 第9题：

    简述测量小电容量试品绝缘电阻的操作步骤？


    正确答案: 测量小电容量试品绝缘电阻的操作步骤有：
    （1）把兆欧表放平；
    （2）E端钮接设备外壳（地）；
    （3）把L端钮引线接好；
    （4）驱动兆欧表；
    （5）检查兆欧表是否指零，再调指针至∞；
    （6）将L引线接至被试品；
    （7）读取绝缘电阻值。

  • 第10题：

    单选题
    用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用反接法（）。
    A

    可以试品一端接地

    B

    试品设在高压端

    C

    不适用于现场试验

    D

    操作方便


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    采用正接法测量介质损耗角正切值时的缺点是（）。
    A

    试品一端接地

    B

    试品设在高压端

    C

    不适用于现场试验

    D

    操作人员安全


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    试品绝缘表面脏污，受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品介损和电容量测量结果的影响程度是（）
    A

    试品电容量越大，影响越大

    B

    试品电容量越小，影响越小

    C

    试品电容量越小，影响越大

    D

    与试品电容量的大小无关


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。


    正确答案:错误

  • 第14题：

    在绝缘试验时，通过测量介质损耗角的正切值tanδ来检验介质损耗的大小。


    正确答案:正确

  • 第15题：

    M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P，则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    在进行较大电容量被试品的变频耐压试验时，应直接在被试品端部进行（）测量。

    • A、电压
    • B、电流
    • C、频率
    • D、波形

    正确答案:A

  • 第17题：

    试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。

    • A、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越大
    • B、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越小
    • C、试品电容量大小，对试品tgδ和C测量结果不影响
    • D、以上均不是

    正确答案:B

  • 第18题：

    试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）

    • A、试品电容量越大，影响越大
    • B、试品电容量越小，影响越小
    • C、试品电容量越小，影响越大
    • D、与试品电容量的大小无关

    正确答案:C

  • 第19题：

    测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。

    • A、试品电容量较大，影响较小
    • B、试品电容量较大，影响较大
    • C、与试品电容量无关

    正确答案:A

  • 第20题：

    用介损仪反接线测量小电容量试品（＜50PF）的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体（如梯子等）情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值（）。

    • A、大
    • B、相等
    • C、小
    • D、以上均不是

    正确答案:A

  • 第21题：

    有n个试品的介质损耗因数分别为tanδl、tanδ2、tanδ3、…、tanδn，若将它们并联在一起测得的总tanδ值必为tanδl、…、tanδn中的（）。

    • A、最大值
    • B、最小值
    • C、平均值
    • D、某介于最大值与最小值之间的值

    正确答案:D

  • 第22题：

    判断题
    M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P，则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）
    A

    试品电容量越大，影响越大

    B

    试品电容量越小，影响越小

    C

    试品电容量越小，影响越大

    D

    与试品电容量的大小无关


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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