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IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式

题目

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。

  • A、结构复杂
  • B、复合
  • C、全控型
  • D、电压驱动式
相似考题

1.在变频技术中,绝缘栅双极型晶体管的英文缩写是:()A.GTOB.MOSFETC.PICD.IGBT

2.绝缘栅双极型晶体管的简称是()。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT

3.绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。

4.IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管

更多“IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场”相关问题

  • 第1题：

    功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。

    • A、MOSFET功率场效应管
    • B、IGBT绝缘栅双极晶体管
    • C、GTR晶闸管
    • D、BJT双极型晶体管

    正确答案:C

  • 第2题：

    已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等


    正确答案:场效应

  • 第3题：

    MOS管的栅极可与双极型三极管的（）相对应。

    • A、基极
    • B、集电极
    • C、发射集
    • D、发射极或集电极

    正确答案:A

  • 第4题：

    双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ，因此（）就是由双极型半导体构成。


    正确答案:Cache

  • 第5题：

    IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。

    • A、绝缘栅场效应管
    • B、结型场效应管
    • C、绝缘栅双极晶体管
    • D、双极型功率晶体管

    正确答案:C

  • 第6题：

    绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。

    • A、“IGBT”
    • B、“BJT”
    • C、“GTO”
    • D、“MOSFET”

    正确答案:A

  • 第7题：

    请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。


    正确答案:GTR；GTO；MOSFET；IGBT；MOSFET；GTR

  • 第8题：

    填空题
    双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ，因此（）就是由双极型半导体构成。

    正确答案： Cache
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    多选题
    开关电源中常用的功率开关器件主要有（）
    A

    双极型晶体管BJT

    B

    快速晶闸管SCR

    C

    场效应管MOSFET

    D

    绝缘栅双极性晶体管IGBT


    正确答案： C,B
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

    正确答案： GTO
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

    正确答案： GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    MOS场效应管的英语缩写是（）。
    A

    “IGBT”

    B

    “BJT”

    C

    “GTO”

    D

    “MOSFET”


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    绝缘栅双极型晶体管简称（）。

    • A、MOSFET
    • B、IGBT
    • C、GTR
    • D、GTO

    正确答案:B

  • 第14题：

    绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。


    正确答案:电力晶体管

  • 第15题：

    MOS管的栅极与双极型三极管的相对应（）

    • A、基极
    • B、集电极
    • C、发射极
    • D、发射极或集电极

    正确答案:A

  • 第16题：

    TTL“与非”门电路是以（）为基本元件构成的。

    • A、双极型三极管
    • B、双极型绝缘栅
    • C、单极型三极管
    • D、单极型绝缘栅

    正确答案:A

  • 第17题：

    三极管按内部结构的不同，分为（）型。

    • A、TTL
    • B、CMOS
    • C、NPN
    • D、PNP
    • E、MOS

    正确答案:C,D

  • 第18题：

    MOS场效应管的英语缩写是（）。

    • A、“IGBT”
    • B、“BJT”
    • C、“GTO”
    • D、“MOSFET”

    正确答案:D

  • 第19题：

    请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。


    正确答案:GTR；GTO；MOSFET；IGBT；MOSFET；GTR

  • 第20题：

    问答题
    简述绝缘栅双极型晶体管IGBT的特点是什么？

    正确答案： IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    多选题
    绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（）器件。
    A

    相控型

    B

    全控型

    C

    电压控制型

    D

    复合型

    E

    双极型


    正确答案： E,A
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

    正确答案： GTR,GTO,MOSFET,IGBT,MOSFET,GTR
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。
    A

    “IGBT”

    B

    “BJT”

    C

    “GTO”

    D

    “MOSFET”


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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