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物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
题目
物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
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第1题：
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
正确答案: 简述其工作原理。淀积速率与蒸发材料温度腔体形状等因素有关。淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板，它可以在谐振频率下振荡，工作时测量其振荡频率。原理：因为晶体顶部有材料蒸发淀积，所外加的质量将使得频率偏移，由测得的频率移动可得出淀积速率。淀积足够厚的材料后，谐振频率会移动几个百分点，振荡器便会失效，不再出现尖锐谐振。将频率测量系统的输出与机械挡板的控制相连，淀积层厚度可以在很宽的淀积速率范围内得到很好的控制。同时可以将淀积厚度的时间速率变化反馈给坩埚的温度控制，以得到恒定的淀积速率。 -
第2题：
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
正确答案: 反应室类型热壁：反应室腔壁与硅片及支撑件同时加热。一般为电阻丝加热，可精确控制反应腔温度和均匀性。适合对温度控制要求苛刻的化学反应控制淀积系统，腔内各处都发生薄膜生长。冷壁：仅对硅片和支撑件加热，一般采用辐照加热和射频加热，升降温快速，但温度均匀性差，适合对温度要求不高的质量输运控制。冷壁系统能够降低在侧壁上的淀积，减小了反应剂的损耗，也减小壁上颗粒剥离对淀积薄膜质量的影响。 -
第3题：
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
正确答案:氧化；气相 -
第4题：
常用制备脂质体方法有哪些？并简述其中的薄膜分散法。
正确答案:制备脂质体的常用方法主要有：注入法、薄膜分散法、逆相蒸发法、冷冻干燥法、超声波分散法、高压乳匀法。其中薄膜分散法最常用，其制备过程主要为：将磷脂、胆固醇等类脂质及脂溶性药物溶于氯仿中，然后将氯仿溶液在玻璃瓶中旋转蒸发，使在瓶壁上形成薄膜；将水溶性药物溶于磷酸盐缓冲液中，加入烧瓶中不断搅拌，即得。 -
第5题：
PCI总线接口设计的两种基本方法是什么？对这两种方法做一个简单比较。
正确答案:PCI总线接口设计的两种基本方法是使用可编程逻辑器件和使用专用总线接口芯片。使用可编程逻辑器件设计PCI总线接口，设计灵活并可节省板卡面积，但要求设计者对PCI总线协议有比较深刻的理解。使用专用总线接口芯片，设计者不必仔细研究PCI总线协议，协议由芯片中的PCI总线接口实现，可将精力放在用户逻辑上。但是用这种方法设计出的板卡面积大，成本高。 -
第6题：
制备包合物常用的包合材料是什么？包合物的制备方法有哪些？
正确答案:制备包合物常用的包合材料是环糊精及其衍生物。
包合物的制备方法有：饱和水溶液法、研磨法、超声波法、冷冻干燥法、喷雾干燥法等。 -
第7题：
硫化染料常用的两种制备方法是什么？
正确答案:（1）熔融硫化法
（2）溶剂蒸煮硫化法 -
第8题：
问答题薄膜的物理制备方法是什么？正确答案： 主要以气相沉积方法为主，物理气相沉积PVD是指利用某种物理过程，如物质的热蒸发或者在受到粒子轰击时物质表面原子溅射等现象，实现原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。具有的特点：
（1）需要使用固态或者熔融态的物质作为薄膜沉积的源物资。
（2）源物质经过物理过程进入环境。
（3）需要相对较低的气体压力环境。
（4）在气相中及在衬底表面并不发生化学反应。包含：蒸镀，溅射沉积，离子镀和例子束沉积。解析： 暂无解析 -
第9题：
名词解释题物理气相淀积（pvd）正确答案： 利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底表面上，并淀积成薄膜。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题简述淀积膜的过程的三种不同阶段正确答案： （1）晶核形成，成束的稳定小晶核形成
（2）聚集成束，也称为岛生长
（3）形成连续的膜解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简述化学气相淀积的概念？正确答案： 化学气相淀积（CVD）是通过混合气体的化学反应生成固体反应物并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺。反应产生的其他副产物为挥发性气体，离开硅片表面并被抽出反应腔。硅片表面及其邻近的区域被加热以向反应系统提供附加的能量。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题MRP两种计划重排方法分别是什么？请简要概述这两种方法。正确答案： 全重排法：又称再生法，就是MRP传统做法，它是建立在计划日程全面重排想法之上的。净改变法：只对主生产计划中因改变而受到影响的那些物料需求进行分解处理。解析： 暂无解析 -
第13题：
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
正确答案:含有硅的化合物 -
第14题：
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
正确答案: CVD过程包括两个部分：一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应 存在两种极限情况：①hg>>ks，Cs趋于Cg，淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量：主气流输运到硅片表面的﹥表面化学反应所需要的②hg< -
第15题：
普通混凝土配合比设计的两种基本方法是？这两种设计方法的基本含义是什么？
正确答案: ①绝对体积法②假定容重法。这两种设计方法的基本含义是：①绝对体积法是按照砼混合料单位体积等于各组成材料的绝对体积之和的原则来设计的②假定容重法就是假定砼拌合物的容重（湿重），来计算各原材料的用量 -
第16题：
逐点比较法的插补方法中，终点判断用哪两种方法？这两种方法主要区别是什么？
正确答案: 比较法的插补方法中，终点判断用两种方法：
（1）双坐标计数法。将两坐标方向进给的步数之和，预先置入计数器J中，每进给一步，则J-1，当J-1=0时，表明动点到达运动终点，该段曲线插补结束。此种方法多用于国内的数控机床。
（2）单坐标计数法。将某一坐标方向进给的步数，预先置入计数器J中，每进给一步，则J-1，当J-1=0时，表明动点到达运动终点，该段曲线插补结束。此种方法多用于国内的数控线切割机床中。 -
第17题：
简述如何使用“诉诸理性”与“诉诸感情”这两种方法。
正确答案: ①两种方法的有效性是因人、因事、因时而异的，有些问题只能靠诉诸理性的方法来解决，有些问题采取诉诸感情的方法更有效。
②而在日常的思想教育活动中，将两者结合起来的“动之以情，晓之以理”的方法则更能收到良好的效果。
③另外由于每个人的性格、经历、文化水平不同，其行动受理性和感情支配的程度也有明显的差异。有些人易于于接受道理的说服，另一些人则更容易受情绪或气氛的感染。
④无论使用哪种方法，正确把握问题的性质并充分了解说服的对象，乃是取得良好效果的基本前提。 -
第18题：
有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
正确答案: 常压化学气相淀积（APCVD.，
低压化学气相淀积（LPCVD.，
等离子体辅助CVD。 -
第19题：
填空题物理气相沉积薄膜的方法主要有（）、（）和（）三种。正确答案： 真空蒸发镀,溅射镀,离子镀解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题物理气相淀积主要有哪三种技术？正确答案： 蒸镀、溅射、分子束外延生长解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？正确答案： ①晶体生长或成膜的质量好；②淀积温度低，便于控制；③可使淀积衬底的表面积扩大，提高淀积效率。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的？正确答案： （1）参加反应的气体混合物被输运到沉积区；
（2）反应物由主气流扩散到衬底表面；
（3）反应物分钟吸附在衬底表面上；
（4）吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生化学反应，生成原子和化学反应副产物，原子沿衬底表面迁移并形成薄膜；
（5）反应副产物分子从衬底表面解吸。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题普通混凝土配合比设计的两种基本方法是？这两种设计方法的基本含义是什么？正确答案： ①绝对体积法②假定容重法。这两种设计方法的基本含义是：①绝对体积法是按照砼混合料单位体积等于各组成材料的绝对体积之和的原则来设计的②假定容重法就是假定砼拌合物的容重（湿重），来计算各原材料的用量解析： 暂无解析