物理气相淀积最基本的两种方法是什么?简述这两种方法制备薄膜的过程。
第1题:
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?
第2题:
对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
第3题:
二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
第4题:
常用制备脂质体方法有哪些?并简述其中的薄膜分散法。
第5题:
PCI总线接口设计的两种基本方法是什么?对这两种方法做一个简单比较。
第6题:
制备包合物常用的包合材料是什么?包合物的制备方法有哪些?
第7题:
硫化染料常用的两种制备方法是什么?
第8题:
第9题:
第10题:
第11题:
第12题:
第13题:
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。
第14题:
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?
第15题:
普通混凝土配合比设计的两种基本方法是?这两种设计方法的基本含义是什么?
第16题:
逐点比较法的插补方法中,终点判断用哪两种方法?这两种方法主要区别是什么?
第17题:
简述如何使用“诉诸理性”与“诉诸感情”这两种方法。
第18题:
有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?
第19题:
第20题:
第21题:
第22题:
第23题: