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禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

题目

禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

相似考题

1.N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。()此题为判断题(对，错)。

2.若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()

3.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底

4.由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。()此题为判断题(对，错)。

参考答案和解析
正确答案:电子从价带跳到导带
更多“禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。”相关问题

  • 第1题：

    N型半导体中多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。


    正确答案:错误

  • 第2题：

    N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。


    正确答案:错误

  • 第3题：

    N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。


    正确答案:五；自由电子；空穴；正

  • 第4题：

    半导体材料导电能力的大小，由半导体内载流子的数目决定。


    正确答案:正确

  • 第5题：

    半导体中有（）和（）两种载流子参与导电，其中（）带正电，而（）带负电。


    正确答案:自由电子；空穴；空穴；自由电子

  • 第6题：

    p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。

    • A、满带中
    • B、导带中
    • C、禁带中，但接近满带顶
    • D、禁带中，但接近导带底

    正确答案:C

  • 第7题：

    N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    单选题
    半导体中施主能级的位置位于（）。
    A

    禁带

    B

    满带

    C

    导带

    D

    价带


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    半导体中受主能级的位置位于（）中。
    A

    禁带

    B

    价带

    C

    导带

    D

    满带


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

    正确答案： 这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    判断题
    由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。

    正确答案： 重掺杂后杂质原子间出现轨道交叠，产生能级分裂，扩展为杂质能带，杂质能带中的电子可以在杂质原子间作共有化运动，杂质的电离能减小，杂质能带的带尾进入导带或价带，使电离能变为零，引起禁带变窄。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。

    • A、越不容易受
    • B、越容易受
    • C、基本不受

    正确答案:A

  • 第14题：

    与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。

    • A、导带也是空带
    • B、满带与导带重合
    • C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子
    • D、禁带宽度较窄

    正确答案:D

  • 第15题：

    半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。


    正确答案:带隙

  • 第16题：

    由于P型半导体中的多数载流子是空穴，所以P型半导体带正电。（）


    正确答案:错误

  • 第17题：

    由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    P型半导体和N型半导体中都有载流子，但就半导体器件本身都是（）

    • A、不带电的
    • B、带正点的
    • C、带负电的

    正确答案:A

  • 第19题：

    单选题
    材料的禁带宽度，最大的是（）
    A

    金属；

    B

    杂质半导体；

    C

    绝缘体；

    D

    本征半导体；


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    单选题
    半导体中施主能级的位置位于（）中。
    A

    禁带

    B

    价带

    C

    导带

    D

    满带


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    掺杂型探测器是由（）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。
    A

    禁带

    B

    分子

    C

    粒子

    D

    能带


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。
    A

    价带，导带

    B

    价带，禁带

    C

    禁带，导带

    D

    导带，价带


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。

    正确答案： 空穴,升高
    解析： 暂无解析

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