niusouti.com
简述MOSFET的两个电场。
题目
简述MOSFET的两个电场。
相似考题
参考答案和解析
正确答案:MOSFET的中心是由栅极、绝缘膜、半导体构成了一个MIS结构。两边由源漏电极与半导体材料形成了pn结。在栅极与半导体衬底之间加电压，在Si/SiO2界面垂直方向上将形成垂直的电场。在源漏电极之间加电压，在p+/n/p+水平方向上将形成水平的电场。
更多“简述MOSFET的两个电场。”相关问题
-
第1题：
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFET
B、MOSFET驱动的GTR
C、MOSFET驱动的晶闸管
D、MOSFET驱动的GT0
参考答案：B
-
第2题：
点电荷+q和点电荷-q相距30cm，那么，在由它们构成的静电场中：A．电场强度处处相等
B．在两个点电荷连线的中点位置，电场力为零
C．电场方向总是从+q指向-q
D．位于两个点电荷连线的中点位置上，带负电的可移动体将向-q处移动答案：C解析：电场强度不可能处处相等；两个等量异号电荷连线中点处的电场力不为零；在两个点电荷连线中点上若有带负电的可移动体应向+q处移动。@niutk -
第3题：
电场中的两个等势面永远不会相交
正确答案:正确 -
第4题：
MOSFET属于双极型器件。
正确答案:错误 -
第5题：
MOSFET所代表的电气元件是（）
正确答案:金属-氧化物-半导体场效应管 -
第6题：
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。
- A、GTR驱动的MOSFET
- B、MOSFET驱动的GTR
- C、MOSFET驱动的晶闸管
- D、MOSFET驱动的GTO
正确答案:B -
第7题：
简述电场偏转式CRT中波形显示的原理。
正确答案:典型的示波器利用阴极射线示波管CRT作为显示器，CRT是示波器的重要组成部分，其作用就是把电信号转换为光信号而加以显示。其构造与电视机显像管相同，主要由电子枪、偏转系统和荧光屏三大部分组成，三大部分均封装在密闭呈真空的玻璃壳内。CRT显示器在专用显示处理器控制下，对显示VRAM刷新，显示与波形对应的各像素。 -
第8题：
电力场效应管（MOSFET）是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于（）。
正确答案:电压控制原件 -
第9题：
问答题简述均匀电场，非均匀电场击穿的分散性。正确答案： 气体：在均匀电场和稍不均匀电场中，各种形式电压的击穿电压分散性不大；在极不均匀电场中，直流电压的击穿电压的极性效应较明显，工频电压的击穿电压分散性不大，冲击电压的击穿电压分散性较大。
液体：根据小桥理论，电场不均匀程度增加，液体电介质的击穿电压分散性减小。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题电子导体形成的自然电场称为“氧化-还原”电场，简述其形成条件。正确答案： 当地地下水潜水面要切割电子导体，使之形成电子导体上部为氧化环境，下部形成还原环境，有由于电子导体上、下部环境的不同形成自然极化，产生氧 化-还原电动势。解析： 暂无解析 -
第11题：
单选题对称四极电阻率测深法的电场属于（）A一个点电源的电场
B两个异性点电源的电场
C三个点电源的电场
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题简述扩散电场的原理？正确答案： 两种不同浓度或成分的水溶液相接触时，便会发生扩散现象，溶液之间形成离子的迁移，但不同离子的迁移速度不同，结果使两种不同浓度的溶液中，分别含有过量的正离子或负离子，形成电动势，这种电场称为扩散电场。
例子：当岩层中含氯化钠的水溶液的浓度相差很大时，溶液中Cl-与Na+将向浓度小的溶液一方移动，由于Cl-的迁移率大于Na+，因而在浓度小的一侧Cl-数较Na+多，获得负电位，另一侧为正电位，形成扩散电场。解析： 暂无解析 -
第13题：
简述单纯电场和电晕电场的优缺点。
正确答案：(1)单纯静电场(优点)：使导体颗粒脱离圆筒极后感应带电，吸向偏转电极，即产生提升效应，因此能扩大导体颗粒和非导体颗粒的轨迹差。(缺点)：非导体颗粒不能感应获得电荷，只能极化，极化产生的电性弱，所受电场力小，较易进入导体产品中。(2)电晕电场(优点)：非导体颗粒通过电晕电场可获得大量与接触电极符号相反的电荷，离开电晕场后仍保留大量剩余电荷，所受电场力大，不易在离心作用下进入导体产品中。(缺点)：导体颗粒：尤其较细的导体颗粒获得的电荷少，所受电场力小，容易混入非导体产品中。
-
第14题：
点电荷+q和点电荷-q相距30cm,那么，在由它们构成的静电场中（ ）。
A.电场强度处处相等
B.在两个点电荷连线的中点位置，电场力为零
C.电场方向总是从+q指向-q
D.位于两个点电荷连线的中点位置上，带负电的可移动体将向-9q处移动答案：C解析：
提示：电场强度不可能处处相等；两个等量异号电荷连线中点批的电场力不为零; 在两个点电荷连线中点上若有带负电的可移动体应向+q处移动 -
第15题：
风电场选址基本步骤有哪两个？
正确答案: 选址一般分预选和定点两个步骤。预选是从10万km的大面积上进行分析，筛选出1万km较合适的中尺度区域，再进行考察选出100km的小尺度区域，该区满足在经验上看是可以利用的，且有一定的可用面积。然后收集气象资料，并设几个点观测风速；定点是在风速资料观测的基础上，进行风能潜力的估计，作出可行性的评价，最后确定风力机的最佳布局。 -
第16题：
简述功率MOSFET的特性。
正确答案: 功率场效应管是用栅极电压来控制漏极电流的，因此同双极型晶体管相比，功率MOSFET具有两个显著的特点：一个是驱动电路简单，驱动功率小；另一个是开关速度快、工作频率高。另外，其热稳定性也优于双极型晶体管。 -
第17题：
简述风力发电场的定义。
正确答案: 风力发电场是将多台并网型风力发电机组安装在风力资源好的场地，按照地形和主风向排成阵列，组成机群向电网供电，简称风电场。 -
第18题：
简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。
正确答案:（1）门极电压最高绝对值小于20V
（2）门极阈值电压为2.5~5V
（3）用小内阻的驱动源，以保证U（GE）有足够陡的前沿
（4）驱动正电平的选择：U（GE）越高，通态与开关损耗越小，但短路电流越大，一般取12~15V
（5）关断过程中为了加快关断速度，一般取U（GE）为－5~－10V
（6）门极电阻对开关速度影响很大，门极电阻越大，开关损耗越大，门极电阻越小，关断尖峰电压越高（应取合适值）
（7）控制电路与驱动电路应隔离
（8）简单实用，有保护，抗干扰强 -
第19题：
简述电场系统中占容比的定义
正确答案: 占容比：高电平所占周期时间与整个周期时间的比值
-
第20题：
问答题简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。正确答案： （1）门极电压最高绝对值小于20V
（2）门极阈值电压为2.5~5V
（3）用小内阻的驱动源，以保证U（GE）有足够陡的前沿
（4）驱动正电平的选择：U（GE）越高，通态与开关损耗越小，但短路电流越大，一般取12~15V
（5）关断过程中为了加快关断速度，一般取U（GE）为－5~－10V
（6）门极电阻对开关速度影响很大，门极电阻越大，开关损耗越大，门极电阻越小，关断尖峰电压越高（应取合适值）
（7）控制电路与驱动电路应隔离
（8）简单实用，有保护，抗干扰强解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题简述均匀电场与不均匀电场的划分。正确答案： 以最大场强与平均场强之比来划分。解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。正确答案： 沟道夹断,载流子漂移速度的饱和解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题简述电场处理保鲜原理。正确答案： 在高压电场作用下，产生空气离子、臭氧和离子水，它们具有活性。
臭氧保鲜作用体现在3个方面：第一，消除并抑制乙烯的产生，从而抑制水果的后熟作用；第二，有一定的杀菌作用，可防止水果霉变腐烂；第三，诱导水果表皮的毛孔收缩，可降低水果的水分蒸发，减少失重。
空气离子：离子化的气体能维持细胞的膨压，可防止农产品失水萎焉；具有一定的抑菌效果。 离子水：能抑制霉菌孢子生长，使农产品呼吸作用减弱，但对农产品有一定伤害。解析： 暂无解析