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简述5次光刻的工艺流程。
题目
简述5次光刻的工艺流程。
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第1题：
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
正确答案: 在光栅扫描方法中，每一个像素必须被逐次扫描。这样，曝光时间几乎与图形无关，图形就是通过打开和关闭快门写出来的。而已经开发出来的另一种矢量扫描方法，是将每个需要曝光区域的数字位置传送给x，y数/模转换器（DAC.，电子束只指向那些需要曝光的像素。矢量扫描系统优于光栅法的重要优点在于将电子束偏转时间减到最小，另一方面，图形地址精度简单的取决于数字的字长，使用高速宽字长DAC就能够将每个像素放在一个极细小的格点上。 -
第2题：
简述4次光刻的工艺流程。
正确答案:栅极→a-Si：H有源岛、源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极 -
第3题：
简述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用。
正确答案:O2灰化是在4层CVD之后阻挡层i/sSiNx膜的上面进行氧气O2等离子体处理，把表面具有亲水性的i/sSiN薄膜变成疏水性的SiOx薄膜，增强与光刻胶的附着性。 -
第4题：
识读工艺流程图的先后次序为（）
- A、工艺流程，标题栏，流程简述
- B、标题栏，工艺流程，流程简述
- C、标题栏，流程简述，工艺流程
- D、流程简述，工艺流程，标题栏
正确答案:C -
第5题：
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
②对比度好；
③敏感度好；
④粘滞性好；
⑤粘附性好；
⑥抗蚀性好；
⑦颗粒少。解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题简述光刻的工艺过程。正确答案： 光刻工序：光刻胶的涂覆→爆光→显影→刻蚀→去胶。光刻的基本要素是掩模板和光刻胶。
（1）涂胶：将光刻胶涂在硅片上。
（2）曝光：将掩模版覆盖在硅片上方，在特定波长的光线下曝光一段时间。
（3）显影：将硅片浸没在显影液中进行显影。
（4）腐蚀：采用干法刻蚀或湿法腐蚀，利用刻蚀或腐蚀的选择性，在窗口中暴露出来的基片上形成图形。
（5）去胶：去除残留的光刻胶。解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题简述光刻的主要参数正确答案： 在光刻工艺中，主要的参数有特征尺寸、分辨率、套准精度和工艺宽容度等。
1. 特征尺寸
特征尺寸一般指的是MOS管的最小栅长。
2. 分辨率
分辨率是指将晶圆上两个邻近的特征图形区分开来的能力。
3. 套准精度
光刻工艺要求晶圆表面上存在的图案与掩膜板上的图形精确对准，这种特性指标就是套准精度。
4. 工艺宽容度
工艺宽容度指的是光刻工艺能始终如一地处理符合特定要求产品的能力。解析： 暂无解析 -
第8题：
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题简述光刻工艺3个主要过程正确答案： 光刻胶涂敷、曝光和显影解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。正确答案： 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩模版和光刻胶膜的损伤。
采用接触式光刻很难得到没有缺陷的超大规模集成电路芯片，所以接触式光刻技术一般只适用于中小规模集成电路。
接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙（10~25um），可以大大减小掩膜版的损伤。分辨率较低，一般在2~4微米之间，因此接近式光刻机只能装配在特征尺寸交大的集成电路生产线中。
投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式。解析： 暂无解析 -
第11题：
单选题识读工艺流程图的先后次序为（）A工艺流程，标题栏，流程简述
B标题栏，工艺流程，流程简述
C标题栏，流程简述，工艺流程
D流程简述，工艺流程，标题栏
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？正确答案： P阱光刻，光刻有源区，光刻多晶硅，P+区光刻，N+区光刻，光刻接触孔，光刻铝线解析： 暂无解析 -
第13题：
简述光刻工艺流程。
正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗 -
第14题：
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。 -
第15题：
简述光盘制作的光刻。
正确答案: 光刻实际上是将CD-R盘上的数据，记录在玻璃盘上的过程。这种方法是将感光性树脂用于一个经特殊处理的玻璃基片上，以制出一个玻璃主片。光刻过程是把一片涂有光敏电阻的玻璃盘放在旋转平台上进行的。激光源发出的激光束通过激光调制器时受到串行数据的控制。 -
第16题：
问答题简述光刻胶的成分特征。正确答案： 光学光刻胶通常包含有三种成份：
①聚合物材料（也称为树脂）：聚合物材料在光的辐照下不发生化学反应，其主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，同时也决定了光刻胶薄膜的其它一些持性（如光刻胶的膜厚、弹性和热稳定性）。
②感光材料：感光材料一般为复合物（简称PAC或感光剂）。感光剂在受光辐照之后会发生化学反应。正胶的感光剂在未曝光区域起抑制溶解的作用，可以减慢光刻胶在显影液中的溶解速度。在正性光刻胶暴露于光线时有化学反应发生，使抑制剂变成了感光剂，从而增加了胶的溶解速率。
③溶剂（如丙二醇一甲基乙醚，简称PGME）：溶剂的作用是可以控制光刻胶机械性能（例如基体黏滞性），并使其在被涂到硅片表面之前保持为液态。解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题简述有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域。正确答案： 光刻区，刻蚀区和离子注入区解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题简述光刻工艺步骤。正确答案： 涂光刻胶，曝光，显影，腐蚀，去光刻胶。解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题列出光刻工艺的十个步骤，并简述每一步的目的。正确答案： ①表面准备：清洁和干燥晶圆表面
②涂光刻胶：在晶圆表面均匀涂抹一薄层光刻胶
③软烘培：加热，部分蒸发光刻胶溶剂
④对准和曝光：掩膜版和图形在晶圆上精确对准和光刻胶的曝光，负胶是聚合物
⑤显影：非聚合光刻胶的去除
⑥硬烘培：对溶剂的继续蒸发
⑦显影目捡：检查表面的对准情况和缺陷情况
⑧刻蚀：将晶圆顶层通过光刻胶的开口去除
⑨光刻胶的去除：将晶圆上的光刻胶层去除
⑩最终目检：表面检查以发现刻蚀的不规则和其他问题解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题简述光刻工艺的8个基本步骤。正确答案： ①气相成底膜；
②旋转涂胶；
③软烘；
④对准和曝光；
⑤曝光后烘培（PEB）；
⑥显影；
⑦坚膜烘培；
⑧显影检查。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题简述正性光刻和负性光刻的概念？优缺点？正确答案： •正性光刻是把与掩膜版上相同的图形复制到晶圆上。
•负性光刻是把与掩膜版上图形相反的图形复制到晶圆表面。
正性光刻
优点：较高的固有分辨率、较强的抗干法腐蚀能力、抗热处理能力、良好的台阶覆盖
缺点：粘附性差、抗湿法腐蚀能力差、成本高
负性光刻：
优点：对环境因素不灵敏、很高的感光速度、极好的粘附性和腐蚀能力、成本低
缺点：分辨率较低解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题简述光刻的目的？正确答案： 光刻的主要目的是用来在不同的器件和电路表面形成所需的各种图形。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。正确答案： 光刻加工技术就是用光刻加工方法，刻蚀出规定的图形的技术。
光刻加工是用照相复印的方法将光刻掩膜上的图形印制在涂有光致抗蚀剂（光刻胶）的
薄膜或基材表面，然后进行选择性腐蚀，刻蚀出规定的图形。
工艺流程是：涂胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀及去胶。解析： 暂无解析 -
第24题：
问答题什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？正确答案： 光刻就是通过一系列生产步骤，将晶圆薄膜的特定部分去除的工艺。
流程有晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干。解析： 暂无解析