第4题:
问答题
简述CMP优点和缺点
正确答案:
1.优点
1) 能获得全局平坦化。
2) 对于各种各样的硅片表面都能平坦化。
3) 可对多层材料进行平坦化。
4) 减小严重的表面起伏,使层间介质和金属层平坦,可以实现更小的设计图形,更多层的金属互连,提高电路的可靠性、速度和良品率。
5) 解决了铜布线难以刻蚀良好图形的问题。
6) 通过减薄表层材料,可以去掉表面缺陷。
7) CMP是湿法研磨,不使用干法刻蚀中常用的危险气体。
8) CMP可以实现设备自动化、大批量生产、高可靠性和关键参数控制。
2.缺点
1) 影响平坦化质量的工艺因素很多且不易控制。
2) CMP进行平坦化的同时也会引入新的缺陷。
3) 需要配套的设备、材料、工艺控制技术,这是一个需要开发、提高的系统工程。
4) 设备、技术、耗材、维护等十分昂贵。
解析:
暂无解析