填空题P型半导体是在硅晶体中渗入（）形成的，其多数载流子是（）。

第1题：

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。

• A、自由电子，空穴；扩散，飘移 
• B、空穴，自由电子；漂移，扩散 
• C、空穴，自由电子；扩散，漂移 
• D、自由电子，空穴；漂移，扩散 
• E、自由电子，空穴；扩散，扩散

第2题：

在N型半导体中，（）是多数载流子。

• A、空穴
• B、硅
• C、电子
• D、锗

第3题：

关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）

• A、自由电了是多数载流子
• B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
• C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体
• D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体

第4题：

P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。

第5题：

本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。

第6题：

N型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电；P型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电。

第7题：

对半导体而言，其正确的说法是（）

• A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电
• B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电
• C、P型半导体和N型半导体本身都不带电
• D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子

第8题：

由于P型半导体中的多数载流子是空穴，所以P型半导体带正电。（）

第9题：

N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。

第10题：

在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。

第11题：

第12题：

第13题：

本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

第14题：

在P型半导体中，（）是多数载流子。

• A、空穴
• B、电子
• C、硅
• D、锗

第15题：

在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

第16题：

半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。

第17题：

本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。

第18题：

在P型半导体中，（）是少数载流子。

• A、空穴
• B、电子
• C、硅
• D、锗

第19题：

N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。

第20题：

P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）

第21题：

在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。

第22题：

第23题：