问答题动态RAM的特点是什么？动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么？一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元？

第1题：

第2题：

动态RAM为何要刷新？如何刷新？

正确答案: 因为动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，而电容回逐渐放电，所以动态RAM要刷新；
可以通过对动态RAM不断地进行读出和写入，以使泄放的电荷得到补充，来完成刷新。

第3题：

一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？

正确答案: 采用分散刷新方式刷新间隔为：2ms，其中刷新死时间为：256×0.1μs=25.6μs
采用分散刷新方式刷新间隔为：256×（0.1μs+×0.1μs）=51.2μs
采用异步刷新方式刷新间隔为：2ms

第4题：

动态RAM需要进行刷新操作，而静态RAM不需要进行刷新操作。

正确答案:正确

第5题：

动态RAM和静态RAM都需要定时刷新。

正确答案:错误

第6题：

动态RAM为何要刷新？

正确答案:因为动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，而电容回逐渐放电，所以动态RAM要刷新。

第7题：

动态RAM的特点是什么？动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么？一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元？

正确答案: 利用存储电荷的与否来存储信息的RAM。
或
需要定时地进行刷新的RAM。
芯片的RS有效为必要条件，地址引脚上加入地址信息是充分条件。
每次刷新的总单元数为:128×4=512。

第8题：

以下关于随机访问存储器（RAM）说法错误的是（）

• A、RAM分为静态RAM和动态RAM两类
• B、SRAM作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下
• C、DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里
• D、DRAM需要不断刷新

正确答案:C

第9题：

何谓随机存取存储器RAM？静态RAM和动态RAM的本质区别是什么？动态RAM为什么要刷新？

正确答案: （1）随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
（2）静态RAM和动态RAM的本质区别是静态RAM不需要刷新，而动态RAM需要刷新。
（3）存储在MOS管栅极电容上的信息，由于存在泄漏电阻而栅极电容上的电荷经过一定时间泄放，从而使存储的信息从“1”变为“0”，必须定期对原存信息“1”的单元进行电荷补充。另外，单管动态RAM在读出时，其存储内容受到破坏，属破坏性读出，需要信息再生。所以需要刷新。

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

动态RAM的特点是（）。

• A、每隔一定时间需要刷新
• B、工作中需要动态地改变存储单元内容
• C、每次读出后需要刷新
• D、工作中需要动态地改变访存地址

正确答案:A

第14题：

需要刷新的存储器是_____。

• A、EPROM；
• B、EEPROM；
• C、静态RAM；
• D、动态RAM。

正确答案:D

第15题：

动态RAM如何刷新？

正确答案:可以通过对动态RAM不断地进行读出和写入，以使泄放的电荷得到补充，来完成刷新。

第16题：

静态RAM和动态RAM的存储元件分别是什么？动态RAM为什么需要刷新？进行刷新需要外部提供什么条件？

正确答案:静态 RAM的存储元件是触发器，动态RAM的存储元件是电容。动态RAM的基本存储单元是靠电容上有无电荷表示存1或存0的。虽然基本存储单元中的MOS管是一种高阻抗器件，但不可能将阻抗做到无穷大，因此电容上的电荷经过一段时间就会泄漏掉，使“1”信息变成“0”，所以要周期性地进行信息重新写入，也就是要刷新。刷新一般采用“仅行地址有效”的方法，需要外部提供有效行地址，选中相应一行，同时，令列地址无效，即关闭所有的列选通管。刷新需由刷新控制器控制。

第17题：

动态RAM需要经常刷新的理由是什么？微机系统如何进行动态RAM的刷新？

正确答案: 动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，由于电容会泄漏放电，所以，为保持电容中的电荷不丢失，必须对动态RAM不断进行刷新。
D.RAM的刷新常采用两种方法：一是利用专门的DRAM控制器实现刷新控制，如Intel8203控制器；二是在每个DRAM芯片上集成刷新控制电路，使存储器件自身完成刷新，如Intel2186/2187。

第18题：

动态RAM为什么需要经常刷新？微机系统如何进行动态RAM的刷新？

正确答案: 动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的，由于电容会泄漏放电，所以，为保持电容中的电荷不丢失，必须对动态RAM不断进行刷新。
DRAM的刷新常采用两种方法：一是利用专门的DRAM控制器实现刷新控制，如Intel8203控制器；二是在每个DRAM芯片上集成刷新控制电路，使存储器件自身完成刷新，如Intel2186/2187。

第19题：

有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？

正确答案:1）（64K×16）/（16K×1）=（2¹⁶×2⁴）/（2¹⁴）=2²⁰/2¹⁴=26=64片
2）2ms÷128=15.625μs
3）128×500ns=64μs

第20题：

动态RAM芯片2164的容量为64K位（256×256），对2164芯片的刷新方法是（）。

• A、每次刷新1个单元
• B、每次刷新256个单元
• C、每次刷新512个单元
• D、一次刷新全部单元

正确答案:C

第21题：

动态RAM的特点是（）。

• A、工作中需要动态地改变存储单元内容
• B、工作中需要动态地改变存储地址
• C、每隔一定时间需要刷新
• D、每次读出后需要刷新

正确答案:C

第22题：

第23题：

第24题：