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填空题晶体管输出特性可分为（）区，（）区，（）区。
题目
填空题
晶体管输出特性可分为（）区，（）区，（）区。
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第1题：
关于放大器的截止失真，下列说法不正确的是，（）造成的失真。
- A、晶体管工作在输出特性曲线的截止区
- B、晶体管工作在输出特性曲线的放大区
- C、晶体管工作在输出特性曲线的饱和区
- D、晶体管工作在输出特性曲线的任意区
正确答案:B,C,D -
第2题：
单结晶体管可分为截止区、（）和饱和区。
正确答案:负阻区 -
第3题：
结型场效应管的输出特性曲线可分为（）。
- A、可变电阻区和饱和区
- B、可变电阻区和击穿区
- C、饱和区和击穿区
- D、可变电阻区、饱和区和击穿区
正确答案:D -
第4题：
晶体三极管输出特性中包括三个工作区，分别是（）区、（）区、（）区。
正确答案:放大；截止；饱和 -
第5题：
在FET的输出特性曲线中，饱和区相当于BJT输出特性曲线的（）区。而前者 的可变电阻区则对应于后者的（）区。
正确答案:放大；饱和 -
第6题：
结型场效应管的输出特性曲线可分为（）几部分。
- A、放大区
- B、饱和区
- C、截止区
- D、可变电阻区
- E、击穿区
正确答案:B,D,E -
第7题：
双极型三极管输出特性的三个区域分别是（）区、（）区、（）区。
正确答案:饱和；放大；截止 -
第8题：
三极管的输出特性曲线分为（）区、（）区和（）区。
正确答案:截止;放大;饱和 -
第9题：
在晶体管的输出特性中有三个区域分别是截止区、（）和（）。
正确答案:放大区；饱和区 -
第10题：
单选题所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（）。A放大区
B饱和区
C截止区
D过损耗区
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第11题：
填空题晶体管输出特性可分为（）区，（）区，（）区。正确答案： 放大,饱和,截止解析： 暂无解析 -
第12题：
多选题根据三极管输出特性，曲线可分为（）区域。A放大区
B截止区
C饱和区
D容抗
正确答案： C,D解析： 暂无解析 -
第13题：
MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和（）
正确答案:雪崩区 -
第14题：
由输出特性曲线可知，晶体管有（）、放大区、饱和区三个区域。
正确答案:截止区 -
第15题：
单结晶体管可分为截止区、负阻区和饱和区。
正确答案:正确 -
第16题：
晶体管输出特性曲线可分为哪几个区？
正确答案: 放大区.条件：发射结正偏，集电结反偏.起放大作用
饱和区.条件：发射结正偏，集电结正偏.三极管导通
截止区.条件：发射结反偏，集电结反偏.
三极管断开三极管工作于饱和区和截止区相当于开关 -
第17题：
根据晶体管的工作状态，其输出特性可分为（）、放大区、饱和区三个区域。
正确答案:截止区 -
第18题：
所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（）。
- A、放大区
- B、饱和区
- C、截止区
- D、过损耗区
正确答案:A -
第19题：
场效应管输出特性的三个区域分别是（）区、（）区、（）区。
正确答案:恒流；可变电阻；夹断 -
第20题：
场效应晶体管的输出特性曲线是指在VGS一定的条件下，uDS和iD之间的关系。可分成四个区域，即（）区、（）区、（）区和夹断区。
正确答案:恒流；可变电阻；击穿 -
第21题：
根据晶体管的输出特性曲线，不是晶体管的工作状态的是（）
- A、截止区
- B、放大区
- C、饱和区
- D、死区
正确答案:D -
第22题：
填空题MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和（）正确答案： 雪崩区解析： 暂无解析 -
第23题：
填空题根据晶体管的工作状态，其输出特性可分为（）、放大区、饱和区三个区域。正确答案： 截止区解析： 暂无解析 -
第24题：
判断题双极型晶体管的工作区域可分为：饱和区、正向工作区、反向工作区和截止区。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析