不属于高能电子束百分深度剂量的是（）A、剂量建成区B、低剂量坪区C、高剂量坪区D、X射线污染区E、剂量跌落区

第1题：

电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是（）

• A、电子束无明显建成效应
• B、电子束的皮肤剂量较高
• C、电子束的照射范围平坦
• D、电子束射程较短
• E、电子束容易被散射

第2题：

高能电子束的高值等剂量曲线，随深度增加（）

• A、按几何原理发散
• B、不变
• C、逐渐展宽
• D、逐渐内敛
• E、线性变化

第3题：

X（γ）线、电子束混合照射的物理原理是（）。

• A、电子束的较高皮肤剂量和X(γ)线的较高的深部剂量 
• B、X(γ)较低的皮肤剂量和电子束的有效治疗漃、深度 
• C、X(γ)线的指数吸收规律和电子束的相对剂量坪区 
• D、电子束的有效治疗深度和X(γ)线的指数吸收规律 
• E、电子束的有效射程

第4题：

影响高能电子束百分深度剂量的因素有哪些？

第5题：

电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点，哪项错误（）

• A、表面剂量增加
• B、最大剂量深度变深
• C、X射线污染增加
• D、剂量梯度变陡
• E、高能电子束较低能电子束变化显著

第6题：

高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”，其形成原因是（）

• A、随深度增加，等剂量线向外侧扩张
• B、电子束入射距离较远
• C、电子束入射能量较高
• D、电子束中包含一定数量的X射线
• E、电子束在其运动径迹上不易被散射

第7题：

描述照射对电子束百分深度剂量的影响，正确的是（）

• A、较高能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响
• B、较低能量的电子束，照射野对百分深度剂量无影响
• C、较低能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大
• D、较高能量的电子束，较大照射野对百分深度剂量影响较大
• E、较高能量的电子束，较小照射野对百分深度剂量影响较大

第8题：

对高能电子束等剂量曲线形状的错误描述是（　）

• A、入射面处曲线集中，随深度增加，逐渐散开，有较大的旁向散射 
• B、曲线的曲度随深度、射野面积及能量变化而变化 
• C、等剂量曲线（包括百分深度剂量曲线）只有对具体机器在具体条件下才有意义 
• D、等剂量曲线表明，低值等剂量线向内收缩而高值等剂量线则呈膨胀趋势 
• E、不论入射面是平的还是弯曲的，曲线中心部分与入射表面平行

第9题：

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

硅晶体半导体探测器主要用于测量（）的相对剂量。

• A、高能X（γ）射线与低能X射线
• B、高能X（γ）射线与电子束
• C、低能X射线与电子束
• D、高能X射线
• E、低能X射线

第14题：

关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。

• A、大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区
• B、大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区
• C、大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区
• D、剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减
• E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

第15题：

高能X线照射时组织填充一般是用于（　）

• A、减轻皮肤反应 
• B、提高百分深度剂量 
• C、提高肿瘤(靶区)的百分深度剂量 
• D、提高皮肤剂量 
• E、代替组织补偿器 

第16题：

高能电子束等剂量分布特点是什么？

第17题：

不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是（）

• A、剂量建成区
• B、高剂量坪区
• C、X射线污染区
• D、剂量跌落区
• E、指数衰减区

第18题：

描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）

• A、D_S（表面剂量）
• B、D_X（韧致辐射剂量）
• C、R_r（剂量规定值深度）
• D、R_P（射程）
• E、D_r（剂量规定值）

第19题：

关于高能电子束的百分深度剂量，描述错误的是（）

• A、剂量建成区
• B、低剂量坪区
• C、高剂量坪区
• D、剂量跌落区
• E、X射线污染区

第20题：

根据电子束百分深度剂量随深度变化的规律，对于深度为1cm的靶区，电子能量应选择（）。

• A、4MeV
• B、6MeV
• C、9MeV
• D、12MeV
• E、15MeV

第21题：

第22题：

第23题：