N沟道场效应管是靠空穴导电的

第1题：

第2题：

P型半导体是靠（）导电。

• A、离子
• B、电子
• C、空穴

正确答案:C

第3题：

结型场效应管的类型有（）。

• A、N沟道结型场效应管
• B、P沟道结型场效应管
• C、N沟道增强型MOS管
• D、P沟道增强型MOS管
• E、N沟道耗尽型MOS管
• F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第4题：

半导体按导电类型分为（）型半导体与（）型半导体，（）型半导体靠电子来导电，（）型半导体靠空穴来导电。

正确答案:N；P；N；P

第5题：

（）具有不同的低频小信号电路模型。

• A、NPN型管和PNP型管
• B、增强型场效应管和耗尽型场效应管
• C、N沟道场效应管和P沟道场效应管
• D、晶体管和场效应管

正确答案:D

第6题：

耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。

正确答案:正确

第7题：

当u_GS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。

正确答案:耗尽；增强

第8题：

根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。

正确答案:增强型

第9题：

N沟道结型场效应管中的载流子是（）

• A、自由电子
• B、空穴
• C、电子和空穴
• D、带电离子

正确答案:A

第10题：

下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

• A、N沟道JFET
• B、增强~AIPMOS管
• C、耗尽型NMOS管
• D、耗尽型PMOS管

正确答案:B

第11题：

在半导体中，靠空穴导电的半导体称N型半导体。

正确答案:错误

第12题：

第13题：

由两个N区夹着一个P区，漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子，我们称其为N型沟道场效应管。

正确答案:错误

第14题：

P型半导体靠空穴导电。

正确答案:错误

第15题：

场效应管的类型有（）。

• A、结型场效应管
• B、绝缘栅型场效应管
• C、N沟道增强型MOS管
• D、P沟道增强型MOS管
• E、N沟道耗尽型MOS管
• F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第16题：

场效应管的类型按沟道分为（）型和（）型；按结构分有（）型和（）型；按u_GS=0时有无导电沟道分为（）型和（）型。

正确答案:N沟道；P沟道；结；绝缘栅；增强；耗尽

第17题：

结型场效应管的基本工作原理是（）

• A、改变导电沟道中的载流子浓度
• B、改变导电沟道中的横截面积
• C、改变导电沟道中的有效长度
• D、改变导电沟道中的体积

正确答案:B

第18题：

N型半导体材料导电的载流子是空穴。

正确答案:错误

第19题：

衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。

正确答案:错误

第20题：

场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。

正确答案:结型；增强型

第21题：

MOS场效应管按导电沟道划分为N和（）两大类。

正确答案:P

第22题：

更具结构不同，场效应管分为（）

• A、N沟道和P沟道场效应管
• B、NPN和PNP型场效应
• C、MOS管和MNS管
• D、结构和绝缘栅场效应管

正确答案:D

第23题：

第24题：