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GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。

题目
GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。

相似考题

1.场效应管是利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小的，因此它是_______控制器件。A．电场，电压B．电压，电流C．电流，电压D．电流，电场

2.场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。

3.在IGBT中，由于电流的 ，栅极失去对集电极电流的控制作用，导致集电极电流增大，造成器件功耗过高而损坏。

4.题2-2-9、场效应管为（）。A．电压控制电流型器件B．电流控制电流型器件C．电压控制电压型器件D．电流控制电压型器件

更多“GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。 ”相关问题

  • 第1题：

    场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制器件


    正确

  • 第2题：

    1、场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。

    A．电流，电场

    B．电场，电压

    C．电流，电压

    D．电压，电流


    电场

  • 第3题：

    1、MOSFET利用（）电压控制（）电流的大小，是（）器件。

    A．栅漏，漏极，电流控制电流

    B．栅源，漏极，电压控制电流

    C．漏源，漏极，电流控制电压

    D．栅源，栅极，电流控制电压


    ×

  • 第4题：

    46、场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。


    错误

  • 第5题：

    13、场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。

    A．电流，电场

    B．电场，电压

    C．电流，电压

    D．电压，电流


    C

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