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杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。()

题目

杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。()

相似考题

1.纯净的半导体是室温下几乎是不导电的,又称本征半导体。但如果给本征半导体掺入微量杂质、加热提高温度或在光照等物理作用下,半导体的导电能力将大大增强,从而变成导体,这就是半导体的导电特性。()此题为判断题(对，错)。

2.当半导体硅中掺有受主杂质时，主要靠（）导电，这种半导体称为P型半导体。

3.3、本征半导体的导电能力比杂质半导体强。

4.影响半导体导电性能的主要因素是()。A.压力B.随温度的上升，半导体的电阻率增大C.光照可以使导电能力减弱D.杂质

参考答案和解析
正确答案:对
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  • 第1题：

    1、以下关于杂质的描述正确的是

    A.半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射。#B.电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率。#C.中性杂质不会对半导体产生影响。#D.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。#E.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。#F.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体。#G.杂质会在半导体的禁带中引入能级。#H.如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷。#I.如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心。#J.如果杂质能级（
    如果杂质能级（深能级）的位置在Ef附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用。;如果杂质能级（深能级）的位置在Ei附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金。;如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷。;如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。

  • 第2题：

    微量杂质不能显著改变半导体的导电能力


    错误

  • 第3题：

    5、本征半导体导电能力很弱，若加入杂质，则导电能力增强。


    纯净半导体

  • 第4题：

    本征半导体的导电能力比杂质半导体强。


    错误

  • 第5题：

    本征半导体和杂质半导体相比，本征半导体的导电能力强


    征半导体是一种纯净的、结构完整的半导体晶体。在本征导体中参入微量的杂质，就形成了杂质半导体（N、P）

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