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有关电力MOSFET的说法错误的是()。A.属于电压控制器件B.开关速度慢C.工作频率高D.无二次击穿问题

题目
有关电力MOSFET的说法错误的是()。

A.属于电压控制器件

B.开关速度慢

C.工作频率高

D.无二次击穿问题

相似考题

1.SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。

2.比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。

3.30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

4.下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

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  • 第1题：

    5、电力MOSFET导通的条件是（）且（）。


    漏源极间加正电压 栅源极间加大于开启电压的正电压

  • 第2题：

    2、比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。


    IGBT比电力MOSFET在背面多一个P型层,IGBT开关速度小,开关损耗少具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小。开关速度低于电力MOSFET。电力MOSFET开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好。所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题。IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。

  • 第3题：

    6、下面关于MOSFET的跨导gm，说法错误的是________。

    A．MOSFET跨导是静态参数

    B．表征了MOSFET的放大能力

    C．表示MOSFET将栅源电压转换为漏极电流的能力

    D．随MOSFET工作点变化而变化


    MOSFET 跨导是静态参数

  • 第4题：

    下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 。

    A．IGBT是电压驱动型器件

    B．IGBT具有擎住效应

    C．IGBT开关速度高于电力MOSFET

    D．电力MOSFET存在二次击穿问题


    IGBT具有擎住效应;IGBT是电压驱动型器件

  • 第5题：

    电力MOSFET导通的条件是（）且（）。


    漏源极间加正电压 栅源极间加大于开启电压的正电压

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