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参考答案和解析
参考答案:C
更多“对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。 ”相关问题
  • 第1题:

    8、IGBT的饱和工作原理是()。

    A.MOSFET的沟道夹断,饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。

    B.MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入,形成传导电流。

    C.MOSFET的沟道夹断,pnp晶体管工作在截至状态。

    D.MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。


    高于电力晶体管

  • 第2题:

    【判断题】晶体管工作在放大状态时,集电极电位最高,发射极电位最低。

    A.Y.是

    B.N.否


    A

  • 第3题:

    【单选题】对 PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。

    A.发射极

    B.基极

    C.集电极


    C

  • 第4题:

    PNP型晶体管工作在放大区时,发射极电流的方向是流出管子的。


    错误

  • 第5题:

    BJT工作在放大状态时,集电极电位最高,发射极电位最低。


    错误