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画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。（Infineon笔试试题）
题目
画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。（Infineon笔试试题）
相似考题
参考答案和解析
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第1题：
画出NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistor level的电路。（Infineon笔试
正确答案：
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第2题：
画出Y=A*B+C的cmos电路图。（科广试题）
正确答案：
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第3题：
给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。（Infineon笔试）
正确答案：
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第4题：
画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。（未知）
正确答案：
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第5题：
以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（科广试题）
正确答案：
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第6题：
给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9
－14b)，问你有什么办法提高*** time，总共有5个问题，记不起来了。（降低温
度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）
正确答案：
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第7题：
如图26所示电路为电压比较器，它的输入输出传输特性应该是图( )。
答案：A解析： -
第8题：
根据工件图的特点和视图表达情况确定哪个部件需画出（）。并在原圈上画出剖面图。
- A、局部剖视图
- B、局部放大图
- C、局部立体图
- D、局部剖面图
正确答案:D -
第9题：
（）要求画出剖切平面以后的所有部分的投影
- A、剖面图
- B、剖视图
- C、视图
- D、移出剖面图
正确答案:B -
第10题：
晶体管的饱和和截止特性称为晶体管的（）特性。
正确答案:开关 -
第11题：
在水工图中需要画出地形、方位、河流方向的图样是（）。
- A、详图
- B、枢纽平面布置图
- C、横剖面图
- D、纵剖视图
正确答案:B -
第12题：
单选题在水工图中需要画出地形、方位、河流方向的图样是（）。A详图
B枢纽平面布置图
C横剖面图
D纵剖视图
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第13题：
画出CMOS的图，画出tow-to-one mux gate。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
正确答案：
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第14题：
画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=A*B+C(D+E)。（仕兰微电子）
正确答案：
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第15题：
用逻辑们画出D触发器。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
正确答案：
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第16题：
给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9 －14b)，问你有什么办法提高refresh time，总共有5个问题，记不起来了。（降低温度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）
正确答案：
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第17题：
sketch 连续正弦信号和连续矩形波(都有图)的傅立叶变换 。（Infineon笔试试题）
正确答案：
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第18题：
在图题10-1所示的电路中，已知R1=10kΩ, R2=30kΩ,其中CMOS非门电路的电源电压Vcc=6V。
①计算该电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。
②画出该电路的传输特性曲线。
③画出图示波形输入下的输出电压Vo波形。
答案：计算正向与负向阈值。
画传输特性：
输出Vo的波形：
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第19题：
因果分析图的基本原理是对每一个质量特性或问题逐层深入排查可能出现的原因，每一张分析图都应对( )进行分析。A、多个质量特性
B、几个主要质量特性
C、一个质量特性
D、所有质量特性答案：C解析：2018版教材P198
三、因果分析图法应用时的注意事项(1) 一个质量特性或一个质量问题使用一张图分析； -
第20题：
衡量光纤传输距离和传输容量的两个主要特性是（）特性和（）特性。
正确答案:衰耗；色散 -
第21题：
（）要求画出剖切平面以后的所有部分的投影。
- A、剖面图
- B、剖视图
- C、视图
正确答案:B -
第22题：
衡量光纤的传输距离和传输容量的两个主要特性是（）特性和（）特性。
正确答案:衰耗；色散 -
第23题：
CMOS传输门，具有双向传输特性。
正确答案:正确