A.模块式,并行
B.模块式,串行
C.整体式,并行
第1题:
18、下列说法中错误的是_______。
A.高位多体交叉存储器能提高存储器的读写速度。
B.低位多体交叉存储器能提高存储器的读写速度。
C.高位多体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问多个模块。
D.低位多体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问多个模块。
第2题:
随机存储器RAM是一种可读写存储器
第3题:
7、交叉编址的存储器实质能___执行___独立的读写操作
A.并行,多个
B.串行,多个
C.并行,一个
D.串行,一个
第4题:
3、交叉存储器实际上是一种_______的存储器,它能_______执行多个独立的读/写操作。
A.模块式、并行
B.整体式、串行
C.模块式、串行
D.整体式、并行
第5题:
交叉存储器实际上是一种()的存储器,它能()执行多个独立的读/写操作
A.整体式,串行
B.整体式,并行
C.模块式,串行
D.模块式,并行