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  • 第1题:

    18、下列说法中错误的是_______。

    A.高位多体交叉存储器能提高存储器的读写速度。

    B.低位多体交叉存储器能提高存储器的读写速度。

    C.高位多体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问多个模块。

    D.低位多体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问多个模块。


    C

  • 第2题:

    随机存储器RAM是一种可读写存储器


    正确

  • 第3题:

    7、交叉编址的存储器实质能___执行___独立的读写操作

    A.并行,多个

    B.串行,多个

    C.并行,一个

    D.串行,一个


    并行,多个

  • 第4题:

    3、交叉存储器实际上是一种_______的存储器,它能_______执行多个独立的读/写操作。

    A.模块式、并行

    B.整体式、串行

    C.模块式、串行

    D.整体式、并行


    A

  • 第5题:

    交叉存储器实际上是一种()的存储器,它能()执行多个独立的读/写操作

    A.整体式,串行

    B.整体式,并行

    C.模块式,串行

    D.模块式,并行


    模块式
    ?
    并行
    ?
    多个