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抑制性突触后电位()A、是去极化局部电位B、具有全或无性质C、是超极化局部电位D、是突触前膜递质释放量减少所致E、是突触后膜Na+通透性增加所致

题目
抑制性突触后电位()

A、是去极化局部电位

B、具有全或无性质

C、是超极化局部电位

D、是突触前膜递质释放量减少所致

E、是突触后膜Na+通透性增加所致

相似考题

1.请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?

2.抑制性突触后电位是指突触后膜局部去极化。()此题为判断题(对，错)。

3.由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

4.膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。

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  • 第1题：

    产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。


    正确答案：D

  • 第2题：

    A.K
    B.Na
    C.Ca
    D.Cl
    E.H

    可产生抑制性突触后电位的离子基础是

    答案：D
    解析：

    冲动传到突触前末梢，触发前膜中的Ca通道开放，一定量的Ca顺浓度差流入突触内，在Ca的作用下一定数量的突触泡将递质外排到突触间隙，此过程称胞吐。被释放的递质扩散到突触间隙，到达突触后膜，与位于后膜中的受体结合，故1题选C。抑制性突触后电位因为Cl通透性的增大导致突触后膜超极化而引起短路效应，使兴奋性突触后电位的去极化减少，而抑制了动作电位的发生。故2题选D。

  • 第3题：

    抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（ ）的通透性增加所致。



    答案：D
    解析：

  • 第4题：

    产生抑制性突触后电位的主要离子流是（ ）


    正确答案：D
    考查考生对突触传递原理的理解。
    在突触传递过程中，当突触前神经元有冲动传到末梢时，突触前膜去极化，去极化达一定水平时，末梢膜上电压门控钙通道开放，细胞外Ca2+进入末梢轴浆内，由此触发突触囊泡的出胞，以量子式释放的形式，将囊泡内的递质倾囊释出，这一过程称为兴奋一分泌耦联，而其他离子流对轴突末梢释放神经递质均无关，故第3题的正确答案是C。K+外流、Na+内流和Cl-内流均与突触传递引起突触后电位的产生有关，而H+外流则与此无关；Na+内流可使突触膜去极化，引起兴奋性突触后电位；K+外流和Cl-内流均可使突触后膜超极化，引起抑制性突触后电位，但通常以Cl-内流为主。故第4题的正确答案是D。

  • 第5题：

    抑制性突触后电位发生的原因主要是：

    A.
    B.
    C.
    D.

    答案：A
    解析：

  • 第6题：

    抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。()


    答案：错
    解析：

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