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下列物质中载流子最多的是()。A.本征半导体B.掺杂半导体C.导体D.绝缘体

题目

下列物质中载流子最多的是()。

A.本征半导体

B.掺杂半导体

C.导体

D.绝缘体

相似考题

1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于 。A．杂质浓度B．温度C．本征半导体D．掺杂工艺

2.29、杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。

3.9、在本征半导体中少量掺杂, 载流子浓度（）。（备选答案：增大、减小）

4.杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。

参考答案和解析
参考答案：C
更多“下列物质中载流子最多的是()。A.本征半导体B.掺杂半导体C.导体D.绝缘体 ”相关问题

  • 第1题：

    2、关于本征半导体，下列说法哪些是正确的？

    A．本征半导体的载流子浓度来源于本征激发

    B．本征半导体，电子浓度等于空穴浓度

    C．本征半导体的载流子浓度与温度无关

    D．一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小


    本征半导体的载流子浓度来源于本征激发;本征半导体，电子浓度等于空穴浓度;一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小

  • 第2题：

    在本征半导体中少量掺杂, 载流子浓度（）。（备选答案：增大、减小）


    C

  • 第3题：

    13、轻掺杂的N型半导体中本征载流子浓度比重掺杂的N型半导体中本征载流子浓度要低


    正确

  • 第4题：

    2、关于杂质半导体，下列描述正确的是（）

    A．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

    B．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

    C．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

    D．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。


    在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得 N 型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

  • 第5题：

    轻掺杂的N型半导体中本征载流子浓度比重掺杂的N型半导体中本征载流子浓度要低


    空穴

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