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加到半导体中的杂质可以分成()种类型,一种杂质加到半导体中去后,在半导体中会产生许多带负电的(),这种半导体叫做()半导体。

题目
加到半导体中的杂质可以分成()种类型,一种杂质加到半导体中去后,在半导体中会产生许多带负电的(),这种半导体叫做()半导体。


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  • 第1题:

    下述说法中,正确的有:

    A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以, 本征半导体导电性能比杂质半导体好#B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电#C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能#D.p型半导体的导电机制完全决定于满带中空穴的运动
    n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能

  • 第2题:

    P型杂质半导体带正电,N型杂质半导体带负电。


    错误

  • 第3题:

    对于半导体,以下说法正确的是()。

    A.P型半导体带正电

    B.N型半导体带负电

    C.本征半导体对外不显电性

    D.杂质半导体对外不显电性

    E.杂质半导体的电性与其掺杂类型有关


    能带图中受主能级靠近于价带顶

  • 第4题:

    2、关于杂质半导体,下列描述正确的是()

    A.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;

    B.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;

    C.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后空穴为多子,电子为少子;

    D.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子。


    在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得 N 型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;

  • 第5题:

    下述说法中,正确的是

    A.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能。

    B.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好。

    C.N型半导体的导电性能优于P型半导体,因为N型半导体是负电子导电,P型半导体是正离子导电。

    D.P型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。


    在硅或锗的晶体中掺入5价元素形成N型半导体,也称为电子半导体