A.先在B1、B2单元格中填入4、8,并将这两个单元格选定,再拖动B2右下角的填充柄到B6,则可自动填充出以上数据;
B.先在B1、B2、B3单元格中填入4、8、16,并将这三个单元格选定,再拖动B3角的填充柄到B6,则可口动填充出以上数据;
C.在B1单元格填入4--单市菜单栏中"编辑"--选"填充"--单击"序列"--在"序列产生在"处选"列"--在"类型"的下方选"等比序列"--在"步长值"处输入:2--在"终止值"输入"128"--单击"确定":
D.在B6、B5单元格分别填入128、64,再将这两个单元格选定,拖动B6右下的角的填充柄向上走,会自动填充以上的数据
第1题:
全部使用4片32K*8位的SRAM存储芯片,可设计的存储器有()
A.128K* 8位
B.32K* 32位
C.64K* 16位
D.128K* 16位
第2题:
4、两片存储容量为32K*8的EPROM,进行位扩展后其存储容量为()。
A.32K*16
B.64K*8
C.64K*16
D.128K*8
第3题:
资料数据为:8,16,32,32,64,128,128,描述其集中趋势,可使用中位数。()
第4题:
全部使用4片32K*8位的SRAM存储芯片,可设计的存储器有
A.128K* 8位
B.32K* 32位
C.64K* 16位
D.128K* 16位
第5题:
19、全部使用4片32K*8位的SRAM存储芯片,可设计的存储器有
A.128K* 8位
B.32K* 32位
C.64K* 16位
D.128K* 16位