下列程序执行后，SI寄存器中的内容为( )。 MOV SI， -1 MOV CL， 4 SAL SI， CL AND SI， 7FFFH OR SI， 7800H NOT SIA．0FHB．FOHC．FFHD．00H

第1题：

LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（）。

A．SiCl4→Si+2Cl2

B．SiH4 →Si+2H2

C．Si3N4→3Si+2N2

D．SiH2Cl2→Si+Cl2+H2

第2题：

把数据100存入[SI]指明的存储单元中，可以是下面哪条指令。

A．MOV [SI], 100

B．MOV BYTE PTR [SI], 100

C．MOV 100,BYTE PTR [SI]

D．MOV [SI], BYTE PTR 100

第3题：

已知（DS）= 1234H，（SI）= 124H，（12464H）= 30ABH，（12484H）= 464H。 LEA SI, [SI] MOV AX, [SI] MOV [SI+22H], 1200H LDS SI, [SI+20H] ADD AX, SI 上述程序段执行后：（DS）=________，（SI）=________，（AX）=________

第4题：

LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（）。

A．SiCl4→Si+2Cl2

B．Si3N4→3Si+2N2

C．SiH4 →Si+2H2

D．SiH2Cl2→Si+Cl2+H2

第5题：

BUFF为字节类型变量，DATA为常量，指出下列指令中源操作数的寻址方式： （1）MOV AX, 1200 （2）MOV AL, BUFF （3）SUB BX, ES: [2000H] （4）MOV CX, [SI] （5）MOV DX, DATA[SI] （6）MOV BL, [SI][BX] （7）MOV [DI], AX （8）ADD AX, DATA[DI+BP] （9）PUSHF （10）MOV BX, ES:[SI]

第6题：

指出下列指令中操作数的寻址方式 （1) MOV BX, 20H （2) MOV AX, [1245H] （3) MOV DX, [SI] （4) MOV 100[BX], AL （5) MOV [BP][SI], AX （6) MOV [BX+100][SI], AX （7) MOV [1800H], AL （8) MOV [SI], AX