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用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

题目

用釉粉上釉的烧结温度是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面

相似考题

1.上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

2.自身釉烧结的温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

3.金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

4.若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

更多“用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保 ”相关问题

  • 第1题：

    除气、氧化的目的是

    A.低于体瓷烧结温度6～8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案：D

  • 第2题：

    上釉的烧结温度是

    A．低于体瓷温度5℃

    B．低于体瓷温度10℃

    C．低于体瓷温度20℃

    D．高于体瓷温度5℃

    E．高于体瓷温度10℃


    正确答案：B
    B

  • 第3题：

    除气、氧化的方法是

    A.低于体瓷烧结温度6～8℃

    B.高于体瓷烧结温度10℃

    C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

    D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

    E.防止磨料成分污染金属表面


    参考答案：D

  • 第4题：

    PFM冠上釉时的炉温是

    A、与体瓷的烧结温度相同

    B、低于体瓷烧结温度6～8℃

    C、低于体瓷烧结温度10～20℃

    D、高于体瓷烧结温度6～8℃

    E、高于体瓷烧结温度10～20℃


    参考答案：B

  • 第5题：

    金属基底冠除气的方法是

    A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

    B．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

    C．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min

    D．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

    E．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min


    正确答案：C

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