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关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是 ( )A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大，出现超极化E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大

题目
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是 ( )

A、突触前轴突末梢超极化

B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大

C、突触后膜去极化

D、突触后膜电位负值增大，出现超极化

E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大

相似考题

1.请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?

2.产生抑制性突触后电位的主要离子流是（ ）

3.A.K B.Na C.Ca D.Cl E.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是

4.产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。

参考答案和解析
参考答案：D
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  • 第1题：

    关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（ ）。

    A.
    B.突触后膜去极化
    C.突触后膜出现超极化
    D.突触后膜出现复极化
    E.以上都不是


    答案：C
    解析：
    突触后膜在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋性下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位。

  • 第2题：

    下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是( )。

    A.
    B.突触前末梢去极化
    C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
    D.
    E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

    答案：E
    解析：

  • 第3题：

    关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是

    A．突触后膜对钙离子和钾离子的通透性增大

    B．突触后膜去极化

    C．突触后膜出现超极化

    D．突触后膜出现复极化


    C

  • 第4题：

    抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（ ）的通透性增加所致。



    答案：D
    解析：

  • 第5题：

    关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是（）

    A．突触后膜对Ca2+，K+通透性增大

    B．突触后膜去极化

    C．突触后膜出现超极化

    D．突触后膜出现复极化


    突触后膜去极化

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