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更多“与Ge(Li)探测器比,下列哪项不是高纯锗的突出优点A.避免锂漂移过程B.置备工艺简单C.可在室温下储 ”相关问题
  • 第1题:

    2、Li 的第一电离能比 Na 高,可见Na 比 Li活泼 ;但从标准电极电势看 ,Li 却比Na 更低 ,这似乎是在水中Li 比 Na 活泼 ;可是将金属锂和金属钠分别投入水中 ,锂与水的反应非常平稳 ,而钠与水的反应非常激烈 ,看来还是Na 比 Li 活泼 。怎样解释这些相互矛盾的现象 ?


    (1)NaMg的I 1 都是丢失1个3s电子所需之能量。r(Na)>r(Mg)且Na的有效核电荷比Mg小、I 1 (Na) 1(Mg)。第二电离能Mg是再丢掉1个3s电子所需之能量而Na是丢掉内层2s 2 2p 6 满层上的1个电子故 I 2 (Na) > I 2 (Mg) (4562 kJ.mol -1 ) (1451 kJ.mol -1 ) (2)Na + 和Ne的电离能I都是从稳定的惰气电子结构(2s 2 2p 6 )中丢失1个电子所需之能量。但电子从带正电荷的Na + 失去远比从中性原子Ne中失去要困难得多故 I(Na + )>I(Ne) (3)Be的电子构型是1s 2 2s 2 Be的I 1 是失去处于外层的1个2s电子所需之能量I 1 较小;失去1个电子后成Be + 如再失去2s上的电子则较困难I 2 >I 1 ;失去2个电子后的Be 2+ 如再失去电子是从1s 2 上丢失则更为困难I 3 的数值增大很多;I 4 是从Be 3+ 失去电子就更困难。 (1)Na,Mg的I1都是丢失1个3s电子所需之能量。r(Na)>r(Mg),且Na的有效核电荷比Mg小、,I1(Na)1(Mg)。第二电离能Mg是再丢掉1个3s电子所需之能量,而Na是丢掉内层2s22p6满层上的1个电子,故I2(Na)>I2(Mg)(4562kJ.mol-1)(1451kJ.mol-1)(2)Na+和Ne的电离能I都是从稳定的惰气电子结构(2s22p6)中丢失1个电子所需之能量。但电子从带正电荷的Na+失去,远比从中性原子Ne中失去要困难得多,故I(Na+)>I(Ne)(3)Be的电子构型是1s22s2,Be的I1是失去处于外层的1个2s电子所需之能量,I1较小;失去1个电子后成Be+,如再失去2s上的电子则较困难,I2>I1;失去2个电子后的Be2+,如再失去电子是从1s2上丢失,则更为困难,I3的数值增大很多;I4是从Be3+失去电子,就更困难。

  • 第2题:

    2、下列哪项不属于复合材料的良好加工工艺特性

    A.可根据制品的使用条件、性能选择原料

    B.可根据制品的形状、大小、数量选择加工方法

    C.材料、结构的制备在同一工艺过程完成

    D.复合材料具有高比强度,高比模量优点


    复合材料具有高比强度,高比模量优点

  • 第3题:

    【单选题】下列哪项不属于复合材料的良好加工工艺特性()

    A.可根据制品的使用条件、性能选择原料

    B.可根据制品的形状、大小、数量选择加工方法

    C.材料、结构的制备在同一工艺过程完成

    D.复合材料具有高比强度,高比模量优点


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  • 第4题:

    2、下列哪项不是植物生长的必需元素?

    A.钙(Ca)、镁(Mg)

    B.氧(O)、氮(N)

    C.硫(S)、硼(B)

    D.锂(Li)、铬(Cr)


    锂( Li )、铬( Cr )

  • 第5题:

    硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为()。

    A.μGaAs<μGe<μSi

    B.μGe<μSi<μGaAs

    C.μSi<μGe<μGaAs

    D.无法比较


    μ Si < μ Ge < μ GaAs