利用反向偏压p－n结在入射光照射下产生光生电流的光器件是()。A、LEDB、LDC、PIND、APD

第1题：

光伏器件外加反向偏压时，暗电流随反向偏压的增加有所增大，最后趋近于反向饱和电流。

第2题：

随着反向偏压的增加，开始光电流基本保持不变。当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压

第3题：

光伏器件外加反向偏压时，暗电流随反向偏压的增加有所增大，最后趋近于反向饱和电流。（）

第4题：

光电检测器是外加反向偏压的PN结，当入射光作用时，发生受激吸收产生 光生电子-空穴对，这些电子-空穴对在耗尽层内建电场作用下形成漂移电流，同时在耗尽层两侧部分电子-空穴对由于扩散运动进入耗尽层，在电场作用下形成扩散电流，这两部分电流之和为光生电流。

第5题：

2、关于光照下PN结的伏安特性，下列说法正确的是（）　（多选） A 第一象限中，PN结处于正向偏压作用下，作为光伏探测器工作在这个区域是没有意义的 B 第三象限中，PN结在反向偏压作用下，这种工作模式为光电导模式 C 第四象限中，PN结无外加偏压，这种工作模式称为光伏模式 D 以上说法都不正确