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下面说法正确的是( ) 。A. 半导体光源是通过电子在能级间的跃迁而发光的;B. 半导体光源是通过电子的受激吸收跃迁而发光的;C. 半导体光源是通过外加反向偏压而发光的;D. 半导体光源是通过外加正向偏压而发光的。

题目

下面说法正确的是( ) 。

A. 半导体光源是通过电子在能级间的跃迁而发光的;

B. 半导体光源是通过电子的受激吸收跃迁而发光的;

C. 半导体光源是通过外加反向偏压而发光的;

D. 半导体光源是通过外加正向偏压而发光的。


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  • 第1题:

    原子发射光谱是由于()而产生的

    A.原子的外层电子在不同能级间的跃迁

    B.原子的内层电子在不同能级间的跃迁

    C.原子的次外层电子在不同能级间的跃迁

    D.原子的外层电子从基态向激发态跃迁


    原子的外层电子在不同能级间的跃迁。

  • 第2题:

    5、下列光源为气体放电发光光源的是()

    A.半导体发光器件

    B.氖灯

    C.金属卤化物灯

    D.氙灯


    氖灯;金属卤化物灯;氙灯

  • 第3题:

    下列关于原子中电子的能级和跃迁,正确的是

    A.同一原子内层的电子能量比外层的低

    B.电子从高能级跃迁到低能级时会发射光子

    C.原子发光的颜色取决于电子跃迁的两个能级间的能量差

    D.电子从高能级跃迁到低能级时会吸收光子


    同一原子 内层的电子能量比外层的低;电子从高能级跃迁到低能级时会发射光子;原子发光的颜色取决于电子跃迁的两个能级间的能量差

  • 第4题:

    下述说法中,正确的是

    A.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能。

    B.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好。

    C.N型半导体的导电性能优于P型半导体,因为N型半导体是负电子导电,P型半导体是正离子导电。

    D.P型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。


    在硅或锗的晶体中掺入5价元素形成N型半导体,也称为电子半导体

  • 第5题:

    半导体光源是光电信息技术实验中应用最为广泛的一种光源,也是现在照明领域使用最多的光源之一,具有替代其他照明光源的趋势,因此,掌握半导体光源的发光机理就显得特别有必要,请参考裴世鑫、崔芬萍和孙婷婷编著的《光电子技术原理与应用》(国防工业出版社,2013年9月)和裴世鑫、崔芬萍编著的《光电信息科学与技术实验》(清华大学出版社,2015年11月),介绍一下半导体光源的发光机理及其在光电信息技术实验中的使用情况。


    仪器调节重要;实验精密