11、由外电场作用引起半导体内载流子运动，则（）A．运动方式为漂移运动B．形成的电流为漂移电流C．电场强度越大，引起的电流越大D．运动方式为扩散运动E．形成的电流为扩散电流F．电场强度越大，引起的电流越小G．引起的电流方向与其载流子运动方向相反H．引起的电流方向与其载流子运动方向相同

第1题：

关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）

• A、自由电子和空穴总是成对出现
• B、电子可以自由移动，空穴不能自由移动
• C、在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加
• D、自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和

第2题：

半导体屏蔽层除了起均匀电场作用外，也可以起（）、（）作用。

第3题：

存在于材料表面的带电粒子在电场作用下做定向运动，形成电流，通常称它们为载流子。（）

第4题：

PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

第5题：

本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。

第6题：

金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动而形成的。

• A、自由电子
• B、正、负离子
• C、空穴载流子
• D、自由电子和空穴

第7题：

半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。

第8题：

半导体中的扩散运动是由于载流子（）而引起的。

第9题：

PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。

第10题：

本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）

• A、电子载流子
• B、空穴载流子
• C、电子载流子和空穴载流子

第11题：

第12题：

第13题：

金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动形成的。

• A、空穴载流子
• B、正负离子
• C、自由电子
• D、载流子

第14题：

N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

第15题：

如果电流是由几种载流子的定向运动形成的，则每一种载流子的定向运动对电流都有贡献。

第16题：

半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。

第17题：

本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。

第18题：

半导体材料导电能力的大小，由半导体内载流子的数目决定。

第19题：

PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。

第20题：

杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。

第21题：

为什么PN结具有单向导电性（）。

• A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向一致，增强内电场作用，多数载流子顺利通过在电路中形成电流，正向导通
• B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向相反，削弱内电场阻挡作用，使多数载流子顺利通过阻挡层，在电路中形成电流，正向导通
• C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向相反，削弱内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用
• D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向一致，增强内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用

第22题：

N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

第23题：

第24题：