4、当温度升高后,二极管的正向压降______,反向漏电流______。
A.上升,下降;
B.上升,上升;
C.下降,上升;
D.下降,下降。
第1题:
第2题:
二极管反向电流的大小与温度有关,在一定的温度范围内温度升高,反向电流减少。
第3题:
选用检波二极管的主要参数是()
第4题:
当温度升高后,二极管的正向电压减小,反向电流增大。
第5题:
二极管的基本特性是();当温度升高时,二极管的正向压降会减小。
第6题:
二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为()
第7题:
当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(),正向压降将()。
第8题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第9题:
当二极管外加电压时,反向电流很小,且不随什么变化?()
第10题:
对于晶体二极管,下列说法中正确的是()。
第11题:
当温度升高后,二极管的正向电压(),反向电流()。
第12题:
正向电阻
正向电流
正向压降
正向管耗
第13题:
第14题:
当环境温度升高时,二极管的反向电流将()。
第15题:
当二极管外加电压时,反向电流很小,且不随()变化。
第16题:
二极管正向导通后,正向管压降几乎不随电流变化。
第17题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第18题:
当环境温度升高时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数β(),穿透电流ICEO(),当IB不变时,发射结正向压降|UBE|()
第19题:
在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。
第20题:
当温度升高后,二极管的正向电压(),反向电流()。
第21题:
连接在电路中的二极管,当温度升高时,二极管的正向漏电流和反向击穿电压分别会()。
第22题:
当二极管反向击穿时()。
第23题:
二极管的反向电流与温度有关,在—定温度范围内,温度升高,反向电流增加。
第24题: