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一个128*128结构的DRAM芯片，每隔2ms要刷新一次，采用异步刷新方式，且刷新是按顺序对所有128行存储元进行内部读操作和写操作实现的。设存取周期为0.5μs，求刷新开销（即刷新操作的时间所占的百分比）A．6.4%B．3.2%C．12.8%D．1.6%

题目

一个128*128结构的DRAM芯片，每隔2ms要刷新一次，采用异步刷新方式，且刷新是按顺序对所有128行存储元进行内部读操作和写操作实现的。设存取周期为0.5μs，求刷新开销（即刷新操作的时间所占的百分比）

A．6.4%

B．3.2%

C．12.8%

D．1.6%

相似考题

1.有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?

2.下列哪些项是动态RAM的典型刷新方法？（）A、集中刷新方式B、分散刷新方式C、同步刷新方式D、异步刷新方式

3.用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？

4.动态存储器，DRAM的三种刷新方式是()。A.集中刷新 B.分散刷新 C.同步刷新 D.异步式刷新

更多“一个128*128结构的DRAM芯片，每隔2ms要刷新一次，采用异步刷新方式，且刷新是按顺序对所有128行存储元进行内部读操作和写操作实现的。设存取周期为0.5μs，求刷新开销（即刷新操作的时间所占的百分比）”相关问题

  • 第1题：

    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？


    正确答案: （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs

  • 第2题：

    某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。

    • A、128
    • B、256
    • C、1024
    • D、16384

    正确答案:A

  • 第3题：

    存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    DRAM为什么要刷新，存储系统如何进行刷新？


    正确答案:DRAM以单个MOS管为基本存储单元，以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容的容量很小，充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失，所以要不断对它进行刷新操作、即读取原内容、放大再写入。
    存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址，将存储DRAM芯片中的某一行选中刷新。实际上，刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有DRAM芯片，所有DRAM芯片都在同时进行一行的刷新操作。
    刷新控制电路设置每次行地址增量，并在一定时间间隔内启动一次刷新操作，就能够保证所有DRAM芯片的所有存储单元得到及时刷新。

  • 第5题：

    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？


    正确答案:1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs

  • 第6题：

    在半导体存储器中，动态随机存储器DRAM的特点是（）。

    • A、按位结构方式存储
    • B、按字结构方式存储
    • C、信息在存储介质中移动
    • D、每隔一定时间进行一次刷新

    正确答案:D

  • 第7题：

    问答题
    用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？

    正确答案： 因为要求CPU在1μs内至少要访存一次，所以不能使用集中刷新方式，分散和异步刷新方式都可以使用，但异步刷新方式比较合理。
    相邻两行之间的刷新间隔＝最大刷新间隔时间÷行数＝2ms÷128＝15.625μs。取15.5μs，即进行读或写操作31次之后刷新一行。
    对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间＝0.5μs×128＝64μs。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。

    正确答案： 若芯片内部采用128×128矩阵排列，设芯片的最大刷新间隔时间为2ms ，则相邻两行之间的刷新间隔为：刷新间隔＝最大刷新间隔时间÷行数＝2ms÷128＝15.625μs可取刷新间隔15.5μs。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？

    正确答案： 1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    DRAM为什么要刷新，存储系统如何进行刷新？

    正确答案： DRAM以单个MOS管为基本存储单元，以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容的容量很小，充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失，所以要不断对它进行刷新操作、即读取原内容、放大再写入。
    存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址，将存储DRAM芯片中的某一行选中刷新。实际上，刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有DRAM芯片，所有DRAM芯片都在同时进行一行的刷新操作。
    刷新控制电路设置每次行地址增量，并在一定时间间隔内启动一次刷新操作，就能够保证所有DRAM芯片的所有存储单元得到及时刷新。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？

    正确答案： DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。
    常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？


    正确答案: DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。
    常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。

  • 第14题：

    一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？


    正确答案: 采用分散刷新方式刷新间隔为：2ms，其中刷新死时间为：256×0.1μs=25.6μs
    采用分散刷新方式刷新间隔为：256×（0.1μs+×0.1μs）=51.2μs
    采用异步刷新方式刷新间隔为：2ms

  • 第15题：

    存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    某机字长16位，CPU地址总线18位，数据总线16位，存储器按字编址，CPU的控制信号线有：MREQ#（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：【＊＊，★，包捷5.2，编号3.3，3.5.2】 该机主存采用64K×1位的DRAM芯片（内部为4个128×128阵列）构成最大主存空间，则共需（）个芯片；若采用异步刷新方式，单元刷新间隔为2ms，则刷新信号的周期为（）。


    正确答案:共需（218×16）÷（64K×1bit）=64 芯片；
    异步刷新方式是每行刷新一次，则刷新周期是：2ms÷128=15.625μs

  • 第17题：

    已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。


    正确答案:若芯片内部采用128×128矩阵排列，设芯片的最大刷新间隔时间为2ms ，则相邻两行之间的刷新间隔为：刷新间隔＝最大刷新间隔时间÷行数＝2ms÷128＝15.625μs可取刷新间隔15.5μs。

  • 第18题：

    DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？


    正确答案: DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
    ①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
    ②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
    ③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

  • 第19题：

    问答题
    某机字长16位，CPU地址总线18位，数据总线16位，存储器按字编址，CPU的控制信号线有：MREQ#（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：【＊＊，★，包捷5.2，编号3.3，3.5.2】 该机主存采用64K×1位的DRAM芯片（内部为4个128×128阵列）构成最大主存空间，则共需（）个芯片；若采用异步刷新方式，单元刷新间隔为2ms，则刷新信号的周期为（）。

    正确答案： 共需（218×16）÷（64K×1bit）=64 芯片；
    异步刷新方式是每行刷新一次，则刷新周期是：2ms÷128=15.625μs
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？

    正确答案： （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    在半导体存储器中，动态随机存储器DRAM的特点是（）。
    A

    按位结构方式存储

    B

    按字结构方式存储

    C

    信息在存储介质中移动

    D

    每隔一定时间进行一次刷新


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？

    正确答案： DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
    ①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
    ②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
    ③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？

    正确答案： 采用分散刷新方式刷新间隔为：2ms，其中刷新死时间为：256×0.1μs=25.6μs
    采用分散刷新方式刷新间隔为：256×（0.1μs+×0.1μs）=51.2μs
    采用异步刷新方式刷新间隔为：2ms
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。
    A

    128

    B

    256

    C

    1024

    D

    16384


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

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