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8、IGBT的饱和工作原理是()。A.MOSFET的沟道夹断,饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。B.MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入,形成传导电流。C.MOSFET的沟道夹断,pnp晶体管工作在截至状态。D.MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。

题目

8、IGBT的饱和工作原理是()。

A.MOSFET的沟道夹断,饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。

B.MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入,形成传导电流。

C.MOSFET的沟道夹断,pnp晶体管工作在截至状态。

D.MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。


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  • 第1题:

    变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号,变流器IGBT OK信号丢失持续()ms,报此故障.


    正确答案:100

  • 第2题:

    MCM模块有多少个IGBT模块()

    • A、6
    • B、8
    • C、4
    • D、10

    正确答案:B

  • 第3题:

    IGBT适用于()频率范围。

    • A、20~300kHz
    • B、50~200kHz
    • C、8~50kHz
    • D、50~400kHz

    正确答案:C

  • 第4题:

    汽包内汽水分离装置的主要作用是减少饱和蒸汽带水,其工作原理是利用离心力、粘附力和重力进行水与汽的分离。


    正确答案:正确

  • 第5题:

    不属于IGBT管特点的是()

    • A、IGBT管为混合器件
    • B、驱动功率容量小
    • C、电流等级为10A—400A
    • D、IGBT管是一种电流型器件

    正确答案:D

  • 第6题:

    液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。()


    正确答案:正确

  • 第7题:

    IGBT是指()。


    正确答案:绝缘栅双极型晶体管

  • 第8题:

    饱和土的有效应力原理。


    正确答案: 1.土的有效应力等于总应力减去孔隙水压力。
    2.土的有效应力控制了土的变形及强度性能。

  • 第9题:

    单选题
    活度计工作原理为电流电离室,其工作区为()。
    A

    饱和区

    B

    不饱和区

    C

    正比区

    D

    反比区

    E

    G-M区


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第10题:

    单选题
    MCM模块有多少个IGBT模块()
    A

    6

    B

    8

    C

    4

    D

    10


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    问答题
    简述磁饱和稳压器的基本工作原理。

    正确答案: 磁饱和稳压器的基本工作原理是:当输入初级电压时,稳压器按变压器的变压比关系将电压升高或降低。随着初级输入电压的升高,初级侧铁芯的磁通量不断增加,而次级侧饱和铁芯由于截面积较小,通过铁芯的磁通量不断增加而很快达到饱和,多余的磁通量则通过空气而泄漏,此时该饱和铁芯上的磁通量恒为一定值,绕在该饱和铁芯上的线圈感应出的电压也就基本不变,这样稳压器次级的输出电压也就不再随初级电压的变化而改变,达到稳定输出电压的目的。
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    血氧饱和度监测仪的工作原理。

    正确答案: 血氧饱和度监测仪器是一种无创、连续监测动脉血中氧的饱和程度的仪器,其基本工作原理是利用氧合血红蛋白和还原血红蛋白对红光、红外光的吸收特性。氧合血红蛋白吸收更多的红外光而让更多的红光通过,血红蛋白吸收更多的红光而让更多的红外光通过。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    GBT与场管的区别,正确的有()

    • A、场管比IGBT频率高
    • B、IGBT比场管导通压降低
    • C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大
    • D、IGBT的开关损耗比场管大
    • E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第14题:

    血氧饱和度监测仪的工作原理。


    正确答案:血氧饱和度监测仪器是一种无创、连续监测动脉血中氧的饱和程度的仪器,其基本工作原理是利用氧合血红蛋白和还原血红蛋白对红光、红外光的吸收特性。氧合血红蛋白吸收更多的红外光而让更多的红光通过,血红蛋白吸收更多的红光而让更多的红外光通过。

  • 第15题:

    IGBT与场管的区别,正确的有()

    • A、场管比IGBT频率高
    • B、IGBT比场管导通压降低
    • C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大
    • D、IGBT的开关损耗比场管大
    • E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第16题:

    IGBT是绝缘栅型双极性晶体管,它的特性是();

    • A、输出饱和压降低;
    • B、输入阻抗高;
    • C、开关速度高;
    • D、通态度损耗小;

    正确答案:A,B,C,D

  • 第17题:

    IGBT功率器件同时具有()和较低的饱和压降从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。

    • A、较高的输入阻抗
    • B、较低的输入阻抗
    • C、较高的工作频率
    • D、较低的工作频率

    正确答案:A,C

  • 第18题:

    8mm测速雷达的工作原理是什么?


    正确答案: 8mm测速雷达由天线,一体化高频组合(包括耿氏震荡器,环形器,混频器)多普勒信号处理电路和自检电路组成,另外还配置有直流闻压电源及防雷组件。八毫米测速雷达由耿氏震荡器产生频率f1=37.5GHz的发送信号,通过环形器(收发隔离开关)的正向通路,经介质透镜天线辐射到前方被测目标上。
    同时,频率f1的一小部分功率经环形器的反向通路,漏进混频器作为本振信号,频率为f1的发射信号在前方遇到移动目标时,即反射回来一个频率为f1+fd的信号。由天线接收后经环形器正向通路至混频器与本振频率进行混频,其差频fd即为多普勒信号,根据多普勒雷达原理,该频率与运动速度成正比,与发送频率成正比。混频后的多普勒信号经低噪声放大器和带通滤波器等处理后获得峰—峰值为8V的交流信号,整形后的交流信号送至计算机信号处理系统。

  • 第19题:

    简述磁饱和稳压器的基本工作原理。


    正确答案:磁饱和稳压器的基本工作原理是:当输入初级电压时,稳压器按变压器的变压比关系将电压升高或降低。随着初级输入电压的升高,初级侧铁芯的磁通量不断增加,而次级侧饱和铁芯由于截面积较小,通过铁芯的磁通量不断增加而很快达到饱和,多余的磁通量则通过空气而泄漏,此时该饱和铁芯上的磁通量恒为一定值,绕在该饱和铁芯上的线圈感应出的电压也就基本不变,这样稳压器次级的输出电压也就不再随初级电压的变化而改变,达到稳定输出电压的目的。

  • 第20题:

    电流互感器是利用电磁感应原理工作的,因此过负荷会使铁芯磁通密度达到饱和或过饱和,则电流比误差(),使表针指示不正确。

    • A、增大
    • B、减小
    • C、不变
    • D、不确定

    正确答案:A

  • 第21题:

    单选题
    GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。
    A

    GTO和GTR;

    B

    TRIAC和IGBT;

    C

    MOSFET和IGBT;

    D

    SCR和MOSFET;


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    多选题
    IGBT是绝缘栅型双极性晶体管,它的特性是();
    A

    输出饱和压降低;

    B

    输入阻抗高;

    C

    开关速度高;

    D

    通态度损耗小;


    正确答案: B,A
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    多选题
    IGBT功率器件同时具有()和较低的饱和压降从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。
    A

    较高的输入阻抗

    B

    较低的输入阻抗

    C

    较高的工作频率

    D

    较低的工作频率


    正确答案: D,B
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    问答题
    高速TTL“与非”门电路如何改进的?简述浅饱和电路工作原理。

    正确答案: 为了提高TTL“与非”门的速度,有很多方法,最常用的方法是浅饱和的TTL电路和在电路中加入肖特基二极管的肖特基TTL电路。浅饱和电路的工作原理是:由于TTL“与非”门电路的输出管T5一般设计工作在深饱和状态,则在输出由低电平转换为高电平时,T5从深饱和状态转换到截止状态所需的存储时间就很长,限制了TTL电路的工作速度,所以浅饱和电路的目的就是在“与非”门由截止转为饱和时,有比较大的电流,使T5迅速由截止转为饱和,一旦达到饱和以后,T6组成的电路就会有一个分流,降低T5的饱和程度,当需要T5由饱和转为截止时,由于T5的饱和程度较浅,就很容易从饱和转为截止,从而提高了TTL电路的速度。
    解析: 暂无解析