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以下属于多子型器件的有()。A.PN结二极管B.结型栅场效应晶体管C.双极型晶体管D.绝缘栅场效应晶体管

题目

以下属于多子型器件的有()。

A.PN结二极管

B.结型栅场效应晶体管

C.双极型晶体管

D.绝缘栅场效应晶体管


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  • 第1题:

    P(N)型半导体的多子、少子


    正确答案:由于N型半导体中自由电子多于空穴,所以自由电子为N型半导体的多数载流子(多子);空穴则是N型半导体的少数载流子(少子)。

  • 第2题:

    下列全控型开关器件中属于电压型驱动的有()。

    • A、GTR
    • B、GTO
    • C、MOSFET
    • D、达林顿管

    正确答案:C

  • 第3题:

    三级管属于()

    • A、单极性电压控制型器件
    • B、双极性电压控制型器件
    • C、单极性电流控制型器件
    • D、双极性电流控制型器件

    正确答案:D

  • 第4题:

    按器件的可控性分类,普通晶闸管属于()。

    • A、全控型器件
    • B、半控型器件
    • C、不控型器件
    • D、电压型器件

    正确答案:B

  • 第5题:

    MOSFET属于双极型器件。


    正确答案:错误

  • 第6题:

    下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。

    • A、GTR
    • B、IGBT
    • C、MOSFET
    • D、达林顿管

    正确答案:A,D

  • 第7题:

    在N型半导体中,多子是(),少子是();在P型半导体中,多子是(),少子是()


    正确答案:电子;空穴;空穴;电子

  • 第8题:

    场效应管属于()控制型器件,而晶体三极管则认为是()控制型器件。


    正确答案:电压;电流

  • 第9题:

    按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,晶闸管属于()

    • A、不可控器件
    • B、半控器件
    • C、全控器件
    • D、复合型器件

    正确答案:B

  • 第10题:

    下列电力电子器件中不属于全控型器件的是()。

    • A、SCR
    • B、GTO
    • C、GTR
    • D、IGBT

    正确答案:A

  • 第11题:

    单选题
    LED数码管()。
    A

    属于电压控制型器件

    B

    属于电流控制型器件


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    填空题
    电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

    正确答案: 电压,GTR,GTO,晶闸管
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    根据肝包虫囊肿的CT表现和特征,正确的分型是:()

    • A、单纯型,内囊分离型,多子囊型,实质钙化型
    • B、内囊分离型,多子囊型,实质钙化型,混合型
    • C、内囊分离型,多子囊型,实质钙化型,肿块型
    • D、单纯型,内囊分离型,多子囊型,混合型
    • E、单纯型,内囊分离型,多子囊型,肿块型

    正确答案:A

  • 第14题:

    以下属于无源器件的有:()

    • A、天线
    • B、合路器
    • C、馈线
    • D、布线系统

    正确答案:A,B,C,D

  • 第15题:

    P型半导体的多子为()、N型半导体的多子为()、本征半导体的载流子为()。


    正确答案:空穴;自由电子;电子—空穴对

  • 第16题:

    普通晶闸管属于()。

    • A、全控型器件
    • B、半控型器件
    • C、不控型器件
    • D、电流型器件

    正确答案:B,C

  • 第17题:

    以下不属于全控型电力电子器件的是()

    • A、可关断晶闸管

    正确答案:D

  • 第18题:

    下列电力电子器件属于全控型器件的是()。

    • A、SCR
    • B、GTO
    • C、GTR
    • D、MOSFET
    • E、IGBT

    正确答案:B,C,D,E

  • 第19题:

    场效应管属于()型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是()型器件。


    正确答案:电压控制电流;电流控制电流

  • 第20题:

    在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。


    正确答案:电力二极管;晶闸管;GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT;电力MOSFET;电力二极管、晶闸管、GTO、GTR;IGBT;晶闸管;电力MOSFET;电力MOSFET、IGBT;晶闸管、GTO、GTR

  • 第21题:

    电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。


    正确答案:电压;GTR;GTO;晶闸管

  • 第22题:

    多选题
    普通晶闸管属于()。
    A

    全控型器件

    B

    半控型器件

    C

    不控型器件

    D

    电流型器件


    正确答案: B,C
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    半导体受光照、外电场作用,载流子浓度就要发生变化,这时半导体处于非平衡态。光照时()的浓度几乎不变,()的浓度却大大增加,因而可以说,一切半导体光电器件对光的响应都是()的行为。请选择正确的答案()
    A

    多子---少子---少子;

    B

    少子---多子---多子;

    C

    多子---多子---多子

    D

    少子---少子---少子。


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    单选题
    根据肝包虫囊肿的CT表现和特征,正确的分型是:()
    A

    单纯型,内囊分离型,多子囊型,实质钙化型

    B

    内囊分离型,多子囊型,实质钙化型,混合型

    C

    内囊分离型,多子囊型,实质钙化型,肿块型

    D

    单纯型,内囊分离型,多子囊型,混合型

    E

    单纯型,内囊分离型,多子囊型,肿块型


    正确答案: B
    解析: 暂无解析