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热平衡状态下半导体的载流子数不发生变化。（）

题目

热平衡状态下半导体的载流子数不发生变化。（）

相似考题

1.P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。

2.下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子

3.P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

4.自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()

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  • 第1题：

    N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。

    • A、W型半导体
    • B、U型半导体
    • C、P型半导体
    • D、N型半导体

    正确答案:D

  • 第2题：

    在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。

    • A、正离子数
    • B、负离子数
    • C、质子
    • D、原子

    正确答案:A

  • 第3题：

    半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。


    正确答案:电子；空穴；空穴；电子；电子；空穴

  • 第4题：

    当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。

    • A、载流子数增加，电阻减小
    • B、载流子数减少，电阻减小
    • C、载流子数增加，电阻增大
    • D、载流子数减少，电阻增大

    正确答案:A

  • 第5题：

    本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.


    正确答案:少

  • 第6题：

    杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？


    正确答案:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的，少数载流子是由本征激发产生的，由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用，杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。

  • 第7题：

    由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。


    正确答案:增大；增大

  • 第9题：

    本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）

    • A、电子载流子
    • B、空穴载流子
    • C、电子载流子和空穴载流子

    正确答案:C

  • 第10题：

    P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。

    • A、W型半导体
    • B、U型半导体
    • C、P型半导体
    • D、N型半导体

    正确答案:C

  • 第11题：

    填空题
    半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。

    正确答案： 增大,增大
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。

    正确答案： 多数,少数
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。

    • A、W型半导体
    • B、U型半导体
    • C、P型半导体

    正确答案:C

  • 第14题：

    P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。


    正确答案:空穴

  • 第15题：

    N型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电；P型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电。


    正确答案:电子；电子；电子；空穴；空穴；空穴

  • 第16题：

    热敏电阻正是利用半导体的载流子数目随着温度变化而变化的特性制成的（）敏感元件。


    正确答案:温度

  • 第17题：

    N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。


    正确答案:自由电子；空穴

  • 第18题：

    N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。


    正确答案:五价；电子；空穴

  • 第19题：

    半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。

    • A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
    • B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少
    • C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
    • D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加

    正确答案:D

  • 第20题：

    在P型半导体中空穴是（）载流子，电子是（）载流子。


    正确答案:多数；少数

  • 第21题：

    半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。

    • A、W型半导体
    • B、U型半导体
    • C、P型半导体

    正确答案:C

  • 第22题：

    半导体的自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。

    • A、W型半导体
    • B、U型半导体
    • C、P型半导体
    • D、N型半导体

    正确答案:D

  • 第23题：

    填空题
    自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。

    正确答案： 多数 ,少数,P型
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。
    A

    正离子数

    B

    负离子数

    C

    质子

    D

    原子


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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