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PN结是半导体集成电路最基础的单元，集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程：A．电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路B．晶体管——电子管——集成电路——超大规模集成电路C．集成电路——晶体管——电子管——超大规模集成电路D．集成电路——电子管——晶体管——超大规模集成电路

题目

PN结是半导体集成电路最基础的单元，集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程：

A．电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路

B．晶体管——电子管——集成电路——超大规模集成电路

C．集成电路——晶体管——电子管——超大规模集成电路

D．集成电路——电子管——晶体管——超大规模集成电路

相似考题

1.集成电路可分为膜集成电路,半导体集成电路或混合集成电路。()此题为判断题(对，错)。

2.按集成电路内半导体工作机理分类,集成电路可分为()。A、数字集成电路和模拟集成电路B、线性集成电路和非线性集成电路C、双极型集成电路和单极型集成电路D、中小规模集成电路和大规模集成电路

3.电控燃油喷射技术经历了晶体管、集成电路到（）三大发展过程A、二极管B、电脑C、微处理D、大规模集成电路

4.下列不属于根据制造工艺的不同对集成电路分类的是()。A、膜集成电路B、半导体集成电路C、混合集成电路D、模拟集成电路

更多“PN结是半导体集成电路最基础的单元，集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程：”相关问题

  • 第1题：

    把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）

    • A、双极性集成电路
    • B、TTL集成电路
    • C、CMOS集成电路
    • D、单极性集成电路

    正确答案:A,D

  • 第2题：

    扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。

    • A、埋层
    • B、外延
    • C、PN结
    • D、扩散电阻
    • E、隔离区

    正确答案:A,C,D

  • 第3题：

    按集成电路所处理的信号的性质或处理方式的不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。（）


    正确答案:错误

  • 第4题：

    按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。

    • A、数字
    • B、厚膜
    • C、小规模
    • D、专用

    正确答案:B

  • 第5题：

    集成电路按照功能可分为（）。

    • A、模拟集成电路
    • B、数字集成电路
    • C、半导体集成电路
    • D、双极型集成电路

    正确答案:A,B

  • 第6题：

    微电子技术发展经历了五代，即半导体技术、集成电路技术、大规模集成电路技术、超大规模集成电路技术、超大规模智能化集成电路技术。（）


    正确答案:正确

  • 第7题：

    集成电路中元器件的特点是（）。

    • A、集成电路中元器件的性能比较一致，对称性好，适于作差动放大电路
    • B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片，且工艺简单，故集成电路中三极管用得多，电阻用得少
    • C、集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于100PF
    • D、集成电路中的三极管是低频小功率管
    • E、集成电路中的二极管是高性能管

    正确答案:A,B,C

  • 第8题：

    构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。


    正确答案:正确

  • 第9题：

    集成电路是把许多（）及其他电子元件汇集在一片半导体上构成的集成电路芯片。


    正确答案:二极管、三极管

  • 第10题：

    判断题
    按集成电路所处理的信号的性质或处理方式的不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。（）
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    集成电路的特征尺寸有时也称线宽，通常是指集成电路中半导体器件的（）。

    正确答案： 最小尺度
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？

    正确答案： 需要六次光刻
    第一次—N+隐埋层扩散孔光刻；
    第二次—P+隔离扩散孔光刻；
    第三次—P型基区扩散孔光刻；
    第四次—N+发射区扩散孔光刻；
    第五次—引线接触孔光刻；
    第六次—金属化内连线光刻。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    （）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。

    • A、本征半导体
    • B、P型半导体
    • C、N型半导体
    • D、NPN型半导体

    正确答案:A,B,C

  • 第14题：

    按集成度划分，半导体存储器是属于（）。

    • A、小规模集成电路
    • B、中规模集成电路
    • C、大规模集成电路
    • D、超大规模集成电路

    正确答案:C

  • 第15题：

    电子计算机发展到今天已经经历了四代，按时间顺序是（）

    • A、电子管、晶体管、集成电路和大规模集成电路时代
    • B、晶体管、电子管、集成电路和大规模集成电路时代
    • C、电子管、晶体管、大规模集成电路和集成电路时代
    • D、晶体管、电子管、大规模集成电路和集成电路时代

    正确答案:A

  • 第16题：

    按制造工艺集成电路分为（）。

    • A、半导体集成电路
    • B、TTL集成电路
    • C、厚膜集成电路
    • D、薄膜集成电路
    • E、CMOS集成电路

    正确答案:A,C,D

  • 第17题：

    集成电路按照制造工艺可分为（）。

    • A、半导体集成电路
    • B、薄膜集成电路
    • C、数字集成电路
    • D、厚膜集成电路

    正确答案:A,B,D

  • 第18题：

    微电子技术是现代信息技术的基础之一，而微电子技术又以集成电路为核心。下列关于集成电路的叙述中，错误的是（）

    • A、集成电路是上世纪50年代出现的
    • B、集成电路的许多制造工序必须在恒温、恒湿、超洁净的无尘厂房内完成
    • C、集成电路均使用半导体硅材料
    • D、集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有密切关系

    正确答案:C

  • 第19题：

    固体半导体摄像元件CCD是一种（）

    • A、PN结光电二极管电路
    • B、PNP型晶体管集成电路
    • C、MOS型晶体管开关集成电路
    • D、NPN型晶体管集成电路

    正确答案:C

  • 第20题：

    构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有（）和（）特性。


    正确答案:单向导电；反向击穿

  • 第21题：

    单选题
    固体半导体摄像元件CCD是一种（）
    A

    PN结光电二极管电路

    B

    PNP型晶体管集成电路

    C

    MOS型晶体管开关集成电路

    D

    NPN型晶体管集成电路


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、（）等六次光刻。

    正确答案： 埋层光刻,隔离光刻,基区光刻,发射区光刻,引线区光刻,反刻铝电极
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。

    正确答案： 二极管
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。

    正确答案： Si,Ge,GaAs,InP,（100）,（111）,SiO2,Si3N4,Al,Cu
    解析： 暂无解析

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