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11、下列关于动态存储器刷新方式，错误的表述是（）A．按芯片存储单元的矩阵进行刷新，每个存储单元逐一分别刷新。B．刷新本质上是对存储单元进行数据重写，由刷新电路自动执行。C．刷新1行的时间称为刷新周期，它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。D．集中刷新的缺点是容易形成内存访问的时间死区，异步刷新既可以避免访存死区，还能提高刷新操作安排的灵活性。

题目

11、下列关于动态存储器刷新方式，错误的表述是（）

A．按芯片存储单元的矩阵进行刷新，每个存储单元逐一分别刷新。

B．刷新本质上是对存储单元进行数据重写，由刷新电路自动执行。

C．刷新1行的时间称为刷新周期，它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。

D．集中刷新的缺点是容易形成内存访问的时间死区，异步刷新既可以避免访存死区，还能提高刷新操作安排的灵活性。

相似考题

1.下面关于随机存储器的叙述中，正确的是A.静态随机存储器依靠触发器原理存储信息B.静态随机存储器中的内容可以永久保存C.动态随机存储器依靠电容存储信息，需要定时刷新D.动态随机存储器中的内容断电丢失E.动态随机存储器的容量动态变化

2.在Intel 2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是( )。A．每次一个单元B．每次刷新512个单元C．每次刷新256个单元D．一次刷新全部单元

3.动态存储器，DRAM的三种刷新方式是()。A.集中刷新 B.分散刷新 C.同步刷新 D.异步式刷新

4.由于动态存储器是破坏性读出,因此,需要刷新。()此题为判断题(对，错)。

更多“11、下列关于动态存储器刷新方式，错误的表述是（）”相关问题

  • 第1题：

    下列哪些项是动态RAM的典型刷新方法？（）

    • A、集中刷新方式
    • B、分散刷新方式
    • C、同步刷新方式
    • D、异步刷新方式

    正确答案:A,B,D

  • 第2题：

    需要定期刷新的存储器类型为（）

    • A、静态存储器
    • B、动态存储器
    • C、只读存储器
    • D、易失性存储器

    正确答案:B

  • 第3题：

    DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？


    正确答案: DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。
    常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。

  • 第4题：

    静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？


    正确答案: 静态MOS存储器利用一个双稳态触发器存储一个二进制位，只要不断电就可以保持其中存储的二进制数据不丢失。
    动态MOS存储器使用一个MOS管和一个电容来存储一位二进制信息。用电容来存储信息减少了构成一个存储单位所需要的晶体管的数目。
    由于动态MOS存储器中的电容会产生漏电，因此DRAM存储器芯片需要频繁的刷新操作。
    动态存储器的刷新方式通常有：
    集中式刷新方式、分散式刷新方式、异步式刷新方式。

  • 第5题：

    因为电荷泄漏，需定期进行动态刷新的存储器是（）。

    • A、静态RAM
    • B、动态RAM
    • C、EPROM
    • D、FLASH

    正确答案:B

  • 第6题：

    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？


    正确答案:1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs

  • 第7题：

    在半导体存储器中，动态随机存储器DRAM的特点是（）。

    • A、按位结构方式存储
    • B、按字结构方式存储
    • C、信息在存储介质中移动
    • D、每隔一定时间进行一次刷新

    正确答案:D

  • 第8题：

    单选题
    在半导体存储器中，动态RAM的特点是（）
    A

    按字结构方式存储

    B

    每隔一定时间进行一次刷新

    C

    信息在存储介质中移动

    D

    按位结构方式存储


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    多选题
    下列哪些项是动态RAM的典型刷新方法？（）
    A

    集中刷新方式

    B

    分散刷新方式

    C

    同步刷新方式

    D

    异步刷新方式


    正确答案： D,C
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    在半导体存储器中，动态随机存储器DRAM的特点是（）。
    A

    按位结构方式存储

    B

    按字结构方式存储

    C

    信息在存储介质中移动

    D

    每隔一定时间进行一次刷新


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？

    正确答案： DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
    ①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
    ②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
    ③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    下列关于半导体存储器说法中正确的是（）。
    A

    半导体存储器可分为静态存储器和动态存储器两种类型

    B

    半导体存储器都是挥发性的，即只要关机（切断电源），所存储的信息就会全部丢失

    C

    静态存储器，即使不断电，存储单元所存储的信息也会慢慢丢失

    D

    动态存储器需要不断刷新


    正确答案： A,B,D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    刷新存储器的重要性能指标是它的带宽，若显示工作方式采用分辨率为1024╳1024，颜色深度为24位，帧频（刷新速率）为72Hz，求刷新存储器的容量是多少？


    正确答案: 因为刷存容量=分辨率×颜色深度×刷新速率
    所以1024×1024×3B=3072KB=3MB

  • 第14题：

    需要刷新的存储器是_____。

    • A、EPROM；
    • B、EEPROM；
    • C、静态RAM；
    • D、动态RAM。

    正确答案:D

  • 第15题：

    下列关于半导体存储器说法中正确的是（）。

    • A、半导体存储器可分为静态存储器和动态存储器两种类型
    • B、半导体存储器都是挥发性的，即只要关机（切断电源），所存储的信息就会全部丢失
    • C、静态存储器，即使不断电，存储单元所存储的信息也会慢慢丢失
    • D、动态存储器需要不断刷新

    正确答案:A,B,D

  • 第16题：

    以下几种存储器中，需要定期刷新的是：（）

    • A、静态RAM
    • B、动态RAM
    • C、EPROM
    • D、FLASH

    正确答案:B

  • 第17题：

    动态RAM的特点是什么？动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么？一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元？


    正确答案: 利用存储电荷的与否来存储信息的RAM。
    或
    需要定时地进行刷新的RAM。
    芯片的RS有效为必要条件，地址引脚上加入地址信息是充分条件。
    每次刷新的总单元数为:128×4=512。

  • 第18题：

    在半导体存储器中，动态RAM的特点是（）。

    • A、信息在存储介质中移动
    • B、每隔一定时间进行一次刷新
    • C、按字结构方式存储
    • D、按位结构方式存储

    正确答案:B

  • 第19题：

    DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？


    正确答案: DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
    ①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
    ②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
    ③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

  • 第20题：

    单选题
    需要定期刷新的存储器类型为（）
    A

    静态存储器

    B

    动态存储器

    C

    只读存储器

    D

    易失性存储器


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    动态RAM的特点是什么？动态RAM存储器芯片刷新工作的条件是什么？一个64K位芯片每刷新一次可刷新多少个存储单元？

    正确答案： 利用存储电荷的与否来存储信息的RAM。
    或
    需要定时地进行刷新的RAM。
    芯片的RS有效为必要条件，地址引脚上加入地址信息是充分条件。
    每次刷新的总单元数为:128×4=512。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    以下关于随机访问存储器（RAM）说法错误的是（）
    A

    RAM分为静态RAM和动态RAM两类

    B

    SRAM作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下

    C

    DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里

    D

    DRAM需要不断刷新


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？

    正确答案： 静态MOS存储器利用一个双稳态触发器存储一个二进制位，只要不断电就可以保持其中存储的二进制数据不丢失。
    动态MOS存储器使用一个MOS管和一个电容来存储一位二进制信息。用电容来存储信息减少了构成一个存储单位所需要的晶体管的数目。
    由于动态MOS存储器中的电容会产生漏电，因此DRAM存储器芯片需要频繁的刷新操作。
    动态存储器的刷新方式通常有：
    集中式刷新方式、分散式刷新方式、异步式刷新方式。
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？

    正确答案： DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。
    常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。
    解析： 暂无解析

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