采用多体交叉存储器可提高存储器的带宽。

第1题：

第2题：

第3题：

多处理机系统中的素数模低位交叉存储器可以避免所有访存冲突。

正确答案:错误

第4题：

在相同的器件条件下，如果要提高主存的带宽，可以采用（）和（）两种并行存储器结构。

正确答案:单体多字存储器；多体交叉存储器

第5题：

多模块交叉存储器中，地址在模块中的安排方式有（）和（）两种。

正确答案:顺序；交叉

第6题：

双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器结构，其中前者采用（）并行技术，后者采用（）并行技术。

正确答案:空间；时间

第7题：

采用多体交叉存储器可提高存储器的带宽。

正确答案:正确

第8题：

多体交叉存储器

正确答案: 由多个相互独立、容量相同的存储体构成的存储器，每个存储体独立工作，读写操作重叠进行。

第9题：

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

第14题：

设存储器容量为32位，字长64位，模块数m=8，分别用顺序方式和交叉方式进行组织。若存储周期T = 200ns，数据总线宽度为64位，总线传送周期为50ns，则顺序存储器和交叉存储器带宽各是多少？

略

第15题：

交叉存储器实质上是一种多模块存储器，它用（）方式执行多个独立的读写操作。

• A、流水
• B、资源重复
• C、顺序
• D、资源共享

正确答案:A

第16题：

在多总线结构的计算机系统中，采用（）方法，对提高系统的吞吐率最有效。

• A、多端口存储器
• B、提高主存的工作速度
• C、交叉编址存储器
• D、高速缓冲存储器

正确答案:D

第17题：

双端口存储器和多模块交叉存储器属于（）结构。前者采用（）技术，后者采用（）技术。

正确答案:并行存储器；空间并行；时间并行

第18题：

下面是关于基于ARM内核的嵌入式芯片中的存储器及高带宽外部存储器控制接口的叙述，其中错误的是（）

• A、ARM芯片片内配有的Flash存储器，通常用作系统的程序存储器
• B、ARM芯片内的Cache采用SRAM
• C、高带宽外部存储器控制接口只能用于扩展系统的程序存储器
• D、高带宽外部存储器控制接口与AMBA的系统总线部分相连

正确答案:C

第19题：

如果存储器周期是400ns，而每个周期可访问4字节，则存储器带宽为（）。

正确答案:80Mbps

第20题：

第21题：

第22题：

第23题：

第24题：