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用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？
题目
用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？
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第1题：
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
正确答案:错误 -
第2题：
QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。
正确答案:正确 -
第3题：
在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。
正确答案:正确 -
第4题：
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
正确答案:正确 -
第5题：
使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。
- A、0.01
- B、0.025
- C、0.06
- D、0.15
正确答案:C -
第6题：
用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
正确答案: 由已知条件：CN=50pF，R3=345Ω，再由电桥计算公式解得Cx值为461.4pF。 -
第7题：
测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？
正确答案: ①在使用电桥过程中，若分流电阻选择不当，很可能损坏R3的各电阻元件，②因为通过被试品的全部电流要由分流电阻和R3分别承担。 -
第8题：
用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
正确答案:错误 -
第9题：
使用QS1电桥时，根据试品电容量估算R3的值，若R3偏大很多时，电桥才趋于平衡，试问故障原因和如何检查？
正确答案: ①故障原因可能是R3桥臂有分流现象或CX电路内有断线现象。
②检查和消除方法：检查电桥CX引线有无分流或断线，检查R3桥臂电阻值是否与实际相符，若不相符，则应打开电桥检查分流器开关是否正常。 -
第10题：
判断题用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第11题：
判断题在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第13题：
在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
正确答案:错误 -
第14题：
适用QSI型西林电桥测量试品tg∮，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在中间位置。
正确答案:错误 -
第15题：
为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
正确答案: 小电容（小于500pF）试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时，其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳（垫绝缘）的介质损耗因数，测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉（电桥正接线测量时，接地点是电桥的屏蔽点）。为了在现场测试方便，可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数，便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷，而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小，而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大，也就对测量结果（反接线测量的综合介质损耗因数）有较大的影响。
由于正接线具有良好的抗电场干扰，测量误差较小的特点，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。 -
第16题：
测量绝缘介损的仪器按原理可以分为（）。
- A、西林电桥
- B、电流比较型电桥
- C、M型电桥
- D、直流电流电压法电桥
正确答案:A,B,C -
第17题：
测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。
- A、试品电容量较大，影响较小
- B、试品电容量较大，影响较大
- C、与试品电容量无关
正确答案:A -
第18题：
使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜。
- A、0.01
- B、0.025
- C、0.06
- D、0.15
正确答案:A -
第19题：
在QSI型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥R3的调节值需趋向最高限值，电桥才能趋抽平衡。
正确答案:正确 -
第20题：
用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？
正确答案: 应采用反接线。
测量时非被试绕组应短路接地，被试绕组三相要短接。 -
第21题：
用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些？
正确答案: 用QS1型西林电桥测tgδ的操作要点如下：
（1）接线经检查无误后，将各旋钮置于零位，确定分流器档位；
（2）接通光源，加试验电压，并将“＋tgδ”转至“接通I”位置；
（3）增加检流计灵敏度，旋转调谐钮，找到谐振点，再调R3、C4使光带缩小；
（4）提高灵敏度，再按顺序反复调节R3、C4及P，使灵敏度达最大时光带最小，直至电桥平衡；
（5）读取电桥测量读数，将检流计灵敏度降至零位，降下试验电压，切断电源，将高压接地放电。 -
第22题：
单选题试品电容量约为15000pF，当用10kVQS1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在（）档A0.01
B0.025
C0.06
D0.15
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第23题：
单选题试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置A0.01
B0.025
C0.06
D0.15
正确答案： A解析： 暂无解析