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离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？

题目

离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？

相似考题

1.锅炉需要进行哪些方面的温度测量？其目的是什么？

2.离心水泵启动前必须先（），其目的是（）。

3.离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量

4.离心泵启动前必须先充满水，其目的是（）。

更多“离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？”相关问题

  • 第1题：

    离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

    • A、能量
    • B、剂量

    正确答案:A

  • 第2题：

    安装污水管道前要进行核算，其目的是什么？


    正确答案:污水管多用排水铸铁管，中间截断很困难，其零件就更难改动尺寸，因此，当管件较多而尺寸又紧凑时，就须按尺寸排列一下，验算这些管件能否放下。另外管线的标高也受其起端管件尺寸的控制，还得考虑到施工的方便。因此，在决定污水管的平面尺寸及标高时，就应同时考虑管件的尺。

  • 第3题：

    什么叫离子注入，它的特点是什么？


    正确答案: 在真空中将元素电离，并加高压使离子以很高速度硬挤入工件表面的工艺过程叫离子注入。其特点是深度浅，而在使用中，注入元素仍能继续向里迁移。由于注入时工件温度低，故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时，注入能量及注入深度能准确控制，注入层结合力强，无剥落现象。

    叫离子注入。其特点是深度浅，而在使用中，注入元素仍能继续向里迁移。由于注

    入时工件温度低，故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时，注入能量及注入深度

    能准确控制，注入层结合力强，无剥落现象。

    叫离子注入。其特点是深度浅，而在使用中，注入元素仍能继续向里迁移。由于注

    入时工件温度低，故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时，注入能量及注入深度

    能准确控制，注入层结合力强，无剥落现象。

  • 第4题：

    园林工人为使灌木围成的绿篱长得茂密、整齐，需要对绿篱定期修剪，其目的是（）

    • A、抑制侧芽生长
    • B、抑制其开花结果
    • C、抑制向光生长
    • D、促进侧芽生长

    正确答案:D

  • 第5题：

    简述在片剂制备过程中，压片前常需要先制成颗粒的目的


    正确答案: （1）增加物料的流动性
    （2）减少细粉吸附和容存的空气以减少药片的松裂
    （3）避免粉末分层
    （4）避免细粉飞扬

  • 第6题：

    问答题
    什么是层间氧化带？其基本岩层结构是什么？

    正确答案： 层间氧化带：含氧承压水沿渗透性良好的砂岩顺层发育的一种氧化作用所形成的。
    也称舌状氧化带。它是含氧水顺层渗透，水－岩相互作用和氧化－还原作用使岩石中的造岩矿物长石、黄铁矿和有机质等发生氧化，形成新的矿物，水和岩石中元素发生迁移沉淀的结果。层间氧化带形成的基本岩层结构：透水层处于两个隔水层之间，如“泥－砂－泥”岩石组合，发育深度较大，可达几百米甚至几十公里以上。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    离子注入后退火的作用是什么？

    正确答案： 作用是激活注入的离子，恢复迁移率及其他材料参数。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么？

    正确答案： 在升温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，可以在硅片上得到一层热生长的氧化层；沉积的氧化层可以通过外部供给氧气和硅源，使它们在腔体中反应，从而在硅片表面形成一层薄膜。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

    正确答案： 扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。
    （1）.离子注入掺杂的优势：相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。
    （2）离子注入掺杂的缺点：主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    简述离子注入退火目的与方法。

    正确答案： 工艺目的：消除晶格损伤，并且使注入的杂质转入替位位置从而实现电激活。
    ①高温热退火
    通常的退火温度：＞950℃，时间：30分钟左右
    缺点：高温会导致杂质的再分布。
    ②快速热退火
    采用RTP，在较短的时间（10-3～10-2秒）内完成退火。
    优点：杂质浓度分布基本不发生变化。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？

    正确答案： 氧化层保护表面免污染，免注入损伤，控制注入温度。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    指出事件2中的灌浆按灌浆目的分类属于哪类灌浆？先浇一层坝体混凝土再进行灌浆的目的是什么？

    正确答案：
    解析：

  • 第13题：

    在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。

    • A、长度
    • B、深度
    • C、宽度
    • D、表面平整度

    正确答案:B

  • 第14题：

    境内居民个人需要为设立或控制的（）特殊目的公司办理登记。

    • A、第一层
    • B、前两层
    • C、前三层
    • D、所有层级

    正确答案:A

  • 第15题：

    在难镀材料镀前预浸一层薄金属的目的是什么？（）

    • A、防止置换出被镀金属
    • B、增强结合力
    • C、防止表面生成氧化膜

    正确答案:A,B,C

  • 第16题：

    哪些鲜切花在生长过程中需要张网？张网的目的是什么？


    正确答案: 叶片较长、数量较多，易弯折以及花枝、花柱、花茎较长、脆弱的花卉为防止茎杆弯折，花枝倒伏，促使生长规整，保持通风采光，有利提高切花采收效率需要进行张网，如月季、香石竹、勿忘我、切花菊、百合、香雪兰、六出花等。生长中需要进行遮阴以保护幼苗，防止光照过强抑制生长，影响花芽分化，引起徒长以及造成叶片、花朵灼伤时，需根据花卉品种及环境条件使用不同规格遮阳网，如非洲菊，满天星、百合、文竹、花烛、香雪兰等。

  • 第17题：

    离心式水泵启动前必须先充满水，其目的是排除空气。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    问答题
    简述热生长氧化层与沉积氧化层的区别。

    正确答案： ①结构及质量：热生长的比沉积的结构致密，质量好。
    ②成膜温度：热生长的比沉积的温度高。可在400℃获得沉积氧化层，在第一层金属布线形成完进行，做为金属之间的层间介质和顶层钝化层。
    ③硅消耗：热生长的消耗硅，沉积的不消耗硅。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    沥青在使用前，置于熔解槽中，熔化温度一般150℃，其目的是什么？

    正确答案： 排除水份，使杂质沉淀。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    哪些鲜切花在生长过程中需要张网？张网的目的是什么？

    正确答案： 叶片较长、数量较多，易弯折以及花枝、花柱、花茎较长、脆弱的花卉为防止茎杆弯折，花枝倒伏，促使生长规整，保持通风采光，有利提高切花采收效率需要进行张网，如月季、香石竹、勿忘我、切花菊、百合、香雪兰、六出花等。生长中需要进行遮阴以保护幼苗，防止光照过强抑制生长，影响花芽分化，引起徒长以及造成叶片、花朵灼伤时，需根据花卉品种及环境条件使用不同规格遮阳网，如非洲菊，满天星、百合、文竹、花烛、香雪兰等。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    在氧化层上形成所需要的图形的步骤是什么？

    正确答案： 甩胶、曝光、显影、刻蚀、去胶。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    离心水泵启动前必须先（），其目的是（）。

    正确答案： 充满水、排出泵中的空气
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    离子注入后进行退火工艺的原因是什么？

    正确答案： 可使裸露的硅片表面生长一层新的阻挡氧化层；高温使得杂质向硅中移动；可使注入引入的损伤得到修复；使杂质原子与硅原子间的共价键被激活，使得杂质原子成为晶格结构中的一部分。
    解析： 暂无解析

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