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离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量
题目
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
- A、能量
- B、剂量
相似考题
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第1题：
对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。
- A、入射离子的能量
- B、入射离子的质量
- C、入射离子的原子序数
- D、靶原子的质量、原子序数、原子密度
- E、注入离子的总剂量
正确答案:A,B,C,D,E -
第2题：
什么叫离子注入，它的特点是什么？
正确答案: 在真空中将元素电离，并加高压使离子以很高速度硬挤入工件表面的工艺过程叫离子注入。其特点是深度浅，而在使用中，注入元素仍能继续向里迁移。由于注入时工件温度低，故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时，注入能量及注入深度能准确控制，注入层结合力强，无剥落现象。叫离子注入。其特点是深度浅，而在使用中，注入元素仍能继续向里迁移。由于注
入时工件温度低，故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时，注入能量及注入深度
能准确控制，注入层结合力强，无剥落现象。
叫离子注入。其特点是深度浅，而在使用中，注入元素仍能继续向里迁移。由于注
入时工件温度低，故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时，注入能量及注入深度
能准确控制，注入层结合力强，无剥落现象。
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第3题：
判断题离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第4题：
问答题简述离子注入的原理？正确答案： 离子注入是离子被强电场加速后注入靶中，离子受靶原子阻止，停留其中，经退火后杂质进入替位、电离成为具有电活性的杂质。这一过程是一非平衡的物理过程（扩散为化学过程）解析： 暂无解析 -
第5题：
问答题离子注入后为何退火？正确答案： 因为大部分注入的离子并不是以替位形式处在晶格点阵位置上，而是处于间隙位置，无电活性，一般不能提供导电性能，所以离子注入后要退火。解析： 暂无解析 -
第6题：
判断题离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高于临界能量时电子阻止本领占主导。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题离子注入法有哪些优点？正确答案： 掺杂的过程可通过调整杂质剂量及能量来精确控制杂质分布，可进行小剂量和极小深度的掺杂较低的工艺温度，故光刻胶可用作掩膜可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？正确答案： 扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。
（1）.离子注入掺杂的优势：相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。
（2）离子注入掺杂的缺点：主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。解析： 暂无解析 -
第9题：
单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A离子注入
B热扩散
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题离子注入主要部件有哪些？正确答案： 有离子源、磁分析器、加速器、扫描器、偏束板和靶室。解析： 暂无解析 -
第11题：
判断题离子注入的能量远低于离子刻蚀和离子溅射沉积。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题离子注入机的主要部件以及它们的主要任务分别是什么？正确答案： （1）离子源，离子源的任务是提供所需的杂质离子；
（2）质量分析器，对从离子源出来的离子进行筛选；
（3）加速器，保证注入离子的能量满足一定的要求；
（4）束流扫描器，离子束是一条直径约1~3的线状高速离子流，必须通过扫描覆盖整个注入区。解析： 暂无解析 -
第13题：
离子注入
正确答案:离子注入：将预先选择的元素原子电离，经电场加速，获得高能量后注入工件的表面改性工艺。 -
第14题：
问答题简述离子注入工艺中退火的主要作用？正确答案： 由于离子注入所造成的损伤区及畸形团，增加了散射中心及陷阱能级，使迁移率和寿命等半导体参数下降。此外，大部分的离子在被注入时并不位于替位位置，未退火之前的注入区域将呈显高阻区。为（1）激活被注入的离子（使其变成替位杂质）；（2）恢复有序的晶格结构（如果是无定形结构，就谈不上替位杂质与间隙杂质），其目的是恢复迁移率（减少散射中心）和恢复寿命（减少缺陷能级，减少陷阱），必须在适当的时间与温度下将半导体退火。解析： 暂无解析 -
第15题：
问答题简述离子注入的优缺点正确答案： 优点：精确控制杂质含量、很好的杂质均匀性、对杂质穿透深度有很好的控制、产生单一离子束、低温工艺、注入的离子能穿过薄膜、无固溶度极限
缺点：
A.高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤（可用高温退火进行修复）
B.注入设备的复杂性（这一缺点被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补） 重要的离子注入参数 剂量、射程解析： 暂无解析 -
第16题：
问答题例举离子注入设备的5个主要子系统。正确答案： （1）离子源：待注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。注入离子在离子源中产生
（2）引出电极（吸极）和离子分析器：传统注入机吸极系统收集离子源中产生的所有正离子并使它们形成粒子束，离子通过离子源上的一个窄缝得到吸收。
（3）加速管：为了获得更高的速度，出了分析器磁铁，正离子还要再加速管中的电场下进行加速
（4）扫描系统扫描在剂量的统一性和重复性方面起着关键租用。
（5）工艺室------离子束向硅片的注入发生在工艺腔中。解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题离子注入后退火的作用是什么？正确答案： 作用是激活注入的离子，恢复迁移率及其他材料参数。解析： 暂无解析 -
第18题：
填空题离子注入在衬底中产生的损伤主要有（）等三种。正确答案： 点缺陷、非晶区、非晶层解析： 暂无解析 -
第19题：
名词解释题离子注入正确答案： 离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在固体材料中，这一现象就叫做离子注入。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题简述离子注入退火目的与方法。正确答案： 工艺目的：消除晶格损伤，并且使注入的杂质转入替位位置从而实现电激活。
①高温热退火
通常的退火温度：＞950℃，时间：30分钟左右
缺点：高温会导致杂质的再分布。
②快速热退火
采用RTP，在较短的时间（10-3～10-2秒）内完成退火。
优点：杂质浓度分布基本不发生变化。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？正确答案： 氧化层保护表面免污染，免注入损伤，控制注入温度。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题简述部分离子注入工艺的作用。正确答案： ①深埋层注入：高能（大于200KEV）离子注入，深埋层的作用：减小衬底横向寄生电阻，控制CMOS的闩锁效应。
②倒掺杂阱注入：高能量离子注入使阱中较深处杂质浓度较大，倒掺杂阱改进CMOS器件的抗闩锁和穿通能力。
③穿通阻挡层注入：作用：防止亚微米及以下的短沟道器件源漏穿通，保证源漏耐压。
④轻掺杂漏区（LDD）注入：减小最大电场，增强抗击穿和热载流子能力。
⑤超浅结注入：大束流低能注入。作用：抑制短沟道效应。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题离子注入表面改性正确答案： 氮离子注入（单一气体注入），等离子源离子注入，离子辅助镀膜等。目的是制备金属成形刀具、模具耐磨硬质涂层解析： 暂无解析