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砷化镓相对于硅的优点是什么？

题目

砷化镓相对于硅的优点是什么？

相似考题

1.以下不属于太阳能光伏电池材料的是()。A.硫化镉B.砷化镓C.氟化铵D.多晶硅

2. 实际生产并应用的太阳电池有( )。A.单晶硅太阳电池 B.非晶硅太阳电池 C.多晶硅太阳电池 D.砷化镉太阳电池 E.硫(碲)化镓太阳电池

3.不属于磷砷化镓显示单元的优点是（）A、寿命长、读出角度大B、视差小C、可以直接由集成电路驱动D、损耗功率小

4.硅、锗、硒、砷化镓等介于导体与绝缘体之间的物体为半导体。A．错误B．正确

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  • 第1题：

    镓砷磷是砷化镓和磷化镓的固溶体，是一种（）材料。


    正确答案:发光

  • 第2题：

    下列材料属于N型半导体是（）。

    • A、硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）
    • B、硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
    • C、砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）
    • D、砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

    正确答案:A,C

  • 第3题：

    霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（）及锑化铟等半导体材料制成。

    • A、锗
    • B、硅
    • C、砷化镓
    • D、砷化铟

    正确答案:A,B,C,D

  • 第4题：

    吸收同样的太阳光，砷化镓的厚度是单晶硅厚度的（）。

    • A、10倍
    • B、5倍
    • C、1/10
    • D、1/5

    正确答案:C

  • 第5题：

    以下不属于太阳能光伏电池材料的是（）。

    • A、硫化镉
    • B、砷化镓
    • C、氟化铵
    • D、多晶硅

    正确答案:C

  • 第6题：

    砷化锌，砷化镓


    正确答案:2853009022

  • 第7题：

    硅二极管反向导通电流一般（）。

    • A、为0
    • B、比锗管小
    • C、比锗管大
    • D、比砷化镓二极管小

    正确答案:B

  • 第8题：

    问答题
    砷化镓相对于硅的主要缺点是什么？

    正确答案： 主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    简述砷化镓单晶的主要制备方法。

    正确答案： 一种是在石英管密封系统中装有砷源，通过调节砷源温度来控制系统中的砷压。这种方法包括水平舟区熔法、定向结晶法、温度梯度法、磁拉法和浮区熔炼法等。另一种是将熔体用某种液体覆盖，并在压力大于砷化镓离解压的气氛中合成拉晶，称为液体封闭直拉法。
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    多选题
    实际生产并应用的太阳电池有(    )。
    A

    单晶硅太阳电池

    B

    非晶硅太阳电池

    C

    多晶硅太阳电池

    D

    砷化镉太阳电池

    E

    硫（碲）化镓太阳电池


    正确答案： E,D
    解析：

  • 第11题：

    多选题
    LED的制成原料包含（）。
    A

    锗化钾

    B

    砷化镓

    C

    磷化镓

    D

    氰化钾


    正确答案： C,A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    半导体材料中锗和硅属于（）结构，砷化镓属于（）结构。

    正确答案： 金刚石,闪锌矿
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    FET的主要材料是（）。

    • A、钢
    • B、硅
    • C、砷化镓
    • D、铝合金

    正确答案:C

  • 第14题：

    属于绝缘体的正确答案是（）。

    • A、金属、石墨、人体、大地
    • B、橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷
    • C、硅、锗、砷化镓、磷化铟
    • D、各种酸、碱、盐的水溶液

    正确答案:B

  • 第15题：

    转换效率比较高的太阻电池材料是（）。

    • A、砷化镓
    • B、非晶硅
    • C、单晶硅
    • D、陶瓷

    正确答案:A

  • 第16题：

    实际生产并应用的太阳电池有（　）。

    • A、单晶硅太阳电池
    • B、非晶硅太阳电池
    • C、多晶硅太阳电池
    • D、砷化镉太阳电池
    • E、硫(碲)化镓太阳电池

    正确答案:A,B,C

  • 第17题：

    硅、锗、硒、砷化镓等介于导体与绝缘体之间的物体为半导体。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    .LED的制成原料包含（）。

    • A、锗化钾
    • B、砷化镓
    • C、磷化镓
    • D、氰化钾

    正确答案:B,C

  • 第19题：

    判断题
    硅、锗、硒、砷化镓等介于导体与绝缘体之间的物体为半导体。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    多选题
    光电池有（）种类。
    A

    硅光电池

    B

    硒光电池

    C

    锗光电池

    D

    砷化镓光电池

    E

    锂光电池


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。

    正确答案： 砷化镓和磷化铟等衬底为半绝缘体，硅衬底为半导体。因此，硅衬底上电感有衬底损耗电阻和电容。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    砷化镓相对于硅的优点是什么？

    正确答案： 砷化镓具有比硅更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动得比硅中的更快。砷化镓也有减小寄生电容和信号损耗的特性。这些特性使得集成电路的速度比由硅制成的电路更快。GaAs器件增进的信号速度允许它们在通信系统中响应高频微波信号并精确地把它们转换成电信号。硅基半导体速度太慢以至于不能响应微波频率。砷化镓的材料电阻率更大，这使得砷化镓衬底上制造的半导体器件之间很容易实现隔离，不会产生电学性能的损失。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    （）是最常用的一种半导体材料。
    A

    砷化镓

    B

    硅

    C

    磷

    D

    锢


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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