薄膜沉积的机构包括那些步骤()。
第1题:
薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括()。
第2题:
薄膜沉积的机构包括那些步骤()。
第3题:
变质处理通过添加材料,促进(),从而达到细化晶粒的效果。
第4题:
焊接工艺参数对晶粒成长方向有影响。当焊接速度越大时,晶粒主轴的成长方向越()于焊缝的中心线
第5题:
晶粒主轴的成长方向与结晶等温面正交,并且以弯曲的形状()成长。
第6题:
结晶过程中,晶粒成长的方向以及平均线速度都是变化的,晶粒成长线速度在焊缝中心最大,在熔合线上最小,等于()
第7题:
沉积岩的结构是指构成沉积岩颗粒的性质、()、()及()。沉积岩的主要结构类型有:碎屑结构、()、晶粒结构、()和()结构。
第8题:
金属的结晶包括()和()两过程,结晶核心越多,结晶后晶粒(),金属的力学性能()
第9题:
晶粒长大和再结晶晶核长大的驱动力有何不同,为什么织构会阻碍晶粒的长大?
第10题:
愈小,愈细
愈小,愈粗
愈大,愈细
愈大愈粗
第11题:
第12题:
第13题:
下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗()。
第14题:
生产硫铵时,若晶核形成速度大于成长速度,得到的晶粒将将发生什么变化?
第15题:
影响晶粒粗细的因素很多,但主要取决于晶核的数目。晶核愈多,晶核长大的余地(),长成的晶粒()。
第16题:
焊缝熔池的一次结晶过程包括熔池晶核的形成和熔池晶核的成长。
第17题:
焊接工艺参数对晶粒成长方向有影响。当焊接速度越大时,晶粒主轴的成长方向越()。
第18题:
结晶过程包括晶核的形成和晶体的成长两个阶段。
第19题:
内源沉积岩的结构按成因和特点大致可以分为四类:();();晶粒结构;()。
第20题:
()专指薄膜形成的过程中,并不消耗晶片或底材的材质。
第21题:
孕育剂的作用是促进成核,阻止晶粒长大
采用增强金属液的运动,如电磁搅拌、机械振动和超声波处理等方法,或促进形成晶核,或打碎正在生长的树枝晶增加晶核而达到细化晶粒的目的
过冷度越大,越能细化晶粒
生产中采用降低浇铸温度、减小铸型温度升高的速度、提高冷却速度的方法,均可以增大过冷度,从而可使晶粒细化
第22题:
形核率和形核速度
形核速度和形核面积
形核率和晶核长大速度
晶粒度和晶核长大速度
第23题:
第24题: